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用数字万用表判测半导体器件 (用数字万用表判断7805好坏)

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用数字万用表对器件作定性测量,可以满足维修和器件代换之要求。本文介绍使用“滨江DT型数字万用表,置于“二极管”测量挡。测试条件:电压3V,电流1mA。1.三极管的测量

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用数字万用表判测半导体器件 (用数字万用表判断7805好坏)

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首先判断三极管的类型和极型。以CS管为例,如图1所示,第一步找出基极。任选两引脚为假定的b、e极,分别接红、黑两表笔。只有红表棒接假定基极时,测量显示的Ube或Ubc为PN结正向导通压降唯管0.7v,锗管O.2V左右),而反向显示为“1”(本文所说显示为“1”,表示所测电压超过1.V,以下同),同时在测试中注意比较正向测量电压值。由于Ubc<Ube,所以,二次测量中,电压值较大的为b、e极,另一个引脚即为c极。本例中Ube=0.VUbe=0.V。找出极型、分清管脚之后,将三极管*万用表的hEF插座中,直接读出直流β值。在测量中,若黑表笔接假定基极时。测量显示正向导通电压,所测即为PNP型管子(如CS等)。2.发光二极管的判测由于“二极管”挡能够提供3V、lmA的电源。所以可直接测光管(LED)的正向导通压降,一般显示在2V以下。同时管子会发微光;反向显示为“1”。红色LED导通压降约为1.V,橙色LED为1.V,绿色LED为1.V。指针式万用表由于使用1.5V电池,故不能测量发光二极管。3.结型场效应管的判测如图2所示,以3DJ6E为例说明。测试的第一步是寻找漏极D和源极S。场效应管在无负栅压时,处在导通状态.且导通电阻很小,同时Uds也很小,一般在1V以下,而栅极对漏极、源极又相当于一个反接的二极管,所以Usg或Udg<0.7V。因此在测量中,正反接电压值较小的即为Uds或Usd,且Idss越大Uds越小。测试第二步是找出栅极G。当黑表笔接G极时。红表笔接D或S,读数均<O.7V。第三步,检测管子性能好坏。根据场效应管的工作原理,当栅极加上负压后,Uds会发生变化,所以先准备一个4.7--uF/V的电解电容,利用万用表“二极管挡”红正黑负给电容充电,等读数至“l”后,停2秒待用,然后用红表笔接D极,黑表笔接S极,显示Uds<1v。再将充电后的电解电容正极接S,而用电解电容负极去触及栅极。这是利用电解电容的电压形成Ugs,则万用表指示应会发生变化:Uds增加,甚至出“1”。由于D、S可以互换,所以颠倒表棒,测量相同。若接上电解电容后读数无变化,即说明管子已经损坏。

4.UMOS管的判断以2SKl3S8管为例,测试如图3所示,第一步找出D和S极。从结构上看,管子内部D、s极间并接有一个反向二极管,所以只有当红表笔接S极,黑表笔接D极时,数字表会显示Usd≈O.5V,而在其他任何连接状态时,显示都为“1”。测试第二步,黑表笔接S,先用红表碰一下栅极G。后再移向D极,此时显示Uds<O.5v;蜂鸣器发声。再用黑表笔碰一下栅极G,显示应又为“1”。5.单向可控硅管的判断以2P4M管为例,如图4所示。根据单向可控硅的结构特点,栅极与阴极相当于一个正向导通的二极管,所以测试的第一步是找出栅极G和阴极K。只有红表笔接G,黑表笔接K时,显示Ugk≤O.7V,其余任何连接状态都显示“1”。第二步,将黑表笔接K极,红表笔接A极,显示状态为“1”。后用红表笔保持接A,同时碰一下栅极G,显示Uak<l,为O.v。表笔再移开G极后,Uak应仍保持不变。6.对集成电路的判测以往用指针式万用表测量其集成电路各引脚电阻来判断其好坏。现用数字万用表“二极管”挡来测量各引脚间的正反向电压值来判断其好坏。LMT为例(参照图5)。注意所测电压即为红表笔对黑表笔的电压,例如Uio表示红表笔接输入(IN)端,黑表笔接输出“(OUT)时的测量值。表1给出了三端稳压器LMT、和TL的测量值。如果测量中偏差太大,可能是集成电路已损坏。通过对数百支TL的实际测量,发现其电压偏差均<0.V。因此通过对集成电路各引脚电压值的测量,也可近似地判断器件的好坏。

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