国产内存相对于三星前景如何 (国产内存排名)

我们知道国产定位器的崛起已经呼唤我们不得不大力发展自己的储存、芯片等业务，所以这几年以来，我国也开始加码DRAM和Nand领域，紫光甚至已经拿出了DDR3成品，SSD更是拉上Intel提供核心资源。另外我们也知道国内投巨资建立了三大储存芯片基地，比如紫光主导的长江储存以武汉为基地，主要生产3DNAND闪存，合肥长鑫、福建晋华则以生产DRAM内存为突破口。那么相比于现在国际上最强的三星，国产内存到底进展得怎么样了？国产内存与其有多大的差距？下面随小编一起来看看国产内存的发展前景吧！　　国产内存一、长江储存的3DNAND内存进展　　我们知道长江储存主要以生产3DNAND国产闪存，现在已开始小规模量产层3DNANDFlash，而层3DNAND是第2代技术。　　而前段时间三星宣告已正式开始量产第五代3DVNand闪存，层堆叠、单碟GB容量的第五代V-NAND闪存芯片，可见从技术实力上来讲，国产内存落后大约是三代，而我们知道在内存的发展上一代技术升级大约是一年半，所以三代技术落后5年左右。　　国产内存二、福建晋化的DRAM内存进展　　福建晋华的储存产品是与*电UMC合作的项目，投资约为亿美元，估计今年Q3季度试产，月产能大约为6万片晶圆，规模比其他两家要小一些。　　就规格而言，现在福建晋华就产品规格没有做过多说明，但有权威人士分析，前期的生产线是按照nm工艺DRAM内存生产来建设的，但从建设到真正的量产，可是有不短的时间，现在三星的工艺的mm，可见只落后了大约一代，但考虑到三星是量产，而福建晋华是在建设，所以起码有3年以上的差跑。　　国产内存三、合肥长金的DRAM内存进展　　合肥长鑫合作方是兆易创新，目标是与福建晋华是一致，那就是研究nm工艺的DRAM国产内存，估计在年月日前研究成功，即实现产品良率（测验电性良好的芯片占整个晶圆的比例）不低于%。　　前面已经说明过，三星现在最先进的DRAM公司也就是nm工艺而已——当然，三星的是量产，兆易创新的是试产，而且良率要求很低，不低于％就是成功了，距离量产还很远，所以与福建晋华一样，应该是三年的差距水平。　　另外三星日前正式发布了首款LPDDR5内存芯片，而合肥兆鑫的8GbLPDDR4已经正式投片，但从投产到量产也是有不短的路程，没有个一年半载就别想了。　　三星在年，仅芯片业务的营收就超过了亿美元，占到了公司总收入的%之多。可见总体而言，国产内存落后三星应该在3-5年的光景，所以说现阶段国产内存要赶上三星的任务还很艰巨，至于说要超过，那估计还很遥远，没有个3到5年的时间，无异于痴人说梦，就像芯片业务负责人KimKi-nam所说的，芯片行业的技术门槛比其它工业类别都要高，而且，短期内投入大量资金无法克服。　　不过小编认为国产内存只要有起步就好，只要真正行动起来，落后一点不怕，最怕的是光说不练，你觉得呢？