PMDE封装的实机评估 (封装promise.all)
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BDAEFV-M评估板中的LED驱动电路(DC-DC部分)和二极管D1、D2另外,还在下面给出了该评估板的PCB布局。评估板共4层,表面和第4层(背面)的铜箔厚度为μm,第2层和第3层为μm。第1层的图案如图所示,第2、3、4层为.2μm的正方形图案。二极管D1和D2的安装位置在粉红*域。在该位置分别安装RBR2VWMATF(PMDE)和RBR2MMATF(PMDU)并进行了比较评估。BDAEFV-M评估板的PCB布局发热情况比较下面是在评估板上运行时,PMDU和PMDE的热成像结果(封装温度Tc)。通过评估板上PMDE和PMDU的热成像图来比较Tc结果显示,PMDE和PMDU之间的Tc差异很小,降压侧的温差为⊿Tc(D1)=1.7℃,升压侧的温差为⊿Tc(D2)=1.2℃。尽管PMDE封装的尺寸更小,但通过有效地向电路板散热,PMDE封装可以将封装温度Tc抑制在与PMDU封装同等的水平。效率比较从效率比较结果可以看出,PMDE的效率峰值ηpeak(PMDE)为.6%,PMDU的ηpeak(PMDU)为.7%,两者几乎相同。由于所用SBD的内部元件相同(各温度系数相同),因此可以推断元件温度Tj也是同等的。也就是说,在此次的评估条件下,PMDE封装虽然比以往的PMDU封装尺寸更小,但却达到了与PMDU同等的散热性能,热失控的风险也得以控制在同等水平。评估板上SBD的PMDE和PMDU效率比较标签: 封装promise.all
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