宽禁带半导体器件GaN、SiC设计优化验证 (宽禁带半导体器件集成封装与应用)

{本文由家电维修技术小编收集整理资料}第三代宽禁带半导体器件GaN和SiC的出现，推动着功率电子行业发生共产党式变革。新型开关器件既能实现低开关损耗，又能处理超高速dv/dt转换，且支持超快速开关切换频率，带来的测试挑战也成了工程师的噩梦。结合泰克新一代示波器，泰克针对性地推出带宽1Ghz、V差模、dB共模抑制比的全面光隔离*，提供*优异的抗干扰能力，帮助工程师进行第三代半导体器件的*级优化设计。工程师在设计电源产品时，优化上下管的驱动条件，从而保证安全的条件下降低损耗，提高转化效率，可以满足宽禁带半导体器件的测试需求。TIVH高带宽*测试在开关技术应用中的桥式驱动上管测试中，普遍会碰到测试驱动信号的正确测试问题，现象表现为波形振荡变大、测试电压值误差大，不利于设计人员的器件评估和选择，其根本的原因在于所使用差分*的连接和CMRR共模抑制比规格满足不了测量要求问题。泰克的TIVH_差分*有效的解决了连接、测量带宽、高频CMRR和驱动小信号测量问题。选择TIVH差分*的基本原则是以驱动信号的上升时间为依据，仪器*对被测点的影响小于3%。上管信号测量考虑因素：带宽、电压范围（共模和差模）、CMRR和连接。根据测试驱动信号的上升时间来选择的方案配置如下，*的带宽最好示波器的带宽一致。基本配置：MDO3K/4K+TIVH/TIVH/TIVH；优化配置MSO5///+TIVH/TIVH/TIVH。

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验证SiC、GaN宽禁带器件特性SiC和GaN越来越广泛的被应用在电源产品中，当测试高压测Vgs导通电压时，因为频率高（快速开、关）以及示波器*在高带宽下的共模抑制不够而导致不能准确测试。共模抑制差导致测量受到共模电压干扰而很难准确测试实际的差分信号。泰克提供全面光隔离*（*OVu)配合高达位新五系示波器MSO5成为业内唯一解决方案，高达1GHz的*带宽满足GaN和SiC。

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