上海功成半导体科技有限公司——聚焦光储充 迈向碳中和 (上海功成半导体科技有限公司待遇怎么样)
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{本文由家电维修技术小编收集整理资料}第十一届中国电子信息博览会（CITE）将于年4月7-9日*深圳会展中心（福田），以“创新引领协同发展”为主题，在平方米展示面积打造全产业链科技应用场景，硬科技同台“飙技”，掀起一场信息产业的新浪潮！届时，上海功成半导体科技有限公司将在1号馆1C展位亮相。
第十一届中国电子信息博览会（CITE）将于年4月7-9日*深圳会展中心（福田），以“创新引领协同发展”为主题，在平方米展示面积打造全产业链科技应用场景，硬科技同台“飙技”，掀起一场信息产业的新浪潮！届时，上海功成半导体科技有限公司将在1号馆1C展位亮相。上海功成半导体科技有限公司（CoolSemi）成立于年5月，总部位于上海，在无锡、深圳、成都等地设立分公司。功成半导体以市场需求为导向，技术创新驱动，致力于半导体功率器件的研发与产业化，为客户提供高效可靠的产品。主要从事低压*栅SGT、高压超结SJ、沟槽栅场截止型IGBT、SiCSBD、SiCMOSFET、GaNHEMT、功率模块IPM、功率IC的设计和研发。展品1展品名称：SJMOSFET展品类别：功率器件展品特点：SJMOSFET（SuperJunctionMOSFET）超结功率器件采用N型和P型周期排列结型耐压层，突破了传统硅基MOS器件的理论极限，相对于传统平面VDMOS器件Rdson*A-BV的2.5次方关系，SJMOSFET的导通电阻与击穿电压达到近似线性的关系。因此SJMOSFET的导通电阻RDS(on)、栅极容值和输出电荷以及管芯尺寸同时得到明显降低，成为高压开关转换器领域的高效率典型功率器件。CoolSemi的高压SJMOSFET，在全球领先的华虹宏力Deep-Trench工艺平台上，采用专利器件结构及特色工艺，开发出了覆盖V~V电压平台和mΩ~mΩ导通电阻的G1、G2、G3、G4、G5系列产品。凭借针对开关速度、反向恢复时间、开关损耗、EMI兼容性、高可靠性的独特优化设计，产品不仅在充电桩、工业电源、5G通讯、光伏、新能源车载充电机等工业和车载产品上大量使用，也在TV电源、适配器、PD快充、LED照明、显示器等消费领域广泛应用。典型应用产品：充电桩、工业电源、5G通讯、光伏、新能源车载充电机等工业和车载产品上大量使用，也在TV电源、适配器、PD快充、LED照明、显示器等消费领域展品2展品名称：IGBT展品类别：功率器件展品特点：IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor）绝缘栅双极晶体管，是在普通VDMOS基础上，晶圆背面增加了P+注入，利用电导调制效应在漂移区增加载流子数量，从而大幅度降低器件的导通电阻和芯片面积。IGBT器件电流密度高且功耗低，能够显著提高能效、降低散热需求，适用于高电压、大电流等大功率场景。Coolsemi的IGBT采用目前业内最新的trenchFS工艺，依托于国内成熟且工艺领先的8寸/寸晶圆生产线，拥有更低的导通压降和开关损耗，以及更强的可靠性。目前功成IGBT产品根据应用场景的不同，拥有F、S、D、L等系列，覆盖了V~V以及5A~A的功率范围，广泛应用于通用逆变器、光伏逆变器、UPS、感应加热设备、大型家电、电*、开关电源以及汽车电子等领域。典型应用产品：通用逆变器、光伏逆变器、UPS、感应加热设备、大型家电、电*、开关电源以及汽车电子等领域。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用*、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。推荐阅读：春回大地相约鹏城，CITE向您发出邀请知名半导体芯片制造企业——扬州晶新微电子参展CITE【汽车创新三大驱动力】系列之二：如何应对车轮上的数据中心测试挑战攀升？怎么维修微带滤波器的损耗问题？如何实现更小巧、更智能、更可靠的电源管理
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第十一届中国电子信息博览会（CITE）将于年4月7-9日*深圳会展中心（福田），以“创新引领协同发展”为主题，在平方米展示面积打造全产业链科技应用场景，硬科技同台“飙技”，掀起一场信息产业的新浪潮！届时，上海功成半导体科技有限公司将在1号馆1C展位亮相。上海功成半导体科技有限公司（CoolSemi）成立于年5月，总部位于上海，在无锡、深圳、成都等地设立分公司。功成半导体以市场需求为导向，技术创新驱动，致力于半导体功率器件的研发与产业化，为客户提供高效可靠的产品。主要从事低压*栅SGT、高压超结SJ、沟槽栅场截止型IGBT、SiCSBD、SiCMOSFET、GaNHEMT、功率模块IPM、功率IC的设计和研发。展品1展品名称：SJMOSFET展品类别：功率器件展品特点：SJMOSFET（SuperJunctionMOSFET）超结功率器件采用N型和P型周期排列结型耐压层，突破了传统硅基MOS器件的理论极限，相对于传统平面VDMOS器件Rdson*A-BV的2.5次方关系，SJMOSFET的导通电阻与击穿电压达到近似线性的关系。因此SJMOSFET的导通电阻RDS(on)、栅极容值和输出电荷以及管芯尺寸同时得到明显降低，成为高压开关转换器领域的高效率典型功率器件。CoolSemi的高压SJMOSFET，在全球领先的华虹宏力Deep-Trench工艺平台上，采用专利器件结构及特色工艺，开发出了覆盖V~V电压平台和mΩ~mΩ导通电阻的G1、G2、G3、G4、G5系列产品。凭借针对开关速度、反向恢复时间、开关损耗、EMI兼容性、高可靠性的独特优化设计，产品不仅在充电桩、工业电源、5G通讯、光伏、新能源车载充电机等工业和车载产品上大量使用，也在TV电源、适配器、PD快充、LED照明、显示器等消费领域广泛应用。典型应用产品：充电桩、工业电源、5G通讯、光伏、新能源车载充电机等工业和车载产品上大量使用，也在TV电源、适配器、PD快充、LED照明、显示器等消费领域展品2展品名称：IGBT展品类别：功率器件展品特点：IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor）绝缘栅双极晶体管，是在普通VDMOS基础上，晶圆背面增加了P+注入，利用电导调制效应在漂移区增加载流子数量，从而大幅度降低器件的导通电阻和芯片面积。IGBT器件电流密度高且功耗低，能够显著提高能效、降低散热需求，适用于高电压、大电流等大功率场景。Coolsemi的IGBT采用目前业内最新的trenchFS工艺，依托于国内成熟且工艺领先的8寸/寸晶圆生产线，拥有更低的导通压降和开关损耗，以及更强的可靠性。目前功成IGBT产品根据应用场景的不同，拥有F、S、D、L等系列，覆盖了V~V以及5A~A的功率范围，广泛应用于通用逆变器、光伏逆变器、UPS、感应加热设备、大型家电、电*、开关电源以及汽车电子等领域。典型应用产品：通用逆变器、光伏逆变器、UPS、感应加热设备、大型家电、电*、开关电源以及汽车电子等领域。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用*、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。推荐阅读：春回大地相约鹏城，CITE向您发出邀请知名半导体芯片制造企业——扬州晶新微电子参展CITE【汽车创新三大驱动力】系列之二：如何应对车轮上的数据中心测试挑战攀升？怎么维修微带滤波器的损耗问题？如何实现更小巧、更智能、更可靠的电源管理 
