用数字万用表检测VMOS功率管 (用数字万用表检测场效应管的方法)

与双极型晶体管相比，vMOS功率场效应管有许多优点：(1)有高的开关速度。(2)安全工作区较宽，不会产生热点，无二次击穿现象。(3)导通电阻具有正温度系数，容易进行并联使用。(4)具有强的过载能力，短时过载能力通常为额定值的4倍。(5)具有高开启电压(即阈值电压，2—4V)，因此有较高的抗干扰能力，给电路设计带来了极大的方便。(6)具有极高的输入阻抗，所需驱动功率很小，对驱动电路要求较低。DT、DT等数字万用表，用ICL作A/D转换器，二极管挡测试电源为2．8V，能够触发VMOS管导通，可用来进行检测。1．检测N沟道VMOS管N沟道VMOS内部等效电路见图l。判别的依据是：栅极G为浮栅，与源极S和漏极D之间是绝缘的：源极S和漏极D之问有一只寄生二极管。源极S是二极管的正极，漏极D是二极管的负极：CGS、CGD、CDS为极问分布电容。

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(1)电极判别检测时先短路一下三个电极，放掉G、S结电容电荷。然后用表笔测量各电极之间电阻。若某脚与其它两脚双向都不通(显示超量程)，则该脚为栅极G，剩余的两脚为源极S和漏极D。再短路一下三个电极，放掉测试过程中G、S结电容所充电荷。然后据源极S和漏极D间寄生二极管的单向导电特性区分这两个电极：把表笔接于这两个电极测试一次，交换两表笔后再测试一次。两次测试中，一次显示超量程，另一次显示较小的电阻数值。其中显示较小电阻数值的一次、红表笔接的是源极S．黑表笔接的是漏极D。(2)好坏判别用红表笔接栅极G，黑表笔接源极S，给G、S结电容充电。然后把红表笔移到漏极D，此时管子是导通的，显示较小的数值。此时短路一下G、S极，给G、S结电容放电，则管子立即截止，显示超量程。此管即可判断为好的。2．检测P沟道VMOSP沟道vMOS内部等效电路见图2。判别的依据是：栅极G为浮栅，与源极S和漏极D之间是绝缘的；源极S和漏极D之间有一只寄生二极管，漏极D是二极管的正极，源极S是二极管的负极；CGS、CGD、CDS为极间分布电容。(1)电极判别检测时先短路一下三个电极，放掉G、S结电容电荷。然后用表笔测量各电极之间电阻，若某脚与其它两脚双向都不通(显示超量程)，则该脚为栅极G，剩余的两脚为源极S和漏极D。再短路一下三个电极，放掉测试过程中G、S结电容所充电荷。然后据源极S和漏极D间寄生二极管的单向导电特性区分出这两个电极：把表笔接于这两个电极测试一次，交换两表笔后再测试一次。两次测试中，一次显示超量程，另一次显示阻值较小的数值。其中显示阻值较小数值的一次，黑表笔接的是源极S。红表笔接的是漏极D。(2)好坏判别用黑表笔接栅极G，红表笔接源极S，给G、S结电容充电，然后把黑表笔移到漏极D，此时管子是导通的，显示较小的数值。此时再短路一下G、S极，给G、S结电容放电，则管子是截止的，显示超量程。此管即可判断为好的。