560V输入、无光隔离反激式转换器

{本文由家电维修技术小编收集整理资料}在传统的隔离式高压反激式转换器中，使用光耦合器将稳压信息从副边基准电压源电路传输到初级侧，从而实现严格的稳压。问题在于，光耦合器大大增加了隔离设计的复杂性：存在传播延迟、老化和增益变化，所有这些都使电源环路补偿复杂化，并可能降低可靠性。此外，在启动期间，需要泄放电阻或高压启动电路来初始为IC上电。除非在启动元件上增加额外的高压MOSFET，否则泄放电阻器是造成不受欢迎的功率损耗的来源。在传统的隔离式高压反激式转换器中，使用光耦合器将稳压信息从副边基准电压源电路传输到初级侧，从而实现严格的稳压。问题在于，光耦合器大大增加了隔离设计的复杂性：存在传播延迟、老化和增益变化，所有这些都使电源环路补偿复杂化，并可能降低可靠性。此外，在启动期间，需要泄放电阻或高压启动电路来初始为IC上电。除非在启动元件上增加额外的高压MOSFET，否则泄放电阻器是造成不受欢迎的功率损耗的来源。LT®是一款具有集成式V/mA开关的高电压反激式转换器。LT免除了增设光耦合器、复杂的次级侧基准电路、额外的启动组件和一个外部高电压MOSFET的需要。性能和简单性LT在一个耐热性能增强型引脚TSSOP封装内集成了一个VMOSFET和控制电路，并移除了个引脚以实现高电压间隔。通过对来自第三个绕组的隔离输出电压进行采样，无需光耦合器进行稳压。输出电压由两个外部电阻器和第三个可选温度补偿电阻器设置。边界模式*作有助于实现出色的负载调节。由于在次级电流几乎为零时检测输出电压，因此无需外部负载补偿电阻器和电容器。因此，LT<>解决方案的组件数量较少，大大简化了隔离式反激式转换器的设计。图1所示为具有V至V宽输入范围的反激式转换器的完整原理图。它具有一个V输出，并在5mA至mA以上的负载电流范围内保持严格的稳压。输出电流能力随输入电压的增加而增加，当输入电压超过V时，输出电流可达mA。该反激式转换器具有%的峰值效率。即使没有光耦合器，负载和线路调节也保持严格，如图2所示。

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图1.完整的V隔离式反激式转换器，适用于V至V的宽输入

图2.图1中反激式转换器的负载和线路调整率用于启动的内部耗尽型MOSFETLT具有一个内部耗尽模式MOSFET，该MOSFET具有一个负门限电压，并且通常处于导通状态。在启动时，该MOSFET将INTVCC电容器充电至V，以便LT具有开始开关的电源。因此，无需外部泄放电阻器或其他启动元件。一旦INTVCC充电，耗尽模式MOSFET就会关闭以减少功率损耗。低静态电流LT通常需要一个小的输出预负载，该预负载作为静态电流反射回输入。当负载变得非常轻时，LT在保持最小电流限值的同时降低开关频率，以便在适当采样输出电压的同时减小电流。典型的最小开关频率约为3.5kHz。当使能待机模式时，最小频率进一步降低到Hz，对于超低静态电流，最小频率降低了×。在待机模式下，LT的预负载通常小于全输出功率的0.1%，静态电流低于μA—这对于在始终接通*中要求高效率的应用非常重要。非隔离降压转换器LT的高电压输入能力可轻松应用于非隔离式解决方案。非隔离转换器不需要隔离转换器的变压器，而是采用相对便宜的现成电感器作为磁化元件。对于非隔离降压应用，LT的接地引脚连接到降压拓扑的开关节点，该节点是一个可变电压。LT独特的检测方案仅在开关节点接地时才能看到输出电压，这导致了一个简单的降压原理图，如图3所示。二极管D2和FB引脚上的两个电阻构成反馈路径。

图3.非隔离降压转换器原理图：V至V输入至V/mA图3所示为非隔离式降压转换器的原理图，该转换器可将V至V的极宽范围输入转换为稳定的V输出。该电路可实现高达%的效率。结论LT可在V至V的宽输入电压范围内工作，可提供高达W的隔离输出功率。它不需要光耦合器，并具有丰富的特性，如低纹波突发模式*作、软启动、可编程电流*、欠压锁定、温度补偿和低静态电流。高集成度简化了各种应用中低组件数、高效率解决方案的设计：从电池供电*到汽车、工业、医疗、电信电源和隔离式辅助/内务管理电源。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用*、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。推荐阅读：电力场效应管的结构和工作原理通信*的高效正交变量优化算法DC－DC开关稳压器在汽车和工业设计中的归零如何设计大容量开关电源？可编程逻辑*(PLC)中的梯形逻辑