采用BGA封装的低EMI μModule稳压器有助于简化设计 (封装技术中bga的概念与特点)
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图1.LTM使用SilentSwitcher架构,实现完整的小型封装低噪声解决方案。内部*的峰值电流模式控制架构能实现快速瞬态响应和良好的环路稳定性。输出电压的快速瞬态响应和低峰峰值电压偏差情况如图3所示。通过内部反馈环路补偿,可在多种工作条件下提供足够的稳定性裕量,支持各种输出电容,从而简化了整体设计。LTM采用SilentSwitcher架构,将辐射发射降至最低,轻松满足严格的电磁兼容性标准要求。图2.室温条件(°C)下,LTM在满载(1A电流,V输入,5V输出)情况下温度小幅上升。图3.使用最小输出电容(2µF×4.7µF陶瓷电容)时,LTM提供快速瞬态响应(VIN,3.3VOUT)。适合狭小紧凑的空间LTM以紧凑的外形集成了所有支持元件,简化了布局设计并缩小了解决方案尺寸。只需输入和输出电容、频率和电压设置电阻即可形成完整设计。图4和图5分别显示了典型应用电路及其效率。虽然LTM的µModule设计几乎是可直接使用的*自足型稳压器,但也可以轻松调整一些设计参数来满足具体应用需要。输出电压和工作频率具有电阻可编程特性,工作频率可以设置为与外部时钟同步。LTM还提供可编程软启动、输出电压*、电源良好指示和使能控制以及多种导通模式选项,包括跳脉冲模式、突发模式®工作和扩频调制,进一步优化了EMI性能和轻载效率。图4.实现7V至V输入、5VOUT1.2A设计只需极少的元件。超低噪声:C*PRB类开关稳压器本身会产生辐射EMI,在相对较高的频率工作时需要高dI/dt事件。LTM内置专有SilentSwitcher架构,可实现低EMI性能,不必采用复杂的EMI抑制技术,如降低开关频率、增加滤波电路或安装*部件等。无需外部电路或特殊布局方法即可满足C*PRB类等辐射EMI标准,具体请参见图6和图7。