3D TLC和MLC闪存比起来哪个好？ (闪存类型mlc和tlc那个好)

很多人痛恨TLC，但并不十分拒绝3D闪存，虽然大多数3D闪存实际也是TLC的，这一点可能很多人意想不到。

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　　不过很快大家就不用纠结了，因为MLC时代就要结束了，下代旗舰产品也将由3DTLC主打。下图是ForwardInsight在年底时预测的闪存类型未来发展趋势，现在看来MLC被TLC取代的速度要比估计中要快很多，家用固态硬盘当中几乎已经看不到MLC闪存的身影了。

　　3D闪存是将原有平面闪存在二维空间排列改为纵向多层堆叠，像盖高楼一样提升单位面积硅晶片所能容纳的数据量，目标就是——提升容量，降低成本。

　　Toshiba即将出货的第三代BiCS闪存单Die容量将达到Gb，单个封装的闪存颗粒就能实现1TB容量，而现在2D闪存要做到1TB容量普遍需要PCB正反面贴满颗闪存颗粒才行。

　　3DTLC闪存比现有平面TLC闪存略高一些，基本可以做到接近MLC的水平。

　　不过3DTLC和普通平面TLC一样都是需要加强型的LDPC纠错来补偿提升，才能达到MLC闪存只需简单BCH纠错就能达到的耐久度水平。

　　性能方面，3DTLC比平面TLC有所提升，但总体是不如MLC闪存的写入速度，总体的性能提升更多是靠NVMe协议的帮助。

　　不过发热量大是NVMe固态硬盘的一大硬伤，现在来看短期内也没有完美搞定的方式。其实SATA接口中也有十分高效的型号，例如ToshibaQEX，它是当前少数几个仅存的原厂MLC闪存固态硬盘，却和TLC固态硬盘保持了相同的价位。　　很多人认为只有PCIe固态硬盘才有可能在PCMark8储存性能测验当中拿到分以上，而ToshibaQ却依靠Toshiba独有的主控与原厂nmMLC闪存斩获分，和同容量的IntelpNVMe固态硬盘持平。而论连续写入性能，p在用光SLC缓存之后远不及ToshibaQ。

　　耐久度方面，Q也保持了MLC闪存的天生优势，在TLC闪存普遍需要LDPC纠错才能维持能看的耐久度时，Q运用的Toshiba原厂MLC闪存拥有PE以上RAW耐久，同时Q还是MLC闪存固态硬盘当中少有的使用LDPC纠错码的型号。

　　Toshiba的QSBC纠错是在LDPC纠错基础上增强而来，能取得8倍于传统BCH纠错的效果。不想等MLC彻底消失的话，现在入手Q应该是最后的机会。