IBM发布“全球首款”2奈米芯片技术，真能实现四天一充吗？ (ibm发布会)

IBM宣布推出全球首个2NM芯片制造技术吸引了人们的注意。与7nm技术相比，2NM芯片的性能预计将提高%，或降低%的能耗，而2NM芯片比目前尖端的2NM芯片更小，速度更快。　　据IBM称，*的电池寿命增加了三倍，用户一次只能充电4天，有助于碳中和，互联网体验更好，自动驾驶功能更强，响应时间也更短。　　据报道，台积电的5nm芯片每平方毫米约有1.亿个晶体管，三星的5nm芯片每平方毫米约有1.亿个晶体管。新的IBM2NM芯片每平方毫米约有3.亿个晶体管，其密度是TSMC5nm的两倍。

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　　IBM表示，其采用2NM工艺制造的测试芯片采用纳米片堆叠的晶体管，所制成的3层GAA纳米片首次使用底部电介质隔离，能够实现nm的栅极长度，减少电流泄漏，有助于减少芯片上的功耗。　　该芯片的另一项新技术是IBM提出的内部空间干燥工艺，这有助于实现纳米片的开发。该芯片不仅在中间和后端广泛使用EUV技术，例如芯片前端的EUV技术。这种技术最终可以使2NM芯片所需的步骤比7nm少得多，可以促进整个晶圆厂的发展，但也可以降低一些成品晶片的成本。　　2NM晶体管(上表Vt)的阈值电压可以根据需要增加和降低，例如，手持设备的电压较低，而用于数百亿超级计算机的CPU电压较高，但IBM没有透露2NM技术是否将使用硅锗通道。　　根据*息显示，台积电3nm预计年量产，2nm则到等到年才能进行量产。换言之，如果IBM找台积电代工，我们最早能用上2nm芯片的时间就要等到年；如果IBM找三星代工，那么略逊一筹的三星可能就要让我们再推迟一年等到年才能用上。　　

　　那么，在年我们用上相比7nm工艺芯片降低了%能耗或提升了%性能的2nm工艺芯片，我们就能把定位器做到IBM宣称的四天一充吗？

　　这恐怕很难吧！对此，你怎么看呢？欢迎在评论区留言互动哦！.ptg{padding-left:px;background:*('./static/image/common/tag.gif')no-repeatpx;line-height:px;}.ptga{color:#;}定位器