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满足电子化需求的汽车应用解决方案 (电子化服务的实现是什么)

编辑:rootadmin
{本文由家电维修技术小编收集整理资料}随着汽车朝向电子化发展,无论是传统燃油车还是混合/纯电动车,都使用越来越多的电子零部件,使得汽车应用市场蓬勃发展,也为电子产业带来庞大的商机。本文将为您简介汽车应用市场的发展,以及由Nexperia所推出的解决方案。

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满足电子化需求的汽车应用解决方案 (电子化服务的实现是什么)

汽车电子市场快速发展商机庞大汽车应用除了朝向电动化发展之外,就算是燃油车也逐步增加越来越多的安全、照明、娱乐设备,采用越来越多的电子*,常见的汽车电子应用包括ADAS雷达传感器模块、安全气囊*、防死锁制动*、自动HVACBLDC电机、*风扇、电子燃油*、电动助力转向、自适应LED前照灯、车载充电器(On-BoardCharger,OBC)、车载网络(CAN/LIN/FlexRay)、多媒体/信息娱乐*、触摸屏幕、*机、LED照明、DC/DC转换器等,所需的电子产品与市场商机相当庞大。此外,当今世界对汽车要求必须更加节能高效,全球各国政府均强制规定降低汽车的二氧化碳排放量,以应对气候变化和保护资源。因此,核心之处在于动力传动*——不论是燃烧式动力还是混合动力或全电动*,而动力*、底盘、安全、照明和车身电子设备方面的创新技术和*,也有助于提升车辆的整体效能,以减少燃油消耗、二氧化碳排放量并降低成本。当今的汽车正在经历着重大变革,车厂与汽车零部件制造商都必须提升产品的效率与效能,才能因应市场需求的变化。Nexperia公司生产的产品相当多样,包括双极晶体管、二极管、静电放电保护(ESD)、瞬态电压抑制二极管(TVS)、金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)和逻辑器件等,针对汽车产业应用,Nexperia始终如一地提供具有优异功能和出色性能的产品,并采用适当的封装,从而帮助用户在竞争激烈的市场中通过“提升效率”致胜。Nexperia为汽车产业提供各种专用分立器件、MOSFET器件和逻辑器件,产品完全符合AEC-Q/Q标准,配合传统动力*、底盘和车身电子设备,Nexperia的创新解决方案支持各种新型*设计,兼容未来设计方案,从监听汽车安全*到电动车充电器,应用十分广泛,以专用的制造和供应链为基础,生产节能高效且设计简洁的产品,并能够满足长期批量供货需求。以下将为您重点介绍Nexperia几款重点产品供您参考。

满足汽车以太网规范的ESD保护器件为了在汽车连接和电气化方面迈出下一步,需要高速和高带宽的汽车以太网,众多行业领导者在OPENAllianceSIG内开展合作,以鼓励汽车采用以太网,关键目标是实现现有IEEEBASE-T1/BASE-T1物理层规范的部署,并补充符合性和互*作性的规范,但随着更先进的电气设计,分立式ESD保护则变得越来越重要。Nexperia针对汽车以太网ESD保护器件推出多款产品组合,这些器件均符合AEC-Q标准,并且符合IEEEOPENAllianceBASE-T1和BASE-T1标准的ESD保护器件,旨在保护两条总线线路免受ESD和其他瞬变造成的损坏。以Nexperia推出的PESD2ETH1GXT-Q、PESD1ETH1GLS-Q和PESD1ETH1GXLS-Q为例,这三款器件是基于硅的,与压敏电阻等替代ESD保护解决方案相比,具有多项优势,可提供更高的可靠性,改进的1pF(最大值)二极管电容,可确保更好的信号完整性。由于这些ESD保护器件完全符合IEEEOPENAlliance的BASE-T1和BASE-T1测试规范,这意味着客户无需进行自己的认证。在测试条件下,它们的性能优于AEC-Q认证标准2倍,因此客户可以放心满足最高的汽车质量要求,并提供最高程度的可靠性。与其他竞争产品相比,这三款ESD保护器件结合了硅技术和回弹特性,降低了钳位电压和剩余电流,并可选择最小的有铅(SOT)和无铅(DFNBD-2/SODBD)封装,以提供最大的设计灵活性,无铅封装具有可润湿边侧面,可实现自动光学检测(AOI),从而提高装配良率。

