碳化硅肖特基二极管的设计与优化 (碳化硅肖特基二极管结构)

{本文由家电维修技术小编收集整理资料}碳化硅（SiC）具有宽禁带、高热导率等优良的材料特性，在中高压功率半导体器件制造中得到了广泛的应用。目前，肖特基二极管、mosfet和jfet是市场上最流行的SiC功率器件。特别是sicschottky二极管已经成功地应用于电力领域近年。最早的SiC肖特基二极管采用纯肖特基势垒二极管（SBD）结构。后来，这种结构演变成一种结势垒肖特基（JBS）具有低反向泄漏电流。最新的结构被称为合并PN肖特基（MPS），表现出大幅增加的浪涌电流处理能力。WeEnSemiconductors于年发布了基于毫米SiC晶片的VSiCMPS二极管，并于年发布了基于毫米高质量SiC晶片的VSiCMPS二极管。今年早些时候，基于成熟的mm晶圆技术，WeEn推出了VSiCMPS二极管和AEC-Q汽车认证的VSiCMPS二极管。公司拥有多年的历史，在功率半导体器件设计方面有着丰富的经验。设计过程包括根据客户需求设定设计目标、使用EDA工具进行器件和工艺模拟、掩模设计和工艺设计、制造、装配和可靠性测试。经过多轮的试验、优化、寿命试验和应用试验，获得了合格的优化设计产品。为了追求最佳的器件性能，在全WeEn-SiC肖特基二极管中采用了一种合并PN肖特基（MPS）结构。在高正向电流密度下，PN结将开始在二极管漂移区注入少数载流子（电导调制），并接管肖特基结的电流传导。因此，在高电流密度下，MPS比传统JBS结构具有更低的正向压降。这使得MPS器件能够承受更高的浪涌电流。但是，增大PN面积将导致肖特基面积减小。当双极结构还不工作时，这会导致标称正向电流下的