初学者必看：电磁炉维修入门 (从0开始学电)

基础知识讲解：在修理中常见的电磁炉大致分为两类：由LM（四电压比较器）输出脉冲信号。1：触发部分由正负两组电源，管子用PNP\NPN组成，类似这种电路，后级大多是用大功率管多个复合而成，组成高压开关部分，在代换中，前一个用带阻尼的行管替代即可。后几个则很难找到特性一致的管子，解决的办法是在散热器安装孔允许的情况下改用大电流的管子以减少数量，金属封装得如：BUSA等，塑封的如：BU/BU/BU/D一类，用两个就可以。2：功控管用IGBT绝缘栅开关器件；这些机器特征是不用双电源触发，只有+5V和+V,LM通过触发集成块TA带动IGBT这种情况下只能用此一类的管子代替，损坏程度大致为，只有管子坏，换上即可。其次是整流桥同时损坏，（一般是烧半壁），在其次是触发集成块TA坏，连带LMN一起损坏的很少见。对于高压模块，由于这方面的参数手册很少，希望大家搜集转贴，以便代换时参考。不能贸然更换,最好有示波器先测其G极波形及幅值(没有的话用万用表测此点直流电压应在1-2.5伏之间变化).接上线盘前要确定其它几路小电源供电正常.IGBT工作原理绝缘栅双极晶体管(IusulatedGateBipolarTransistor)简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。目前有用不同材料及工艺制作的IGBT,但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放大的复合结构。IGBT有三个电极(见上图),分别称为栅极G(也叫控制极或门极)、集电极C(亦称漏极)及发射极E(也称源极)。从IGBT的下述特点中可看出,它克服了功率MOSFET的一个致命*,就是于高压大电流工作时,导通电阻大,器件发热严重,输出效率下降。IGBT的特点:1.电流密度大,是MOSFET的数十倍。2.输入阻抗高,栅驱动功率极小,驱动电路简单。3.低导通电阻。在给定芯片尺寸和BVceo下,其导通电阻Rce(on)不大于MOSFET的Rds(on)的%。4.击穿电压高,安全工作区大,在瞬态功率较高时不会受损坏。5.开关速度快,关断时间短,耐压1kV~1.8kV的约1.2us、V级的约0.2us,约为GTR的%,接近于功率MOSFET,开关频率直达KHz,开关损耗仅为GTR的%。IGBT将场控型器件的优点与GTR的大电流低导通电阻特性集于一体,是极佳的高速高压半导体功率器件。目前系列因应不同机种采了不同规格的IGBT,它们的参数如下:(1)SGWN----西门子公司出品,耐压V,电流容量℃时A,℃时A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套6A/V以上的快速恢复二极管(D)使用,该IGBT配套6A/V以上的快速恢复二极管(D)后可代用SKWN。(2)SKWN----西门子公司出品,耐压V,电流容量℃时A,℃时A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGWN,代用时将原配套SGWN的D快速恢复二极管拆除不装。(3)GTQ----东芝公司出品,耐压V,电流容量℃时A,℃时A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGWN、SKWN,代用SGWN时请将原配套该IGBT的D快速恢复二极管拆除不装。(4)GTT----东芝公司出品,耐压V,电流容量℃时A,℃时A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套A/V以上的快速恢复二极管(D)使用,该IGBT配套6A/V以上的快速恢复二极管(D)后可代用SGWN、SKWN、GTQ,配套A/V以上的快速恢复二极管(D)后可代用GTT。(5)GTT----东芝公司出品,耐压V,电流容量℃时A,℃时A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGWN、SKWN、GTQ、GTT,代用SGWN和GTT时请将原配套该IGBT的D快速恢复二极管拆除不装。[Page](6)GTM----东芝公司出品,耐压V,电流容量℃时A,℃时A,内部带阻尼二极管。GTT----东芝公司出品,耐压V,电流容量℃时A,℃时A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套A/V以上的快速恢复二极管(D)使用,该IGBT配套6A/V以上的快速恢复二极管(D)后可代用SGWN、SKWN、GTQ,配套A/V以上的快速恢复二极管(D)后可代用GTT。”GTT内部不带阻尼二极管，为何我买的带阻尼二极管，是假的吗？？？？？可装机用1个多月没坏呀（元呢顺便说明:我说的用GN代换加阻尼管,不是说此管内部不带阻尼管,(实际上它内部已附带阻尼管,)只是我在维修时先加上试机正常后再去掉,为的是防止机子还有其它问题而引起烧了它从而避免过大的损失,装上此管再并是一支阻尼后要是还有其它问题一般只会烧外加阻尼而不会烧功率管.