台积电兵贵神速：台积电5nm工艺良率已超7nm初期 (台积电功臣)

近日有消息透露，台积电的5nm制程工艺已经日渐成熟，目前良率已经可以达到%到%，表现已经超过了7nm工艺的初期水平。

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　　根据台积电的规划，5nm工艺首先在南科Fab工厂一期量产，明年Q3机电室产能达到5.5万片晶圆/月，Fab工厂的二期工程也规划了5.5万片晶圆/月的产能，预计在年上半年准备就绪。

　　传闻，台积电的5nm制程工艺今年9月就已经达到了试产水平，苹果和华为的新一代旗舰处理器均使用5nm制程工艺进行了流片验证。

　　预计明年7月，台积电的5nm制程工艺良率将提升至可以大规模量产的水平，为苹果A芯片的量产做好准备，从而保证年新款iphone的顺利上市。根据台积电公布的数据，与7nm（第一代DUV）工艺相比使用A架构的全新5nm芯片能够提供1.8倍的逻辑密度、速度增快%，或者功耗降低%。