短/中波双色碲镉汞红外探测器制备研究 (中波短波超短波)

{本文由家电维修技术小编收集整理资料}报道了基于分子束外延的短/中波双色碲镉汞材料及器件的最新研究进展。采用分子束外延方法制备出了高质量的短/中波双色碲镉汞材料，并通过提高材料质量将其表面*密度控制在cm-2以内。在此基础上进一步优化了芯片制备工艺，尤其是在减小像元中心距方面作了优化。基于上述多项材料及器件工艺制备出了×短/中波双色碲镉汞透视探测器组件。结果表明，该组件的测试性能及成像效果良好。摘要报道了基于分子束外延的短/中波双色碲镉汞材料及器件的最新研究进展。采用分子束外延方法制备出了高质量的短/中波双色碲镉汞材料，并通过提高材料质量将其表面*密度控制在cm-2以内。在此基础上进一步优化了芯片制备工艺，尤其是在减小像元中心距方面作了优化。基于上述多项材料及器件工艺制备出了×短/中波双色碲镉汞*探测器组件。结果表明，该组件的测试性能及成像效果良好。0引言随着*探测器应用范围的不断扩展和*隐身技术水平的日益提高，人们期望在更为复杂的背景及环境下实现高精度的高速透视探测，同时提高识别准确率。双／多色透视焦平面探测器组件可通过多波段对比去除干扰信号，从而更为有效地提取目标信息，因此具有迫切、广泛的应用需求。其中，短/中波双色*焦平面探测器组件不仅在*预警、气象探测、资源遥感等方面有着明确需求，而且还在机载侦察*、低空地空*光电火控*、精确制导*等方*有广阔的应用前景。本文报道了中国电子科技集团公司第十一研究所（以下简称