Intel 10nm工艺揭秘：2.7倍晶体管密度，首次运用贵金属钌 (英特尔10nm工艺的cpu)

英特尔已经发展了三代nm工艺，还得再用一次，nm则因为良品率始终无法达到满意程度而一再推迟，到年底之后才会升级Intelnm工艺。不过nm处理器最近已经上市了，联想Ideapad就运用了nmCannonlake架构的Corei3-处理器，通过分析英特尔的nm工艺晶体管密度达到了MTr/mm2，是nm节点的2.7倍，而且英特尔首次运用了贵金属钌。

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　　日前，以联想Ideapad中的Corei3-处理器为例分析了Intelnm工艺，详细报告还没有发布，他们只公布了部分数据，Intelnm工艺主要创新如下：　　·逻辑晶体管密度达到了.8MTr/mm2，也就是每平方毫米1亿个晶体管，晶体管密度是nm工艺的2.7倍多。

　　英特尔之前公布的自家nm工艺特点·nmFinFET运用的是第三代FinFET晶体管工艺技术·nm工艺的最小栅极距（gatepitch）从之前的nm缩小到了nm。·nm工艺的最小金属间距（metalpitch）从之前的nm缩小到了nm。Intelnm工艺亮点：·与现有nm及即将问世的7nm工艺相比，英特尔nm工艺具有最好的间距缩小指标·在后端制程BEOL中首次联合运用金属铜及钌，后者是一种贵金属·在contact及BEOL端运用了自对齐曝光方案（self-alignedpatterningscheme）规划亮点：·通过6.2-Track高密度库实现了超级缩放（Hyperscaling）·Cell级别的COAG（Contactonactivegate）技术　　关于Intelnm工艺的优势，之前我们也介绍过，而且英特尔CEO科赞奇也解释过他们的nm工艺为什么难产的问题，一大原因就是他们的nm工艺指标定的太高了，nm工艺MTr/mm2的晶体管密度实际上跟台积电、三星的7nm工艺差不多，性能指标再先进，最终也要转换成有竞争力的产品，才算数。