半导体放电管的用法,半导体放电管的原理 (半导体放电管的制作方法)
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三、半导体放电管的主要特性参数①断态电压VRM与漏电流IRM:断态电压VRM表示半导体过压保护器不导通的最高电压,在这个电压下只有很小的漏电流IRM。②击穿电压VBR:通过规定的测试电流IR(一般为1mA)时的电压,这是表示半导体过压保护器开始导通的标志电压。③转折电压VBO与转折电流IBO:当电压升高达到转折电压VBO(对应的电流为转折电流IBO)时,半导体过压保护器完全导通,呈现很小的阻抗,两端电压VT立即下降到一个很低的数值(一般为5V左右)。④峰值脉冲电流IPP:半导体过压保护器能承受的最大脉冲电流。⑤维持电流IH:半导体过压保护器继续保持导通状态的最小电流。一旦流过它的电流小于维持电流IH,它就恢复到截止状态。⑥静态电容C:半导体过压保护器在静态时的电容值。标签: 半导体放电管的制作方法
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