从储存芯片行业之争看储存器发展历程 (储存芯片市场占比)

整理分享从储存芯片行业之争看储存器发展历程 (储存芯片市场占比)，希望有所帮助，仅作参考，欢迎阅读内容。

内容相关其他词:储存芯片市场占比,从储存芯片行业角度分析,储存芯片行业发展现状,存储芯片产业,存储芯片产业,储存芯片市场规模,存储芯片产业,储存芯片行业龙头,内容如对您有帮助，希望把内容链接给更多的朋友！

从储存芯片行业之争看储存器发展历程　图１　　储存器分为两种，一种是易失性储存（以SRAM储存器和DRAM储存器为代表），另一种是非易失性储存。当前市场上主流的储存器就三大类，分别是DRAM储存器、NAND闪存（NANDFlash）和NOR闪存（NORFlash）。并且，近些年来，厂商们对DRAM储存器和NAND闪存的需要量甚多。　　如果回看储存芯片的发展史，就该知道，DRAM储存器和NOR储存器都最先是由英特尔研究出来的，NAND储存器则是由Toshiba开发出来的。随着互联网、通信与消费电子等行业一直朝着更高层次发展，人们不仅对智能定位器和电脑等产品的需要量大增，还对这些产品的（性能）要求越来越高。于是，储存芯片行业也随之迅猛地发展。一年下来，储存器的产值已经增加到了多亿美元，这在半导体的总产值中占了差不多四分之一的比率。DRAM储存芯片和NAND闪存芯片的产值之和又在储存器的产值中占去了%左右的比率。

从储存芯片行业之争看储存器发展历程　图２

从储存芯片行业之争看储存器发展历程　图３　　DRAM储存芯片这一市场基本是被三星、海力士和美光三家大厂瓜分。而NAND闪存芯片这个市场上的玩家主要就六家，分别是三星、海力士、美光、Toshiba、西部数据和英特尔。现在，国际上的DRAM储存器已经到了nm节点以下，三星、海力士和美光已相继规划出了量产1xnm节点的DRAM储存芯片。至于NAND储存器，2DNAND闪存芯片已到了1znm的阶段。比如，三星的nm、海力士的nm、美光的nm和Toshiba的nm的NAND闪存，皆在年量产。从年起，3DNAND技术被厂商们使用到了闪存芯片行业中来，三星和西部数据都已量产了层堆栈（Gb）的3DNAND闪存芯片。