电磁炉的原理与维修上（图） (电磁炉的原理与维修视频教程)
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一、简介1.1电磁加热原理电磁灶是一种利用电磁感应原理将电能转换为热能的厨房电器。在电磁灶内部，由整流电路将/Hz的交流电压变成直流电压，再经过控制电路将直流电压转换成频率为-KHz的高频电压，高速变化的电流流过线圈会产生高速变化的磁场，当磁场内的磁力线通过金属器皿(导磁又导电材料)底部金属体内产生无数的小涡流，使器皿本身自行高速发热，然后再加热器皿内的东西。1.系列筒介系列是由建安电子技术开发制造厂设计开发的新一代电磁炉,介面有LED发光二极管显示模式、LED数码显示模式、LCD液晶显示模式、VFD莹光显示模式机种。*作功能有加热火力调节、自动恒温设定、定时关机、预约开/关机、预置*作模式、自动泡茶、自动煮饭、自动煲粥、自动煲汤及煎、炸、烤、火锅等料理功能机种。额定加热功率有~W的不同机种,功率调节范围为额定功率的%,并且在全电压范围内功率自动恒定。~V机种电压使用范围为~V,~V机种电压使用范围为~V。全系列机种均适用于、Hz的电压频率。使用环境温度为-℃~℃。电控功能有锅具超温保护、锅具干烧保护、锅具传感器开/短路保护、2小时不按键(忘记关机)保护、IGBT温度*、IGBT温度过高保护、低温环境工作模式、IGBT测温传感器开/短路保护、高低电压保护、浪涌电压保护、VCE抑制、VCE过高保护、过零检测、小物检测、锅具材质检测。系列须然机种较多,且功能复杂,但不同的机种其主控电路原理一样,区别只是零件参数的差异及CPU程序不同而己。电路的各项测控主要由一块8位4K内存的单片机组成,外围线路简单且零件极少,并设有故障报警功能,故电路可靠性高,维修容易,维修时根据故障报警指示,对应检修相关单元电路,大部分均可轻易解决。二、原理分析2.1特殊零件简介2.1.1LM集成电路
LM内置四个翻转电压为6mV的电压比较器,当电压比较器输入端电压正向时(+输入端电压高于-入输端电压),置于LM内部控制输出端的三极管截止,此时输出端相当于开路;当电压比较器输入端电压反向时(-输入端电压高于+输入端电压),置于LM内部控制输出端的三极管导通,将比较器外部接入输出端的电压拉低,此时输出端为0V。2.1.2IGBT绝缘栅双极晶体管(IusulatedGateBipolarTransistor)简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。目前有用不同材料及工艺制作的IGBT,但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放大的复合结构。IGBT有三个电极(见上图),分别称为栅极G(也叫控制极或门极)、集电极C(亦称漏极)及发射极E(也称源极)。从IGBT的下述特点中可看出,它克服了功率MOSFET的一个致命*,就是于高压大电流工作时,导通电阻大,器件发热严重,输出效率下降。IGBT的特点:1.电流密度大,是MOSFET的数十倍。2.输入阻抗高,栅驱动功率极小,驱动电路简单。3.低导通电阻。在给定芯片尺寸和BVceo下,其导通电阻Rce(on)不大于MOSFET的Rds(on)的%。4.击穿电压高,安全工作区大,在瞬态功率较高时不会受损坏。5.开关速度快,关断时间短,耐压1kV~1.8kV的约1.2us、V级的约0.2us,约为GTR的%,接近于功率MOSFET,开关频率直达KHz,开关损耗仅为GTR的%。[Page]IGBT将场控型器件的优点与GTR的大电流低导通电阻特性集于一体,是极佳的高速高压半导体功率器件。目前系列因应不同机种采了不同规格的IGBT,它们的参数如下:(1)SGWN----西门子公司出品,耐压V,电流容量℃时A,℃时A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套6A/V以上的快速恢复二极管(D)使用,该IGBT配套6A/V以上的快速恢复二极管(D)后可代用SKWN。