开关模式电源基础知识 (开关模式电源内部结构图片)
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图8.降压转换器*作模式和典型波形其中TON是开关周期TS内的导通时间间隔。如果TON/TS之比定义为占空比D,则输出电压VO为:当滤波器电感L和输出电容CO的值足够高时,输出电压VO为只有1mV纹波的直流电压。在这种情况下,对于V输入降压电源,从概念上讲,.5%的占空比提供3.3V输出电压。除了上面的平均法,还有一种方式可推导出占空比公式。理想电感在稳态下不可能有直流电压。因此,必须在开关周期内保持电感的伏秒平衡。根据图8中的电感电压波形,伏秒平衡需要:因此,VO=VIN•D(5)公式(5)与公式(3)相同。这个伏秒平衡法也可用于其他DC/DC拓扑,以推导出占空比与VIN和VO的关系式。降压转换器中的功率损耗直流传导损耗采用理想组件(导通状态下零压降和零开关损耗)时,理想降压转换器的效率为%。而实际上,功耗始终与每个功率元件相关联。SMPS中有两种类型的损耗:直流传导损耗和交流开关损耗。降压转换器的传导损耗主要来自于晶体管Q1、二极管D1和电感L在传导电流时产生的压降。为了简化讨论,在下面的传导损耗计算中忽略电感电流的交流纹波。如果MOSFET用作功率晶体管,MOSFET的传导损耗等于IO2•RDS(ON)•D,其中RDS(ON)是MOSFETQ1的导通电阻。二极管的传导功率损耗等于IO•VD•(1–D),其中VD是二极管D1的正向压降。电感的传导损耗等于IO2•RDCR,其中RDCR是电感绕组的铜电阻。因此,降压转换器的传导损耗约为:例如,V输入、3.3V/AMAX输出降压电源可使用以下元件:MOSFETRDS(ON)=mΩ,电感RDCR=2mΩ,二极管正向电压VD=0.5V。因此,满负载下的传导损耗为:如果只考虑传导损耗,转换器效率为:上述分析显示,续流二极管的功率损耗为3.W,远高于MOSFETQ1和电感L的传导损耗。为进一步提高效率,ADI公司建议可将二极管D1替换为MOSFETQ2,如图9所示。该转换器称为同步降压转换器。Q2的栅极需要对Q1栅极进行信号互补,即Q2仅在Q1关断时导通。同步降压转换器的传导损耗为:图9.同步降压转换器及其晶体管栅极信号如果mΩRDS(ON)MOSFET也用于Q2,同步降压转换器的传导损耗和效率为:上面的示例显示,同步降压转换器比传统降压转换器更高效,特别适用于占空比小、二极管D1的传导时间长的低输出电压应用。交流开关损耗除直流传导损耗外,还有因使用不理想功率元件导致的其他交流/开关相关功率损耗:1.MOSFET开关损耗。真实的晶体管需要时间来导通或关断。因此,在导通和关断瞬变过程中存在电压和电流重叠,从而产生交流开关损耗。图显示同步降压转换器中MOSFETQ1的典型开关波形。顶部FETQ1的寄生电容CGD的充电和放电及电荷QGD决定大部分Q1开关时间和相关损耗。在同步降压转换器中,底部FETQ2开关损耗很小,因为Q2总是在体二极管传导后导通,在体二极管传导前关断,而体二极管上的压降很低。但是,Q2的体二极管反向恢复电荷也可能增加顶部FETQ1的开关损耗,并产生开关电压响铃和EMI噪声。公式()显示,控制FETQ1开关损耗与转换器开关频率fS成正比。精确计算Q1的能量损耗EON和EOFF并不简单,具体可参见MOSFET供应商的应用笔记。图.降压转换器中顶部FETQ1的典型开关波形和损耗2.电感铁损PSW_CORE。真实的电感也有与开关频率相关的交流损耗。电感交流损耗主要来自磁芯损耗。在高频SMPS中,磁芯材料可能是铁粉芯或铁氧体。一般而言,铁粉芯微饱和,但铁损高,而铁氧体材料剧烈饱和,但铁损低。铁氧体是一种类似陶瓷的铁磁材料,其晶体结构由氧化铁与锰或氧化锌的混合物组成。铁损的主要原因是磁滞损耗。磁芯或电感制造商通常为电源设计人员提供铁损数据,以估计交流电感损耗。3.其他交流相关损耗。其他交流相关损耗包括栅极驱动器损耗PSW_GATE(等于VDRV•QG•fS)和死区时间(顶部FETQ1和底部FETQ2均关断时)体二极管传导损耗(等于(ΔTON+ΔTOFF)•VD(Q2)•fS)。总而言之,开关相关损耗包括:通常,计算开关相关损耗并不简单。开关相关损耗与开关频率fS成正比。在VIN、3.3VO/AMAX同步降压转换器中,kHz–kHz开关频率下的交流损耗约导致2%至5%的效率损失。因此,满负载下的总效率约为%,比LR或LDO电源要好得多。可以减少将近倍的热量或尺寸。[未完待续]参考资料[1]V.Vorperian,标签: 开关模式电源内部结构图片
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