开关电源组件的设计考虑因素 (开关电源组成框图及各部分功能)
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在给定开关频率下,低电感提供大纹波电流并产生大输出纹波电压。大纹波电流也会增加MOSFETRMS电流和传导损耗。另一方面,高电感意味着电感尺寸大,电感DCR和传导损耗也可能较高。通常,在选择电感时,会选择超过最大直流电流比的%~%峰峰值纹波电流。电感供应商通常指定DCR、RMS(加热)电流和饱和电流额定值。在供应商的最大额定值内设计电感的最大直流电流和峰值电流非常重要。功率MOSFET选择为降压转换器选择MOSFET时,首先确保其最大VDS额定值高于具有足够裕量的电源VIN(MAX)。但是,不要选择额定电压过高的FET。例如,对于VIN(MAX)电源,额定值为V或V的FET非常适合。额定值为V的FET的电压过高,因为FET的导通电阻通常随额定电压的增加而增加。接下来,FET的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷QG(或QGD)是两个最重要的参数。通常需要在栅极电荷QG和导通电阻RDS(ON)之间进行取舍。一般而言,硅芯片尺寸小的FET具有低QG、高导通电阻RDS(ON),而硅芯片尺寸大的FET具有低RDS(ON)和大QG。在降压转换器中,顶部MOSFETQ1同时吸收了传导损耗和交流开关损耗。Q1通常需要低QGFET,特别是在具有低输出电压和小占空比的应用中。低压侧同步FETQ2的交流损耗较小,因为它通常在VDS电压接近零时导通或关断。在这种情况下,对于同步FETQ2,低RDS(ON)比QG更重要。如果单个FET无法处理总功率,则可并联使用多个MOSFET。输入和输出电容选择首先,应选择具有足够电压降额的电容。降压转换器的输入电容具有脉动开关电流和大纹波电流。因此,应选择具有足够RMS纹波电流额定值的输入电容以确保使用寿命。铝电解电容和低ESR陶瓷电容通常在输入端并联使用。输出电容不仅决定输出电压纹波,而且决定负载瞬态性能。输出电压纹波可以通过公式()计算。对于高性能应用,要尽量减少输出纹波电压并优化负载瞬态响应,ESR和总电容都很重要。通常,低ESR钽电容、低ESR聚合物电容和多层陶瓷电容(MLCC)都是不错的选择。关闭反馈调节环路开关模式电源还有一个重要的设计阶段——通过负反馈控制方案关闭调节环路。这项任务通常比使用LR或LDO更具有挑战性。它需要充分了解环路行为和补偿设计,通过稳定环路来优化动态性能。降压转换器的小信号模型如前所述,开关转换器随开关开启或关闭状态改变工作模式。它是一个分立式非线性*。要使用线性控制方法来分析反馈环路,需要进行线性小信号建模[1][3]。由于输出L-C滤波器,占空比D至输出VO的线性小信号转换函数实际上是一个具有两个极点和一个零点的二阶*,如公式()所示。在输出电感和电容的谐振频率处有两个极点。有一个由输出电容和电容ESR决定的零点。