迈入3D新时代，浦科特M9PeG 1TB测评 (迈入新时代有何使命和意义)

正如M7V开创TLC时代一样，M9Pe对于浦科特的意义同样重大，它的问世终于将3D闪存带入浦科特大家族。在浦科特强大制造能力的推动下，无论是AIC插卡、M.2各种规格都将有适合不一样人群的选择。　　浦科特M9Pe依然有AIC、M.2带散热片以及M.2普通三种版本，散热片的外观规划沿用了曾获德国iF规划奖的流线造型。本次我们带来的是浦科特M9PeG1TB测评文章！

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　　M9PeG的小型散热片能够在散热效能与空间兼容性取得平衡，部分笔记本电脑也能它来取得更强的散热效果。在散热片之下有导热贴与主控、颗粒接触传导热量。之前PCEVA对M8SeG的测验已经充分证明了该种散热片的确切效果。

　　SSD背后贴纸显示固件版本1.，测评开始前我们收到浦科特的1.版本固件并成功更新。主控是NVMe固态硬盘中的发热大户，浦科特M9PeG运用的MarvellSS用了较为先进的nm工艺制造，有助于降低发热改善性能。主控内置三个ARMCortex-R5处理器，内建LDPC纠错引擎，支持8个闪存通道，能够搭配从nm2DMLC到3DTLC在内的各类闪存。

　　与强劲Marvell主控搭档的是来自Toshiba的THTFT1TBAEF闪存颗粒，共有4颗BiCS层3DTLC闪存，浦科特M9PeG1TB当中每颗闪存内封装有8个Die，每个DieGB。每个BGA封装的闪存容量为GB并引出2通道，因而能够在紧凑的M.2板型上兼顾容量与性能。

　　虽然无外置缓存方案正在慢慢兴起，但对于高性能固态硬盘来说，充足的外置缓存依然是非常必要的。浦科特M9PeG1TB配备有来自三星的K4E8EEB-EGCFLPDDRMhz缓存，容量1GB。测验平台　　处理器：IntelCorei7[emailprotected]/**/（所有处理器节能特点关闭）　　主板：华硕ROGSTRIXZFGaming　　内存：影驰GamerIIDDRGB*2　　硬盘：金士顿HyperXFuryG（*盘）　　浦科特M9PeYGB（FW：1.）　　*：WinPro,　　驱动：*默认stornvme　　由于浦科特暂时没有推出专用NVMe驱动，以下所有测验中均运用微软默认stornvme，并关闭写入缓冲区刷新尽可能减少影响。基准测验　　基准测验1：CDM1GB，ATTO1GB和ASSSDGB测验

　　1GB范围测验查看最大读写速率接近官标的MB/s读取和MB/s写入。

　　ASSSD测验范围设置到GB后性能表现毫不逊色。　　基准测验2：PCMark7测验

　　PCMARK7基准跑分，RAW跑分，拥有当今旗舰SSD的水准。　　基准测验3：PCMark8测验

　　浦科特在微软默认驱动下PCMARK8基准跑分，成绩非常出色，属于当前PCIe系列SSD*性能，同时超越了过去浦科特M8Se与M8Pe的表现。　　基准测验3：SLCCache验证　　运用HDTune文件基准测验，浦科特M9PeG1T的SLC容量在GB出头，缓存外连续写入速度接近1GB/s。与此相对应的是上代M8Se1T的SLC容量仅为3.7GB左右，缓存外连续写入速度约MB/s。升级3D闪存后带来的效能提升显著。

　　基准测验4：温度测验　　测验环境室温摄氏度，被动散热条件下浦科特M9PeYG闲置状态连续分钟以上，SMART报告温度度。

　　*成像仪实际测验显示，最热点出现在主控上方散热片位置，大约有度。M9Pe和M8Se一样，测温点不在主控内部，而是更靠近闪存颗粒，所以报告温度与盘体最高温度会有一些不一样。实际限速控温依据的是传感器提供的温度，也就是SSD报告的温度，限温大约为度。

