采用GaN实现48V至POL单级转换
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图1:交流(AC)至V至负载点(POL)电信电源*TI的氮化镓(GaN)直流/直流解决方案去除了中间母线直流/直流转换级,设计师可以在单级中将V电压降至更低的输出电压。去除中间母线直流/直流转换器使得功率密度和*成本显着增加,同时提高了可靠性。与硅MOSFET相比,GaN的优势包括:●低输入和输出电容,减少开关损耗,实现更快的开关频率。●接近0的反向恢复电荷,无反向恢复损耗,降低D类逆变器/放大器的损耗。●由于较低的栅极-漏极电容,大大降低了开关损耗,实现了更高的开关频率,减少甚至去除了散热器。图2显示了GaN和硅FET之间V至POL的效率比较。图2:不同负载电流下GaN与硅直流/直流转换器的V至POL效率TI的新型V至POLGaN单级解决方案——采用TPSG无驱动器脉宽调制(PWM)*和LMGVGaN半桥功率级(驱动器和GaNFET在同一集成电路上)——功率密度高,负载瞬态响应速度快,效率高,具有卓越的热性能和*可靠性,总面积为mm2,输出功率为W。输入电压为V,输出电压为1V,电流A,开关频率kHz时,V的效率为%,如图3所示。模块效率峰值为%,在A的输出电流下仍然为%。值得注意的是,即使当将输入电压增加到V时,效率也不会显着下降。