用N沟道MOSFET设计反向电压保护电路 (n沟道mosfet电流方向)
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在电路启动期间,电流将开始从电源的正极端子流向设备,然后再流向NMOS的体二极管,最后流向电源的负极端子,在此期间,体二极管将处于正向偏置导通状态。当体二极管导通后,将有电流在电路中循环流动。此时的栅源电压为:VGS=VG–VSVG=电源电压VS=二极管压降所以:VGS=VG–VS=Vbattery–二极管压降这将导致MOSFET的栅极到源极有一个正的电压降。因此NMOS将导通,电流将流向NMOS的沟道而不是体二极管,再给大家解释一下,NMOS的导通电阻很小,那么流经它的电流产生的压降也是很小,从而无法达到体二极管的导通压降,体二极管自然就关断了。2.N沟道MOSFET作为电池反向保护的基本设计要求a.栅源阈值电压要想MOSFET成功为电源提供反向保护,仅用提供偏置栅极到源极的正电压是不够的,必须满足要求的阈值要求。同样的对于低压*,最好选择栅极到源极阈值电压非常低的MOSFET。b.最大栅源电压其中最大栅源电压值不得超过规格书中的规定值。c.额定电流以下是NMOS规格书中指定的电流额定值,需要注意其测试条件是常温,当温度升高时,是达不到这么大通流能力的,所以你需要注意你的产品工作温度是多少。d.额定功率关于额定功率也是有要求的,下图给出的也是℃的值,当环境温度升高时,我么也需要进行相应降额。e.工作温度范围工作温度需要考虑环境温度和MOS管自身温升,二者叠加后不得超过规定范围值。本文家电维修技术标签: n沟道mosfet电流方向
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