LED篇之电路结构及性能 (led电路图简单)
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正向电流(IF)-正向电压(VF)特性随LED元件的材料、尺寸以及发光颜色的不同而不同。而且随环境温度变化。此外,还具有半导体特有的特征值分布,即所谓的偏差。当LED恒流驱动时,正向电压(VF)的变化不构成大的问题,但在恒压驱动的情况下,需要考虑电压变化和偏差。LED照明电路【串联照明电路】当LED以恒压驱动方式串联点亮时,通常如下图所示,电路中包含与LED串联的电阻,用于控制电流。以这个电路为例,首先根据正向电流(IF)-正向电压(VF)特性,读取亮灯时LED的正向电流(IF)和正向电压(VF)值。将数值代入上式,计算出R(电流控制电阻)值。【并联照明电路】将LED以恒压驱动方式并列排列时,建议给每列LED加入控制电阻。LED的正向电流(IF)-正向电压(VF)特性取决于元件的材料和发光颜色。即使具有相同的材料和发光颜色,也存在半导体特有的个体偏差。如下图所示,当LED①和LED②的正向电压(VF)值不同时,如果用一个电阻控制电流,则难以控制每个LED的电流(IF1和IF2)。每个LED连一个电阻,可以设置每个LED的电流(IF1或IF2),因此更容易*设定,例如均衡电流值、抑制亮度偏差。另外,通过加大输入电压(Vin),增加电阻两边的电压,还可以减少偏差。需要注意的性能1.温度引起的特性变化<光强・波长・正向电压(VF)>LED特性根据周围温度及LED发热在内的芯片温度(Tj:发光部的结温)发生变化。以下针对代表性的特性变化进行说明。光强LED的Tj上升,则光通量变少。这是因为阻碍发光的电子和空穴再结合运动增加了。波长与光强变化相同,温度变化引起发光波长发生变化。主要是温度变化引起半导体的禁带宽度发生变化,所以波长发生变化。波长变化量因材料不同有差异,InGaAlP系LED随温度上升时,λd有0.1nm/°C的变动,向长波长侧变化。针对波长规格严格的用途,需要探讨在整机的工作保证温度范围内波长的变化。正向电压(VF)除特殊情况,VF的变化与发光波长相同,因半导体的禁带宽度变化而变化。随着温度上升,VF会以2mV/°C的数值下降。VF的变化在电路设计上是重要的要素。LED恒流工作时,VF变化作为电路常数问题不大,但LED在恒压工作或接近恒压时,随温度上升VF下降,电流增加。电流增加,则Tj变高,VF下降,直到达到平衡状态为止,电流会一直增加。相反温度变低,则VF变高,电流减少,有可能恒压工作时得不到所需的光强。2.特性偏差LED在制造阶段就具有特性值分布,即所谓的偏差。因此对光强等级、电气特性规定了最小值等。进行光学设计、电路设计时需要考虑偏差。例如,VF随温度变化之前,在特定分布中已存在偏差。当没有设计裕量时,针对VF偏差大的产品,需要探讨温度变化时是否能得到所需的特性。根据电路特性、整机特性,有时需要将LED特性值的偏差幅度缩小。此时,需要探讨引进特殊规格,及判断是否能对应此规格。