光敏二极管的四大技术参数 (光敏二极管工作)

作为二极管产品中的常见类型，光敏二极管的反向直流电阻在无光照时可以达到几兆欧，有光照时则会下降到几百欧左右，光敏二极管有哪些技术参数，主要包括最高工作电压、光电流la和暗电流IB等参数。光敏二极管的技术参数1、最高工作电压最高工作电压也称为最高反向工作电压，指无光照时光敏二极管中反向电流≤0.2~0.3uA时允许的高反向电压，该电压一般为-V。2、光电流la光电流I是指在受到一定的光照及最高工作电压*过管子的反向电流，一般光电流为几十微安，与照度呈线性关系。光电流越大越好。3、暗电流IB暗电流是指在无光照且加一定反向电压时的反向漏电流与暗电流，一般在V反向电压下的暗电流小于uA。暗电流要求尽量小。光敏二极管的暗电流随温度变化而变化，如硅光敏二极管的IB值，在环境温度升高-℃时将增大倍。因此，在要求稳定性高的电路中，应考虑进行温度补偿。4、光谱响应特性不同类型的光电二极管，其光谱特性和峰值波长都不相同。

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上图中为硅光敏二极管和锗光敏二极管的光谱特性曲线。从该曲线可知，锗管的光谱范围要比硅管宽，硅光敏二极管的光谱范围为-nm，其峰值波长为-nm，其与GaAs*发光二极管的波形相匹配，可以获得较高的传输效率。锗光敏二极管的峰值波长约为A（1A=O.1nm），在采用相同的白炽灯作为光源时，其光电池比硅管的大。