基于ReRAM技术的SSD要来了,超快读写速度、超高密度 (rem实现原理和计算方案)
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ReRAM其实就是一种忆阻器模型,是一种能够描述电荷和磁通之间关系的全新元件,也是一种具有记忆功能的非线性电阻,不仅可以记忆流经自身的电荷数量,也可以通过控制激励源的电流或者磁通来改变自身的阻值大小,并且这种阻值变化可以在断电下继续保存相当长的一段时间。 单一忆阻器其实就是一个长条形的器件,拥有三层结构,包含有上下电极和中间的开关层,通过电极施加不一样的电压值就能改变中间的特殊结构的电阻值,从而达到储存数据功能(电阻值代表0/1或者是更多位数据)。其稳定性非常好,具备了普通闪存颗粒不具备的超宽温度耐受值,--℃。一百万次读写周期后,在℃下数据可以保持年不消失。 而且这种长条形结构可以很容易地组建成大规模阵列,简单的结构使得储存容量、密度远超现有的闪存技术,轻松实现TB储存颗粒。 这玩意结构是不是超像intel的3DXPoint? 另外由于其结构简单,它的主控开发也变得异常简单,现有的Mobiveil'sNVMe、PCIe、DDR3/4主控可以很好地适应ReRAM架构。 不过Mobiveil、Cros*ar表示ReRAMSSD并不是要革现有SSD的名,因为它至少短期内不是民用消费级,而是面向商业使用方案,因为现在来看ReRAMSSD虽然性能指标一流,但制作成本非常高,甚至比NV-DIMMM更为昂贵,就像是Intel的傲腾都是在亏本在卖。 所以Mobiveil与Cros*ar将ReRAM的销售方向、潜在客户都与Intel3DXPoint闪存硬盘Optane相同,并在积极开发能够平衡*与性能的产品,带动公司的继续发展。