三星提出闪存新标准：体积更小容量更大 (三星的闪存是最好的吗)

正在美国旧金山举办的闪存峰会（FlashMemorySummit）上，三星推出了新一代V-NAND闪存颗粒，容量大幅提升，达到1Tb（1Terabit）。此外，三星还一同提出了NGSFF（NextGenerationSmallFormFactor）标准，取代M.2固态硬盘规格。

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　　三星新一代V-NAND（垂直堆叠3DNAND）将此前最大的储存单晶粒Gb容量直接翻倍，提升到1Tb，而且将用于消费级的产品，三星将要推出的2TBSSD产品会用上最新的V-NAND，用一颗芯片封装个1Tb的Die，使得整个SSD产品的体积进一步缩小。　　也正因为这个原因，新的产品大小将比传统M.2接口SSD中最小的（NGFF）的电路板规划更小，故而三星也提出新的NGSFF（NextGenerationSmallFormFactor）标准以适应需要。