IBM打脸了！台积电1nm以下制程取得重大突破，国产芯也迎来好消息 (台积电idm)

最近全球芯片“闹饥荒”，严重地影响了各行各业的发展，有消息爆料称最快明年可以缓解这一状况。然而半导体行业确风生水起！

整理分享IBM打脸了！台积电1nm以下制程取得重大突破，国产芯也迎来好消息 (台积电idm)，希望有所帮助，仅作参考，欢迎阅读内容。

内容相关其他词:ibm台式机官网,ibm和台积电,台积电idm,台积电oem,台积电 intel,台积电idm,台积电oem,ibm和台积电,内容如对您有帮助，希望把内容链接给更多的朋友！

　　5月初，IBM首发了2nm工艺芯片，可以在平方毫米大小面积内，容纳亿颗晶体管。与当前主流的7nm芯片相比，IBM2nm芯片的性能预计提升%，能耗降低%，领先台积电、三星！这个消息确实挺震撼的，但2nm芯片还仅停留在实验室内，量产至少要等到年。　　众所周知，目前半导体主流芯片是5nm，虽说3nm也有在用，但尚不成熟，不过对于企业研发而言，自然是越小越好，可晶片单位面积能容纳的电晶体数目“硅”也是有物理极限的，这就需要新的材料。

　　芯片制造工艺提升越来越难，成本也越来越来高，摩尔定律正在失效的说法越来越多。然而令IBM始料未及的是，半个月不到，芯片又传来好消息！台积电在1nm以下制程取得重大突破，没想到一切来得这么快！

　　近日，台大与台积电、美国麻省理工学院合作研究发现二维材料结合「半金属铋（Bi）」。利用该新材料实现接近量子极限的能效，有望打破摩尔定律极限，可以大幅度降低电阻并且提升电流，从而使其能效和硅一样，实现未来半导体1nm工艺的新制程！不得不说，这一次台积电又走在了技术最前沿。

　　根据台积电方面的消息，运用这种材料后，不仅能够研发生产制造1nm芯片，还能够将芯片缩小至1nm以下，未来或可在2-3年内突破并在3年内实现量产！

　　整个半导体行业的竞争也非常激烈，台积电面临着三星和英特尔的追赶，如今再添上IBM围堵，的确需要有更具说服力的技术亮相才行。不过现在压力最大的应该三星了，还没有任何消息传出来。

　　值得注意的是，台积电这项技术的突破也为我国半导体发展带来了新思路。台积电的成功证实了从材料突破上的可能性，国产芯片产业如果想要实现弯道超车，那么新材料会是一个不错的新方向。.ptg{padding-left:px;background:*('./static/image/common/tag.gif')no-repeatpx;line-height:px;}.ptga{color:#;}芯片