　　由于FLIRONE的透视与可见光采集运用*的*头，合成后的热成像图像与实际物*置会有一点点偏移。连续填盘写入5分钟，M9Pe报告温度从闲置待机的度上升至度。

　　继续写入至分钟，报告温度达到度，距离限温点还有一点点距离。

　　在终止写入、回到闲置状态后，M9PeG1T的报告温度可在3分钟内由度下降至度。

　　接下来去掉散热片重复以上测验，闲置待机状态下报告温度为度（接近闪存颗粒的温度，与实测.9度基本一致），实际测量显示主控温度已经达到.3度。

　　满载写入测验分钟图后，拆掉散热片的M9PeG1T主控温度达到度，闪存颗粒附近测温点大约度。

　　对比来看，浦科特M9PeG自带的散热片作用比较显著。

进阶测验　　进阶测验项目1：4KBQD随机写入离散度测验，时间秒。

　　无文件*下运用IOMeter进行KQD连续写入半小时，空闲分钟后改用4KQD随机写入秒并每秒记录。浦科特M9Pe在稳定态下的离散度控制较好，最低在IOPS附近，保证了在SLCCache和TLC垃圾回收释放时不会出现卡慢现象。　　进阶测验项目2：QD1下，不一样读写块下的连续和随机传输率

　　随机读取上，M9Pe由于是采用3DTLC闪存，延迟比M8Pe的2DMLC缓存稍高，所以小块数据败下阵来，当数据块大于KB后，性能追上，SLCCache的爆发力显现。随机写入上，M9Pe的SLCcache让小文件块表现非常抢眼，KB时基本到达稳定写入满载速度MB/s（3DTLC闪存瓶颈），而采用MLC闪存的2款SSD不受此影响。　　连续读取方面M9Pe和M8Pe的策略相同，这里性能受限于闪存实际性能，而RD采用**作，连续读取性能翻倍但是会直接影响了小文件随机读的表现，连续写入方面和随机写入表现接近，M9Pe满载速度MB/s成为了文件块增大后的瓶颈。　　进阶测验项目3：QD1下，不一样读写块下的连续读/写混合传输率

　　连续混合读写表现上，M9Pe小文件表现比M8Pe强，KB-KB区间出现SLCCache和TLC闪存适配的优化断层导致性能较弱，再大点的文件读取上M9Pe占优，写入则受限于TLC闪存影响。　　进阶测验项目4：QD1下，不一样读写块下的随机读/写混合传输率

　　随机混合读写表现上，M9Pe小文件表现比M8Pe弱，文件增大后读取占比高的话性能就强。　　进阶测验项目5：QD1下，不一样读写块下的连续读/写混合稳定态传输率

　　稳定态下M9Pe连续小文件偏重读取的地方不如M8Pe，写入部分则由于SLCCache优化表现更佳。　　进阶测验项目6：QD1下，不一样读写块下的随机读/写混合稳定态传输率

　　稳定态下随机混合读写非常考验固件垃圾回收效率，SLCCache的读取优化基本无法发挥导致M9Pe小文件读取受限于3DTLC闪存延迟高而偏弱，所以M9Pe只有在偏重写入的地方占优优势，总体来说强于上一代M8Pe没有任何悬念。总结：　　从PCEVAStorageScore可以清楚的看到浦科特M9Pe明确地处于旗舰级位置，3D闪存接替2DMLC在一些玩家心中可能还有所抵触，不过综合性能提升以及成本考量，M9Pe做出了正确的选择。

　　浦科特M9Pe系列和上一代旗舰M8Pe都提供5年保修，这次的主要改变是首次在旗舰产品上采用原装ToshibaBICS层3DTLC闪存，在保证了耐久度的同时，通过独家研究的固件算法发挥出SLCCache的爆发力，增强家用环境游戏体验的同时，合理适配了SLCCache往TLC闪存缓存释放时的性能损失。