在技术上三星固态硬盘首次落后于英特尔傲腾，要靠低价取胜 (三星掌握的技术)

三星是一家标榜技术与时尚的公司，作为韩国的国家支柱，三星在多个领域取得世界领先的地位。不过有些时候三星也不得不向业界大佬低头，比如最近三星公开讨论的三星固态硬盘Z-SSD，在关键技术指标上落后于英特尔的Optane傲腾，未来几年只能以低价拼市场。

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在技术上三星固态硬盘首次落后于英特尔傲腾　图1　　运用*性3DXPoint技术的傲腾以超低延迟给企业级使用带来近似内存的性能，占领高端往往意味着技术压制。三星并没有能够与3DXPoint介质相匹敌的新类型闪存，它选择利用当前已经在消费级市场边缘化的MLC闪存去模拟SLC运用——正如三星固态硬盘Pro在做的那样，只不过新闪存进行了更多的优化，以期获得追赶Intel傲腾的资本。三星将这项技术称之为Z-NAND。

在技术上三星固态硬盘首次落后于英特尔傲腾　图2　　在关键性的延迟指标上，运用Z-NAND的SZ比运用3DXPoint的OptaneDCPX慢一倍左右，尽管在随机读写IOPS上领先于对手，但包括Tom’sHardaware在内的外媒对此提出了质疑：三星没有披露这个随机读写IOPS是在何种条件下取得的——极有可能只是纯读取或纯写入最理想情况下的表现，而在真正运用环境下混合读写会有显著掉速，正如其他NAND闪存固态硬盘的表现一样。　　耐久度方面，三星固态硬盘SZ给出了DWPD的指标，同IntelOptane持平，这意味着它可以在保修年限内每天覆盖写入全盘容量的倍数据。不过这个参数并不够以令人吃惊：毕竟运用2DeMLC闪存的企业级固态硬盘当前已能达到DWPD，将MLC以SLC模式运用对耐久度提升有一定帮助，但还不够以达到真正SLC闪存的水平。　　除了连续读写带宽、随机读写IOPS等指标之外，三星还以RocksDB数据库使用性能的形式披露了运用Z-NAND的SZ与运用3DTLC的PMa的性能差距：

在技术上三星固态硬盘首次落后于英特尔傲腾　图3

在技术上三星固态硬盘首次落后于英特尔傲腾　图4　　对比来看的性能差距虽然很显著，但三星显然找了一个比较弱的选手，用MLC模拟SLC闪存去对比TLC闪存显然缺少了一些惊艳。另外根据三星披露的性能数据，Z-NAND在低队列深度下延迟优秀，但随着IOPS上升到K之后延迟会急剧上升，甚至会比当前3DTLC还要慢。注意下图数据只是4K纯随机读取，并未掺杂分毫写入，也就是实际使用中几乎不存在的绝对理想状态，这也从侧面印证了SZ的IOPS水分。

在技术上三星固态硬盘首次落后于英特尔傲腾　图5　　三星采用传统闪存技术制造Z-NAND意味着比3DXPoint更低的研究成本，既然在性能上拼不过对手，那就打性价比牌吧！当年为了和Intel拼抢第一消费级NVMe固态硬盘的名头，三星先拿出的是AHCI版的三星固态硬盘SM（真正NVMe版本晚于上市），要抢个第一容易嘛？！　　技术方向没有对错，谁能获得成功取决于谁更能满足用户的需要并为用户创造更多的价值，消费级固态硬盘中也有着相似的道理，有些盘虽然性能不是顶尖，但更低的*、足够用的性能，一样能获得用户的青睐。