碳化硅FET推动了电力电子技术的发展 (碳化硅导热吗)

{本文由家电维修技术小编收集整理资料}碳化硅（SiC）JFET是一种晶体管类型，它提供单位面积上最低的导通电阻RDS（on），是一种性能稳定的器件。与传统的MOSFET器件相比，JFET不易发生故障，适合断路器和限流应用。例如，如果你用1毫安的电流偏置一个JFET的栅极，并监控栅极电压Vgs，见图1，你可以*件的温度，因为Vgs随温度线性降低。此属性对于需要功率场效应管（SicJFET）的功率模块应用程序特别有用，它可以监视其自身的运行状况。

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图1:UnitedSiC的SICJFET和SIC共源共栅结构的FET对于需要常闭设备的电力电子应用，我们开发了一种共源共栅结构的SiC，见图1。在共源共栅结构中，功率MOSFET堆叠在JFET的顶部，并封装在一起以获得非常低的热阻。MOSFET具有+/-V栅极额定值，具有ESD保护，并且具有5V阈值，使其成为V栅极驱动应用的理想选择。我们开发的伏-伏碳化硅器件有许多潜在的应用领域，从汽车到可再生能源。见图2。

图2：主要应用领域和SiC场效应晶体管的好处功率转换、电路保护和电机驱动都是功率场效应晶体管的常用案例。所提到的许多应用的一个共同特点是，栅极驱动特性与其他一些器件（如mosfet和igbt）兼容，使得它们易于在现有的开发中进行设计。sicjfet比sicmosfet在长时间和重复的短路循环方面更为稳定，所使用的烧结工艺技术实现了较低的热阻，这对于某些液冷设计（如汽车）非常有利。对于可再生能源设备，如太阳能逆变器和储能设备，我们的碳化硅器件具有极低的RDS（on）特性，可将散热量保持在最低水平。从电路保护的角度来看，低RDS（on）也使得sicjfet的使用与低接触电阻继电器和接触器具有很强的竞争力。我们的SiCFET，即使在MOSFET共源共栅结构中，也提供了业界最低的RDS（on）规格，如图3所示。V的器件只有7MΩ，而V的器件只有9MΩ。

图3:RDS最低的UnitedSiCSiC设备的行业比较由于RDS（on）随温度稳定增加，我们的SiCFET器件很容易并联，但是温度的增加比同类硅器件低得多。例如，在图4（左图）中，7mWV部件RDS（on）在°C时仍低于mΩ。

图4：接通电阻和温度的比较UnitedSiCFET系列可以并联在一起，安装在一个液冷散热器上，并以更高的频率驱动，所有这些对于过去选择IGBT的各种电力电子应用都是有价值的规范参数。此外，我们的碳化硅器件不显示膝电压，集成了一个优异的体二极管，并足够稳定。在没有膝电压的情况下，即使在中等负载下，器件也能以非常高的效率工作。使用共源共栅技术安排，我们已经能够将大多数封装尺寸中电阻最低的场效应晶体管推向市场。例如，我们的UF3SCD8S和xxD8SSiCFET采用DFN8x8封装，°C下的RDS（on）分别为mΩ和mΩ。即使在高温下，电阻也不会显著增加，与其他有竞争力的硅和氮化镓器件相比，电阻提高了2到3倍。另外，两种器件的电容值都相对较低，这进一步有助于功率转换电路的设计。通常使用jfet可以简化反激变换器的设计。我们的紧凑型、极低导通电阻的V至VJFET，可用于启动反激电路-见图5。开始时，电流流过一次绕组、JFETQ2、二极管D2和电阻器R1，为电容器C1充电，后者为控制IC提供电源。一旦C1上的电压超过控制IC的欠压锁定，连接到控制IC的MOSFETQ1就开始切换。

图5:MOSFET、反激变换器IC和JFET的创新封装，以生产复杂的高性能转换器通过将控制IC和MOSFETQ1封装到单个IC中，然后将JFETQ1与之共同封装，可产生紧凑、高性能、经济高效的反激解决方案。进一步缩小变频器的体积，使变频器的物理尺寸进一步减小。这种设计方法可以使用伏JFET在额定v母线电压下工作，最高可达v。从智能定位器充电器到工业电源，各种电源设计都可以用这种方式设计。推荐阅读：电机逆变器*率半导体的作用PK传统开关，MEMS开关的N大优势对光学气体传感技术的介绍贸泽成为e-peas能量收集PMIC产品的首家全球授权分销商如何使晶体管在电路中充当一个开关要采购晶体么，点这里了解一下*!上一篇：电机逆变器*率半导体的作用下一篇：GaN基电源性能的简易测试技术特别推荐MP：电表PMIC界新来的“五好学生”氮化镓器件在D类音频功放中的应用及优势如何通过使用外部电路扩展低边电流检测并提高DRV的检测精度SiCMOSFET的设计挑战——如何平衡性能与可靠性集成式光学*如何满足床旁检测仪器的未来需求技术文章更多>>“解剖”便携式医疗设备，看看里面都有啥？如何满足各种环境下汽车USB充电端口要求？电感饱和与开关电源之间的密切关系，这篇文章讲透了！（下）使用UWB技术的卓越汽车中科融合刘欣：从MEMS微振镜芯片入手，全栈式解决3D机器视觉挑战

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