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晶体管的极限参数 (晶体管的极限参数公式)

编辑:rootadmin
晶体管的应用范围不应超过手册规定的最大数据,其最大允许的数据便是晶体管的极限参数。一、最大反向电压当晶体管PN结上反向电压太大时,PN结就会被击穿,所以晶体管PN结存在一个允许的最大反向电压。1.集-射极反向击穿电压BVceo、BVcer、BVces三个参数分别是基极开路、基-射极接一电阻R(由手册给定,如3AD规定R为Ω)、基-射极短路时的集-射极反向击穿电压,其关系是BVceo<BVcer<BVces,说明基-射极接有电阻R时,R越小,允许的工作电压越高。因此,不同的应用场合,晶体管的工作电压可以不同。设计晶体管电路时一般是这样考虑问题的:如基极电阻较大,应按BVceo参数考虑,这样,尽管集-射极实际击穿电压大于BVceo,仍按BVceo考虑可使晶体管工作时有一定的可靠性裕量。当基极电阻较小时,如音频功率放大器中晶体管基-射极接输入变压器绕组,下偏置电阻往往只取几欧姆,这时晶体管的集-射极最大反向电压可允许大干BVceo,但应小于BVcer。仍按BVceo考虑设计电路就过于保守,管子的性能不能得到充分发挥。基一射极短路,三极管当二极管用,集一射极最大反向电压不应超过BVces。2.集-基极反向击穿电压BVcbo(射极开路)晶体管作共基极接法时,集-基极最大反向电压不应超过BVcbo。以上四个参数中,BVcbo最大。如3AXB的BVceo=V。BVcbo=V。3.射-基极反向击穿电压BVebo(集电极开路)通常在放大器中,发射结处于正偏,可不考虑BVebo参数。但在开关电路中,为了使管子可靠截止,发射结可能反偏,这时应考虑反向电压不超过BVebo。以上五个参数中。BVebo最小,一般小功率管的BVebo只有几伏。二、最大结温和最大集电极允许耗散功率Pcm当温度达到一定高度时,晶体管的PN结就会失效,所以晶体管有最高结温的规定。锗管最高结温约℃。硅管约℃。显然,工作的环境温度也不能超过这个温度。晶体管作放大用时,集电结处于反偏,Uce几乎全部降在集电结上。集电极耗散功率Pc=Uce·Ic,Pc过大,就会使PN结(尤其集电结)升温超过允许值,所以晶体管有最大集电极耗散功率Pcm的规定

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三、最大集电极电流Icm晶体管有Icm的规定,其用意与上述不同,不是说Ic>Icm管子就损坏。大家知道,晶体管特性曲线是非线性的,在Ic较大的区域内,β值较小。晶体管作放大器时Ic是交变的,如Ic在交变过程中超过Icm,就会使输出波形产生严重失真,所以规定Ic不能超过Icm。Icm是指β值下降到额定值的2/3时的集电极电流。由上所述可知,晶体管作放大器时,应工作在BVceo线、Pcm线、Icm线以及饱和区界线、截止区界线所围的区域内,如图所示。其中Pcm线是一条双曲线,通常手册上给出的Pcm是对环境温度为℃来说的,环境温度升高,允许的Pcm减小,双曲线向箭头所指的方向移动,应用晶体管要考虑这一因素。

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