电磁炉维修经验(一)：一、PDF/Y/J老版（大单机H）1、现象：上电长鸣，指示灯全亮方法：更换R：1/6W-K为1/6W-4.7K或1/4W-4.7K二、PDF/Y/J-（小单片机）1、现象：正常电压开机长鸣方法：更换R：1W-K±1%2、不检锅方法：拨掉排线（功率板到控制板），测量R：1W-K±1%；R、R：1W-K±1%是否正常，更换不正常电阻。如无法测，则直接更换R：1W-K±1%，不正常再更换R、R：1W-K±1%。3、上电无反应：测量功率板桥堆、保险管是否损坏，如桥堆损坏而IGBT未短路则更换桥堆保险管。三、PSDC/D/E1、出现E、E方法：更换R：1W-K±1%2、不检锅方法：拨掉排线测量R：1W-K±1%；R、R：1W-K±1%，更换不正常电阻，如无法测量则直接更换R：1W-K±1%；还不正常，则更换R、R：1W-K±1%3、上电无反应方法：同第二大点中第3小点电磁炉维修经验(二)1.电磁炉无论有什么故障,在更换元件后,一定不要急于接上线盘试机,否则会引起烧坏IGBT和保险管,甚至整流桥。应该在不接线盘的情况下，通电测试各点电压,比如5V、V、V(有的V、V)，和驱动电路输出的波型(正常是方波)，也可以用数字万用表V档测试(正常电压不断波动)。因为一般电磁炉都有锅具检测，大概秒左右,要测驱动输出要在开机的秒内，看不清楚可关机再开，检测正常后再接上线盘即可。2.电磁炉坏之后，检测电路不要一开始就怀疑芯片有问题(%以上芯片不会的故障),就算芯片有问题都要到生产该电磁炉的厂家才有,市场买不到,市场上的型号相同都不能代换。3.通电后报警关机，这类问题比较多。有的厂家设有故障代码,参照使用说明可逐一解决。如果没故障代码显示,应检查锅底温度、锅具、IGBT温度检测电路。电磁炉常用整流桥型号及参数RBV-/A/VRBV/A/VKT此管是带阻的，可用HT代，或用其它带阻的IGBT代均可。比如N，G等都可使用GND就可以看看这些如何：[Page]SGWNDKTGNDFGANMGYNDIRGBGNBNAFSIGCTCSGN参数如下:(1)SGWN----西门子公司出品,耐压V,电流容量℃时A,℃时A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套6A/V以上的快速恢复二极管(D)使用,该IGBT配套6A/V以上的快速恢复二极管(D)后可代用SKWN。(2)SKWN----西门子公司出品,耐压V,电流容量℃时A,℃时A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGWN,代用时将原配套SGWN的D快速恢复二极管拆除不装。(3)GTQ----东芝公司出品,耐压V,电流容量℃时A,℃时A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGWN、SKWN,代用SGWN时请将原配套该IGBT的D快速恢复二极管拆除不装。(4)GTT----东芝公司出品,耐压V,电流容量℃时A,℃时A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套A/V以上的快速恢复二极管(D)使用,该IGBT配套6A/V以上的快速恢复二极管(D)后可代用SGWN、SKWN、GTQ,配套A/V以上的快速恢复二极管(D)后可代用GTT。(5)GTT----东芝公司出品,耐压V,电流容量℃时A,℃时A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGWN、SKWN、GTQ、GTT,代用SGWN和GTT时请将原配套该IGBT的D快速恢复二极管拆除不装公布一些电磁炉用功率管的型号，代换，参数GTQ，FGLND，FGLND，FGAN，SKN，GND，FGAN，1MBHD--，GPBUD--E，IXGHNBDI，以上功率管内部都带阻尼管，耐压都在V以上电流在A以上只要电流相差不多都可以互相代换。SGWN，KT。。。。。。。。。。。。。以上的管子内部不带阻尼，如果要代换一上功率管时可以在电路板上安装2个以上的阻尼二极管耐压V以上，电流在8A以上我们换IGBT都用T的通带（小的TGBT）大的用GTT就行了用快恢复二极管撒，我们换IGBT都用T的通带（小的TGBT）大的用GTT就行了阻尼管二极管可选用：BY通过大量维修实践表明，电磁炉（灶）内的部分元器件因工作温度较高，工作电流较大，电压较高等，其故障或损坏概率也较高。其中的场效应功率管损坏率最高。但由于商业竞争激烈，一般都不随机附带图纸，加之电磁炉所采用的场效应功率管一般均为较新产品，这便给维修带来不便和困难。下面笔者根据汇集来的相关资料，提供几种常用电磁炉场效应功率管及代换资料供参考。电磁炉一般均采用N型沟道功率场效应管，其相关参数为BVCBO≥V，BVCEO≥V，PCM≥W，ICM≥7A，HFE≥。常用的电磁炉用场效应管内部带阻尼二极管的型号有G*、GTT、SEC·GND、ZONND、GTT、SQDJA等。内部不带阻尼二极管的型号有BTT、SGLN/D等。在维修代换时，若采用不带阻尼二极管的功率场效应管，应在D、S极间加接一只阻尼二极管，该二极管必须是快恢复型阻尼二极管，其耐压应≥V。加接时正极接S极，负极接D极即可。参考型号如S5J、BY等。另外，在负载电磁线圈和功率管之间串一只W的灯泡再通电试机,可以防止烧管。[Page]