半桥LLC电路的安全死区选择 (半桥llc和全桥llc的区别)

MOSFET管驱动包括:DSP发波，与门SNHCDR组成的硬件复位电路，驱动芯片IR驱动电路几个部分，对于DSP发出的PWM波其死区是靠程序决定，并且死区误差可以不计。与门SNHCDR的转换延时如下表。

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表1SNHCDR的传输延时所以经过SNHCDR后，死区时间为：

其中：

为DSP设定死区，

为上升沿传输延时，

为下降沿传输延时。VCC=3.3V，工作温度-℃～℃，所以经过SNHCDR后，死区会减少约～nS。所用的IR驱动电路如下图所示：

图1IR驱动电路我们不考虑电阻，电容偏差带来的延时误差，所以驱动电路对死区时间的影响主要是IR的驱动上升延时和下降延时的偏差，如下图1所示。

图1IR驱动延时

图2IR驱动延时如下图所示，考虑功率管的安全关断电压为0～2V，从IR一个功率管关断到另一个开通的标准时间差：

最大时间差为：

而其次，功率管还存在开通和关断延时，如下图所示。

图3SPPNC3驱动延时所以，功率管驱动开通和关断延时标准偏差为：

开通和关断延时最大偏差：

所以如果仅从设计上考虑，功率管的驱动安全死区：nS+nS+nS=nS必须保证大于：nS+.5nS=.6nS以往项目的死区多设置在～nS，都比计算的安全死区时间小，根据器件专家反馈，象IR和SPPNC3这类器件，实际上取到厂家给定最大参数的概率是非常低的。模块原来死区时间设置为nS时，测量到功率管驱动死区时间如下图所示，以3V为功率管安全关断电压时，死区时间大于nS，如果以0V电压为绝对安全关断电压时，死区时间如图8所示，有nS，

图4上管导通和下管关断时死区

图5上管关断和下管导通时死区

图6上管关断和下管导通时死区以上是（Vg1为Q的驱动电压，Vg2为Q的驱动电压）