(2)SKWN----西门子公司出品,耐压V,电流容量℃时A,℃时A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGWN,代用时将原配套SGWN的D快速恢复二极管拆除不装。(3)GTQ----东芝公司出品,耐压V,电流容量℃时A,℃时A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGWN、SKWN,代用SGWN时请将原配套该IGBT的D快速恢复二极管拆除不装。(4)GTT----东芝公司出品,耐压V,电流容量℃时A,℃时A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套A/V以上的快速恢复二极管(D)使用,该IGBT配套6A/V以上的快速恢复二极管(D)后可代用SGWN、SKWN、GTQ,配套A/V以上的快速恢复二极管(D)后可代用GTT。(5)GTT----东芝公司出品,耐压V,电流容量℃时A,℃时A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGWN、SKWN、GTQ、GTT,代用SGWN和GTT时请将原配套该IGBT的D快速恢复二极管拆除不装。(6)GTM----东芝公司出品,耐压V,电流容量℃时A,℃时A,内部带阻尼二极管。2.2电路方框图2.3主回路原理分析时间t1~t2时当开关脉冲加至Q1的G极时,Q1饱和导通,电流i1从电源流过L1,由于线圈感抗不允许电流突变.所以在t1~t2时间i1随线性上升,在t2时脉冲结束,Q1截止,同样由于感抗作用,i1不能立即变0,于是向C3充电,产生充电电流i2,在t3时间,C3电荷充满,电流变0,这时L1的磁场能量全部转为C3的电场能量,在电容两端出现左负右正,幅度达到峰值电压,在Q1的CE极间出现的电压实际为逆程脉冲峰压+电源电压,在t3~t4时间,C3通过L1放电完毕,i3达到最大值,电容两端电压消失,这时电容中的电能又全部转为L1中的磁能,因感抗作用,i3不能立即变0,于是L1两端电动势反向,即L1两端电位左正右负,由于阻尼管D的存在,C3不能继续反向充电,而是经过C2、D回流,形成电流i4,在t4时间,第二个脉冲开始到来,但这时Q1的UE为正,UC为负,处于反偏状态,所以Q1不能导通,待i4减小到0,L1中的磁能放完,即到t5时Q1才开始第二次导通,产生i5以后又重复i1~i4过程,因此在L1上就产生了和开关脉冲f(KHz~KHz)相同的交流电流。t4~t5的i4是阻尼管D的导通电流,在高频电流一个电流周期里,t2~t3的i2是线盘磁能对电容C3的充电电流,t3~t4的i3是逆程脉冲峰压通过L1放电的电流,t4~t5的i4是L1两端电动势反向时,因D的存在令C3不能继续反向充电,而经过C2、D回流所形成的阻尼电流,Q1的导通电流实际上是i1。Q1的VCE电压变化:在静态时,UC为输入电源经过整流后的直流电源,t1~t2,Q1饱和导通,UC接近地电位,t4~t5,阻尼管D导通,UC为负压(电压为阻尼二极管的顺向压降),t2~t4,也就是LC*振荡的半个周期,UC上出现峰值电压,在t3时UC达到最大值。以上分析证实两个问题:一是在高频电流的一个周期里,只有i1是电源供给L的能量,所以i1的大小就决定加热功率的大小,同时脉冲宽度越大,t1~t2的时间就越长,i1就越大,反之亦然,所以要调节加热功率,只需要调节脉冲的宽度;二是LC*振荡的半周期时间是出现峰值电压的时间,亦是Q1的截止时间,也是开关脉冲没有到达的时间,这个时间关系是不能错位的,如峰值脉冲还没有消失,而开关脉冲己提前到来,就会出现很大的导通电流使Q1烧坏,因此必须使开关脉冲的前沿与峰值脉冲后沿相同步。