三星今天宣告11nm新工艺 7nm明年下半年或将试产 (三星2021年8月11日)
编辑:rootadmin
据快科技报道三星电子今天宣告了新的nmFinFET制造工艺“LPP”(LowPowerPlus)，并确认未来7nm工艺将上EUV极紫外光刻。
整理分享三星今天宣告11nm新工艺 7nm明年下半年或将试产 (三星2021年8月11日)，希望有所帮助，仅作参考，欢迎阅读内容。
内容相关其他词:三星昨天发布,三星宣布,三星最新进展,三星官宣,三星即将,三星官宣,三星宣布,三星宣布,内容如对您有帮助，希望把内容链接给更多的朋友！
三星公布EUV技术7、纳米LPP工艺，明年开始投产 三星新加入了nmLPP工艺，其实就是改良后的nmLPP马甲，不过性能提升了%，单位面积的功耗降低了%。除了在旗舰*芯片上运用nmFinFET工艺外，三星还打算将nm工艺处理器运用在中高端定位器，nm工艺计划在年上半年投产。三星还证实采用EUV光刻技术的7nmLPP工艺芯片正在开发当中，目标是在年下半年投产。 三星表示，nm用于旗舰定位器，nm用于中高端，形成不一样化，估计年上半年在市场投放。 业界普遍认为7nm工艺是一个重要节点，是半导体制造工艺引入EUV技术的关键转折，这是摩尔定律可以延续到5nm以下的关键；引入EUV工艺可以大幅提升性能，缩减曝光步骤、光罩数量等制造过程，节省时间和成本。 在7nm工艺上的竞争，可能会引发全球两大芯片企业高通和苹果订单的变动，业界传出消息指高通很可能将其明年的高端芯片骁龙交给台积电，而三星则可能夺得苹果A处理器的订单。 LPP工艺将填补三星nm、nm之间的空白，号称可在同等晶体管数量和功耗下比LPP工艺提升％的性能，或者降低％的功耗，另外晶体管密度也有所提升。 另有报道称，在那之前的明年上半年，三星会首先在8LPP工艺的特定层上运用EUV。