氮化镓场效应晶体管具有高功率转换效率汽车的电气化发展使得高功率要求日益增长,也都需要提升功率转换效率,降低功率损耗是行业面临的一大挑战,而氮化镓(GaN)则有望成为主流技术。与硅(Si)和碳化硅(SiC)解决方案相比,氮化镓技术展现了更好的性能优势。具体而言,GaN场效应晶体管(FET)可以较低的*成本提供最好的效率,同时使*更轻、更小、温度更低。性能更好的GaN功率晶体管可适用于更高的功率,可符合电动汽车的车规要求。Nexperia推出了多款GaNFET器件,采用下一代高压GaNHEMTH2技术,以及TO-和Nexperia专有的CCPAK表面贴装封装,器件实现了卓越的开关品质因数(FOM)和通态性能,并提高了稳定性、简化了应用设计,这要归功于它们的级联配置,无需复杂的驱动器和控制。新的GaN技术采用了外延通孔,可减少*并将芯片尺寸缩小约%。在传统TO-的初始版本中,具有高阈值电压和低二极管正向电压的RDS(on),也降低到仅mΩ(最大值,mΩ典型值,在℃时)。对于CCPAK表面贴装版本,该降低程度将进一步增加至mΩ(最大值,典型值为mΩ,在℃时)。由于这些部件配置为级联器件,因此使用标准SiMOSFET驱动器也很容易驱动它们,两个版本均满足AEC-Q对汽车应用的要求。Nexperia继续投资开发和扩展其使用下一代GaN工艺的产品系列,最初为功率模块制造商发布传统的TO-版本和裸片格式,然后推出高性能表面贴装CCPAK封装。Nexperia的CCPAK表面贴装封装采用Nexperia久经考验的创新铜夹封装技术来替代内部键合线,可以减少寄生损耗,优化电气和热性能,并提高可靠性。CCPAKGaNFET可用于顶部或底部*配置,使其用途广泛并有助于进一步改善散热。Nexperia推出的GaNFET器件,包括TO-封装的VGAN-WSB和CCPAK封装的GAN-NBB,是高效、经济的解决方案,可用于V和约-mΩRDS(on)的高功率转换,其中应用包括车载充电器、电动汽车中的DC/DC转换器和牵引逆变器。

采用新封装技术的肖特基整流二极管肖特基二极管是一种导通电压降较低、允许高速切换的二极管,是利用肖特基能障特性而产生的电子器件,一般的二极管在电流流过时,会产生约0.7-1.7V的电压降,不过肖特基二极管的电压降只有0.-0.V,因此可以提升*的效率,并产生整流的效果。为了提升肖特基整流器的性能,Nexperia推出采用铜夹片粘合FlatPower(ClipBondFlatPower,CFP)封装的沟槽肖特基整流器,可满足高效和节省空间设计的挑战性需求。采用CFP封装的肖特基整流器结合了低反向电流、低正向电压和最低Qrr,可在高环境温度下实现最佳效率。Nexperia提供多款具有高功率能力的CFP封装选项,是SMA封装的真正替代品,具有更好的热性能,占用空间更小,相当适合汽车应用。在现代汽车架构中,电子控制单元(ECU)的数量正逐渐减少,只剩下负责前桥、后桥和车身控制的高性能、功能丰富的ECU。因此,此类单元的二极管器件密度大幅度提高,而为了实现这些更高密度的设计,制造商越来越依赖于现代多层PCB。与使用SMA封装的二极管器件相比,采用这些多层PCB的垂直散热设计,让设计人员可通过CFP2-HP节省高达%的电路板空间,同时保持同一水平的电气性能。这种耐用的封装设计可延长二极管器件的运行时间,并提高板级可靠性,同时新型引线形状可改善自动光学检测(AOI)性能。Nexperia日前推出适用于电力应用的多款整流二极管,其采用新型CFP2-HP封装,可提供标准版和AECQ-版,其中包括V、V和V沟槽肖特基整流二极管(带1A和2A选项),例如PMEGTELXD-Q就是一款V、2A的沟槽肖特基整流二极管。针对要求超快速恢复的应用,Nexperia还在产品组合中增加了V、1A的PNEEXD-Q整流二极管。结语汽车电子应用市场正呈现蓬勃发展的趋势,采用质量稳定、效率高、符合产业规范的电子器件,将是开发汽车电子相关产品的重要关键。Nexperia拥有相当多样且完整的汽车电子ESD保护器件、功率转换器件与整流器等产品线,能够满足客户多样化的开发需求,值得您进一步了解与采用。

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