[Page]2.4振荡电路(1)当G点有Vi输入时、V7OFF时(V7=0V),V5等于D与D的顺向压降,而当V6<V5之后,V7由OFF转态为ON,V5亦上升至Vi,而V6则由R、R向C5充电。(2)当V6>V5时,V7转态为OFF,V5亦降至D与D的顺向压降,而V6则由C5经R、D放电。(3)V6放电至小于V5时,又重复(1)形成振荡。“G点输入的电压越高,V7处于ON的时间越长,电磁炉的加热功率越大,反之越小”。2.5IGBT激励电路振荡电路输出幅度约4.1V的脉冲信号,此电压不能直接控制IGBT(Q1)的饱和导通及截止,所以必须通过激励电路将信号放大才行,该电路工作过程如下:(1)V8OFF时(V8=0V),V8<V9,V为高,Q8和Q3导通、Q9和Q截止,Q1的G极为0V,Q1截止。(2)V8ON时(V8=4.1V),V8>V9,V为低,Q8和Q3截止、Q9和Q导通,+V通过R、Q加至Q1的G极,Q1导通。
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LM内置四个翻转电压为6mV的电压比较器,当电压比较器输入端电压正向时(+输入端电压高于-入输端电压),置于LM内部控制输出端的三极管截止,此时输出端相当于开路;当电压比较器输入端电压反向时(-输入端电压高于+输入端电压),置于LM内部控制输出端的三极管导通,将比较器外部接入输出端的电压拉低,此时输出端为0V。2.1.2IGBT绝缘栅双极晶体管(IusulatedGateBipolarTransistor)简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。目前有用不同材料及工艺制作的IGBT,但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放大的复合结构。IGBT有三个电极(见上图),分别称为栅极G(也叫控制极或门极)、集电极C(亦称漏极)及发射极E(也称源极)。从IGBT的下述特点中可看出,它克服了功率MOSFET的一个致命*,就是于高压大电流工作时,导通电阻大,器件发热严重,输出效率下降。IGBT的特点:1.电流密度大,是MOSFET的数十倍。2.输入阻抗高,栅驱动功率极小,驱动电路简单。3.低导通电阻。在给定芯片尺寸和BVceo下,其导通电阻Rce(on)不大于MOSFET的Rds(on)的%。4.击穿电压高,安全工作区大,在瞬态功率较高时不会受损坏。5.开关速度快,关断时间短,耐压1kV~1.8kV的约1.2us、V级的约0.2us,约为GTR的%,接近于功率MOSFET,开关频率直达KHz,开关损耗仅为GTR的%。[Page]IGBT将场控型器件的优点与GTR的大电流低导通电阻特性集于一体,是极佳的高速高压半导体功率器件。目前系列因应不同机种采了不同规格的IGBT,它们的参数如下:(1)SGWN----西门子公司出品,耐压V,电流容量℃时A,℃时A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套6A/V以上的快速恢复二极管(D)使用,该IGBT配套6A/V以上的快速恢复二极管(D)后可代用SKWN。(2)SKWN----西门子公司出品,耐压V,电流容量℃时A,℃时A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGWN,代用时将原配套SGWN的D快速恢复二极管拆除不装。(3)GTQ----东芝公司出品,耐压V,电流容量℃时A,℃时A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGWN、SKWN,代用SGWN时请将原配套该IGBT的D快速恢复二极管拆除不装。(4)GTT----东芝公司出品,耐压V,电流容量℃时A,℃时A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套A/V以上的快速恢复二极管(D)使用,该IGBT配套6A/V以上的快速恢复二极管(D)后可代用SGWN、SKWN、GTQ,配套A/V以上的快速恢复二极管(D)后可代用GTT。