三星宣告11nm新工艺，未来将采用EUV极紫外光刻技术 (三星11th premium edition手机报价)
编辑:rootadmin
随着高通骁龙、联发科HelioX3等nm芯片的广泛使用，三星、台积电等企业纷纷发力更加先进的7nm工艺芯片。而今天，三星确认年下半年试产的7nm工艺将上EUV极紫外光刻(全面融合)，同时还公布了全新的nmFinFET制造工艺“LPP”。
可能同学们要问了，nm都已经量产好久了么，怎么三星还在研究nm的工艺呢？原来，三星的nm工艺意在填补nm与nm芯片之间的空白，其实也是为了对标台积电nmFinFET。三星对外宣称性能提升了%，单位面积的功耗降低了%，但是各大网站都陆续发现了这次三星的LPP不是开发的新工艺，而是一部分采用nmBEOL(后端工艺)，大大缩小芯片面积，另一部分则沿用nmLPP工艺的部分元素，来拼合而成的新nmLPP。 看起来三星又在nm工艺的芯片上换了个马甲，Intel说的没错，你们几家小厂子自己小打小闹还乱取名字，活该落后我们整整一代的产品。 三星还给自家的产品制定好了发展路线，nm芯片会用于旗舰定位器，nm用于中高端*，以形成不一样化，估计新的nm芯片将会在年上半年投放市场。同时，三星也成为了市场上最先确认7nm的公司，三星的7nmLPP定于下半年量产，将会采用EUV极紫外光刻技术。 EUV光刻机 EUV技术虽然发展至今虽然正在逐步走向成熟，但仍是困难重重，但是三星表示，从年开始，基于EUV技术已经处理了片晶圆，并且现在在MbSRAM（静态随机储存器）良率已经达到了%。 这个月好像各家公司都忽然开窍了，不知道如何维修自己家的新工艺都成熟了，不过表面上虽然都宣传的很强劲，但是具体几分能耐也只有他们自己知道吧，我们作为消费者，我们就搬着小板凳静静等着产品发布吧~
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