三星忽然宣告11nm工艺：后边还有10/9/8/7/6/5nm (三星最新回应)

Intel虽然一再强调自己的xxnm工艺才是最精确的，比如同样标称nm，自己要比三星、台积电的领先整整一代，但是没办法，人家的脚步要快得多。今天，三星电子又宣告了新的nmFinFET制造工艺“LPP”(LowPowerPlus)，并确认未来7nm工艺将上EUV极紫外光刻。

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　　三星LPP工艺不是全新的，而是nm、nm的融合，一方面采用nmBEOL(后端工艺)，可以大大缩小芯片面积，另一方面则沿用nmLPP工艺的部分元素。　　三星于年月投产LPE(nmLowPowerEarly)，并已准备好即将投产LPP(nmLowPowerPlus)，主要为智能*制造芯片，nm工艺则针对主流、低功耗和紧凑型芯片。　　下一步，三星还会增加LPU、LPU版本。　　LPP工艺将填补三星nm、nm之间的空白，号称可在同等晶体管数量和功耗下比LPP工艺提升％的性能，或者降低％的功耗，另外晶体管密度也有所提升。　　三星计划年上半年投产LPP工艺。　　未来，三星还一路准备了9nm、8nm、7nm、6nm、5nm工艺，其中7nm7LPP版本会全面融合EUV极紫外光刻，确认年下半年试产。　　另有报道称，在那之前的明年上半年，三星会首先在8LPP工艺的特定层上运用EUV。　　三星表示，年以来，已经运用EUV技术处理了接近万块晶圆，取得了丰硕成果，比如MbSRAM的良品率达到了％。