(5)GTT----东芝公司出品,耐压V,电流容量℃时A,℃时A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGWN、SKWN、GTQ、GTT,代用SGWN和GTT时请将原配套该IGBT的D快速恢复二极管拆除不装。(6)GTM----东芝公司出品,耐压V,电流容量℃时A,℃时A,内部带阻尼二极管。2.2电路方框图2.3主回路原理分析时间t1~t2时当开关脉冲加至Q1的G极时,Q1饱和导通,电流i1从电源流过L1,由于线圈感抗不允许电流突变.所以在t1~t2时间i1随线性上升,在t2时脉冲结束,Q1截止,同样由于感抗作用,i1不能立即变0,于是向C3充电,产生充电电流i2,在t3时间,C3电荷充满,电流变0,这时L1的磁场能量全部转为C3的电场能量,在电容两端出现左负右正,幅度达到峰值电压,在Q1的CE极间出现的电压实际为逆程脉冲峰压+电源电压,在t3~t4时间,C3通过L1放电完毕,i3达到最大值,电容两端电压消失,这时电容中的电能又全部转为L1中的磁能,因感抗作用,i3不能立即变0,于是L1两端电动势反向,即L1两端电位左正右负,由于阻尼管D的存在,C3不能继续反向充电,而是经过C2、D回流,形成电流i4,在t4时间,第二个脉冲开始到来,但这时Q1的UE为正,UC为负,处于反偏状态,所以Q1不能导通,待i4减小到0,L1中的磁能放完,即到t5时Q1才开始第二次导通,产生i5以后又重复i1~i4过程,因此在L1上就产生了和开关脉冲f(KHz~KHz)相同的交流电流。t4~t5的i4是阻尼管D的导通电流,在高频电流一个电流周期里,t2~t3的i2是线盘磁能对电容C3的充电电流,t3~t4的i3是逆程脉冲峰压通过L1放电的电流,t4~t5的i4是L1两端电动势反向时,因D的存在令C3不能继续反向充电,而经过C2、D回流所形成的阻尼电流,Q1的导通电流实际上是i1。Q1的VCE电压变化:在静态时,UC为输入电源经过整流后的直流电源,t1~t2,Q1饱和导通,UC接近地电位,t4~t5,阻尼管D导通,UC为负压(电压为阻尼二极管的顺向压降),t2~t4,也就是LC*振荡的半个周期,UC上出现峰值电压,在t3时UC达到最大值。以上分析证实两个问题:一是在高频电流的一个周期里,只有i1是电源供给L的能量,所以i1的大小就决定加热功率的大小,同时脉冲宽度越大,t1~t2的时间就越长,i1就越大,反之亦然,所以要调节加热功率,只需要调节脉冲的宽度;二是LC*振荡的半周期时间是出现峰值电压的时间,亦是Q1的截止时间,也是开关脉冲没有到达的时间,这个时间关系是不能错位的,如峰值脉冲还没有消失,而开关脉冲己提前到来,就会出现很大的导通电流使Q1烧坏,因此必须使开关脉冲的前沿与峰值脉冲后沿相同步。[Page]2.4振荡电路(1)当G点有Vi输入时、V7OFF时(V7=0V),V5等于D与D的顺向压降,而当V6<V5之后,V7由OFF转态为ON,V5亦上升至Vi,而V6则由R、R向C5充电。(2)当V6>V5时,V7转态为OFF,V5亦降至D与D的顺向压降,而V6则由C5经R、D放电。(3)V6放电至小于V5时,又重复(1)形成振荡。“G点输入的电压越高,V7处于ON的时间越长,电磁炉的加热功率越大,反之越小”。2.5IGBT激励电路振荡电路输出幅度约4.1V的脉冲信号,此电压不能直接控制IGBT(Q1)的饱和导通及截止,所以必须通过激励电路将信号放大才行,该电路工作过程如下:(1)V8OFF时(V8=0V),V8<V9,V为高,Q8和Q3导通、Q9和Q截止,Q1的G极为0V,Q1截止。(2)V8ON时(V8=4.1V),V8>V9,V为低,Q8和Q3截止、Q9和Q导通,+V通过R、Q加至Q1的G极,Q1导通。 
