一例用光敏电阻与P-MOSFET设计的光控开关电路 (试述用光敏电阻检测光的原理)
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图1:光控开关电路RG是光敏电阻,SI是一款贴片P-MOSFET,作为一个光控电子开关使用。SI的漏源电压为-V,漏极电流为-2.3A,栅极门限电压为-2.5V。选用这种门限电压高的MOSFET作为电子开关,性能要优于A这类双极型三极管构成的电子开关。图2:光敏电阻及SI图1电路在强光下,光敏电阻的阻值远小于R(1.6MΩ)的阻值,此时SI栅源两极之间的电压小于门限电压2.5V,MOSFET处于截止状态,流过负载RL的电流IRL为零。在弱光下,光敏电阻的阻值变大,其阻值可达数百KΩ以上,此时SI的栅源电压大于2.5V,管子导通,相当于开关闭合,故有电流流过负载RL,此电流的大小与RL的阻值有关。这种光控电路用途广泛,如果将RL换成小灯泡,可以构成一个光控照明灯;如果将RL换成继电器,可以用来控制功率更大的负载。标签: 试述用光敏电阻检测光的原理
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