怎样操作不会加剧固态硬盘磨损? (怎么样才能加好友不频繁)
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案例1: 固态硬盘内不一样目录间移动文件,文件*进度框会一闪而过,和跨盘移动文件感受完全不一样。这个过程只是文件分配表内指针的更改,不会产生大的写入,不会造成磨损。 案例2: 闪存没有读取损耗,所以反复读取固定位置的文件不影响寿命。不过对于TLC闪存而言会有读取干扰的问题,当一个位置数据被读取超过一定次数就需要进行搬移重写以避免数据出错。而像ToshibaQ这类MLC闪存固态硬盘则没有这种顾虑了。 案例3: 大文件修改后反复覆盖写入不会严重影响固态硬盘寿命,软件只会重写修改部分的内容。另外由于磨损均衡策略,反复读写同个位置不会像机械硬盘那样产生*影响。 大文件写入,考验的是闪存的写入速度,MLC闪存的Q相比TLC闪存固态硬盘写入速度更快更持久。 案例4: 虚拟内存不必禁用,只有内存不够时虚拟内存才会产生写入。只有把虚拟内存放在固态硬盘上才能充分发挥应有性能。玩绝对求生内存不够太卡吃不到鸡?加块固态硬盘试试! 和虚拟内存同理,休眠以及混合休眠也没必要禁用,一次*休眠过程写入只增加1GB左右,而你跑一次AS测验就会消耗5GB的写入量,每天AS跑分才是固态硬盘毁灭者。 案例5: 优化驱动器不会对固态硬盘造成损害。Win已能自动识别硬盘类型,对于固态硬盘只执行手动Trim,不会增加大量写入。 案例6: WinPrefetch预读在有机械硬盘的时候可以优化性能,不关闭它也不会增大多少写入量,只不过对于固态硬盘来说起不到加速效果罢了。 关于写入量和保修: 小编发现,固态硬盘厂商对待写入量与保修关系时采取了截然不一样的态度,以三星为代表是严格*写入的,Evo保修5年,但若写入*就过保了:再长的保修时间也成了一张空头支票 Intel虽然没有明确*写入量,但也在SMART项中增加了磨损指标,当剩余健康度降至零之后,再想返修就会拒保了。另外像p等型号还会在标称建议写入量用完后直接锁盘禁止新的数据写入,这下等于给固态硬盘塑了一座金身,买的没有卖的精! 当然,更多的固态硬盘制造商忽视了写入量,比如Toshiba并没有明确写入达到多少就会失去保修,这就给用量较大的玩家带来了实惠。尤其是MLC闪存的ToshibaQG,理论擦写寿命高达次,写入放大按通常5倍计算,每天写入G预期寿命也达到年以上。