51单片机总线时序概述 (51单片机总线操作法)
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1、数据总线单片机的数据总线为P0口,P0口为双向数据通道,CPU从P0口送出和读回数据。2、*总线系列单片机的*总线为位。为了节约芯片引脚,采用P0口复用方式,除了作为数据总线外,在ALE信号时序匹配下,通过外置的数据锁存器,在总线访问前半周期从P0口送出低8位*,后半周期从P0口送出8位数据。高8位*则通过P2口送出。3、控制总线系列单片机的控制总线包括读控制信号P3.7和写控制信号P3.6等,二者分别作为总线模式下数据读和数据写的使能信号。三、单片机总线时序分析单片机总线时序如图2所示。从图2中可以看出,完成一次总线(读写)*作周期为T,P0口分时复用,在T0期间,P0口送出低8位*,在ALE的下降沿完成数据锁存,送出低8位*信号。在T1期间,P0口作为数据总线使用,送出或读入数据,数据的读写*作在读、写控制信号的低电平期间完成。需要注意的是,在控制信号(读、写信号)有效期间,P2口送出高8位*,配合数据锁存器输出的低8位*,实现位*总线,即kB范围的内的寻址。由于CPU不可能同时执行读和写*作,所以读、写信号不可能同时有效。四、常见单片机编址电路1、简单*扩展单片机的P2口可以直接作为高8位*总线使用,在一些简单*电路中,常使用P2口直接编址驱动。下面以使用数据缓冲器LS驱动数码显示为例,分析P2口编址驱动的静态数码显示电路的设计。一位LED数码显示单元电路如图3所示。WR与A8(P2.0)相或提供LS的时钟信号,当执行“MOVX@DPTR,A”指令时,*信息由DPTR寄存器确定,会出现有效的写信号WR,只有当*A8为满足“0”时,写信号才可以作为LS的时钟信号输入,完成数据锁存。P2口为A8~A的8位*线,很容易扩展到8只LED数码管,WR信号分别与A8~A按或关系连接,每位*线均为低电平有效,即可实现8个有效*。该方案电路简单,但有效*数太少,不适用于复杂*设计。2、低8位*锁存通常的设计电路是使用8D锁存器LS实现*锁存,HC与之逻辑功能相同,只是引脚布局不一样,使用HC布线更容易。LS真值表如图4所示。在输出允许OE为L、控制使能LE为H时,输出为跟随状态;OE为L、LE为L时,输出为保持状态。*锁存电路如图5所示。OE接地,LE接单片机的ALE脚将产生满足时序的低8位*信号。执行以下三条指令会得到如图6所示的时序图。MOVDPTR,#0FFH;低8位*为HMOVA,#0AAH;待发送数据0AAH→A(H取反)MOVX,@DPTR,A;A中的0AAH送*为0FFH的对象中会。从图6中可以看出,P0口先送H,在ALE下降沿实现*锁存,随后送出数据0AAH,在WR有效(低电平)期间锁存器输出低8位*H,P0口送出数据0AAH。3、带*的复杂*接口电路理论上高8位*线可以产生个有效*,如何实现*“扩展”呢?*扩展准确描述是*译码,例如3根*线可以译码成8个*,4根译码成个有效*。这里选择3-8*实现*译码,电路图以及对应的编址如表1所示。五、单片机总线编址电路实例带总线扩展接口的单片机*,包括外部kRAM扩展、LCD接口、输入输出口。带编址扩展的单片机最小*电路如图7所示。使用HC锁存低8位*;实现8个*扩展,的A、B、C接A8~A,E1接A,E2、E3接地常有效,得到0F8FFH到0FFFFH8个*(无关位用1表示)或者H到H(无关位用0表示)。kRAM接口如图8所示。D0~D7接数据总线P0口,*线A0~A接单片机*总线低位,单片机*线A接RAM片选信号,低电平有效,这样RAM*分配从H到7FFFH,与译码*不冲突。LCD接口电路如图9所示。RS、RW分别接A、A,使能信号编址为Y7,这样LCD的四个驱动*(数据读写和命令读写)为0CFFFH到0FFFFH(无关位为1)或者H到0BH(无关位为0)。有些时候单片机引脚不够用,还要进行扩展,输入口扩展电路如图所示。利用HC(LS)的高阻态功能,将其输出Q0~Q7接P0口,在满足总线*读*作中,可以把输入InPORT的数据读入单片机的累加器,*为0F8FFH或H。输出口扩展电路如图所示。利用LS数据锁存功能,在满足总线*写*作中,可以把单片机累加器里的数据写入锁存输出,*为0F8FFH或H。由于所用控制总线不同,可以和输入共用*。六、结束语总线扩展是设计单片机控制电路必须掌握的技术,大量的特殊功能IC都支持总线接口,如ADC,TLC,DDS器件AD等。总线接口的要点就是在严格的控制时序下,总线被分时复用,以实现复杂*设计。本文来自互联网收集整理,由家电维修技术小编精心转载,更多相关文章请到维修交流:汤梓红标签: 51单片机总线操作法
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