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技术分析:LED芯片技术及国内外差异分析 (led芯片技术含量高吗)

编辑:rootadmin
{本文由家电维修技术小编收集整理资料}硅与氮化镓的高质量结合是LED芯片的技术难点,两者的晶格常数和热膨胀系数的巨大失配而引起的*密度高和裂纹等技术问题长期以来阻碍着芯片领域的发展。芯片,是LED的核心部件。目前国内外有很多LED芯片厂家,然芯片分类没有统一的标准,若按功率分类,则有大功率和中小功率之分;若按颜色分类,则主要为红色、绿色、蓝色三种;若按形状分类,一般分为方片、圆片两种;若按电压分类,则分为低压直流芯片和高压直流芯片。国内外芯片技术对比方面,国外芯片技术新,国内芯片重产量不重技术。  衬底材料和晶圆生长技术成关键  目前,LED芯片技术的发展关键在于衬底材料和晶圆生长技术。除了传统的蓝宝石、硅(Si)、碳化硅(SiC)衬底材料以外,氧化锌(ZnO)和氮化镓(GaN)等也是当前LED芯片研究的焦点。目前,市面上大多采用蓝宝石或碳化硅衬底来外延生长宽带隙半导体氮化镓,这两种材料*都非常昂贵,且都为国外大企业所垄断,而硅衬底的*比蓝宝石和碳化硅衬底便宜得多,可制作出尺寸更大的衬底,提高MOCVD的利用率,从而提高管芯产率。所以,为突破国际专利壁垒,中国研究机构和LED企业从硅衬底材料着手研究。

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  但问题是,硅与氮化镓的高质量结合是LED芯片的技术难点,两者的晶格常数和热膨胀系数的巨大失配而引起的*密度高和裂纹等技术问题长期以来阻碍着芯片领域的发展。  无疑,从衬底角度看,主流衬底依然是蓝宝石和碳化硅,但硅已经成为芯片领域今后的发展趋势。对于*战相对严重的中国来说,硅衬底更有成本和*优势:硅衬底是导电衬底,不但可以减少管芯面积,还可以省去对氮化镓外延层的干法腐蚀步骤,加之,硅的硬度比蓝宝石和碳化硅低,在加工方面也可以节省一些成本。  目前LED产业大多以2英寸或4英寸的蓝宝石基板为主,如能采用硅基氮化镓技术,至少可节省%的原料成本。据日本三垦电气公司估计,使用硅衬*作大尺寸蓝光氮化镓LED的制造成本将比蓝宝石衬底和碳化硅衬底低%。  国内外芯片技术差异大  在国外,欧司朗、美国普瑞、日本三垦等一流企业已经在大尺寸硅衬底氮化镓基LED研究上取得突破,飞利浦、韩国三星、LG、日本东芝等国际LED巨头也掀起了一股硅衬底上氮化镓基LED的研究热潮。其中,在年,美国普瑞在8英寸硅衬底上研发出高光效氮化镓基LED,取得了与蓝宝石及碳化硅衬底上顶尖水平的LED器件性能相媲美的发光效率lm/W;在年,欧司朗成功生产出6英寸硅衬底氮化镓基LED。  反观中国内地,LED芯片企业技术的突破点主要还是提高产能和大尺寸蓝宝石晶体生长技术,除了晶能光电在年成功实现2英寸硅衬底氮化镓基大功率LED芯片的量产外,中国芯片企业在硅衬底氮化镓基LED研究上无大的突破,目前中国内地LED芯片企业还是主攻产能、蓝宝石衬底材料及晶圆生长技术,三安光电、德豪润达、同方股份等内地芯片巨头也大多在产能上取得突破。要采购晶体么,点这里了解一下*!上一篇:“中国制造”最重要的是什么?是人才!下一篇:浅析LED设计应用中几大注意要点特别推荐MP:电表PMIC界新来的“五好学生”氮化镓器件在D类音频功放中的应用及优势如何通过使用外部电路扩展低边电流检测并提高DRV的检测精度SiCMOSFET的设计挑战——如何平衡性能与可靠性集成式光学*如何满足床旁检测仪器的未来需求技术文章更多>>“解剖”便携式医疗设备,看看里面都有啥?如何满足各种环境下汽车USB充电端口要求?电感饱和与开关电源之间的密切关系,这篇文章讲透了!(下)使用UWB技术的卓越汽车中科融合刘欣:从MEMS微振镜芯片入手,全栈式解决3D机器视觉挑战技术分析:LED芯片技术及国内外差异分析 (led芯片技术含量高吗)

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