DDR3中的ODT同步模式详解 (同步dram)

之前简单介绍了一下DDR3的ODT的作用，今天来详细聊一聊ODT的几种*作模式，首先是ODT的同步*作模式，这也时运用最多，最常用的模式。　　聊一聊DDR3中的ODT如下　　只要DLL处于开启且是锁定状态，就处于同步ODT模式。当DLL处于关闭状态时，不可运用直接ODT（DirectODT）功能。此时，必须通过连续置ODT引脚为低电平，并将RTT_Nom电阻值置为0（setMR1{A9,A6,A2}to{0,0,0}）。　　在同步ODT模式下，RTT会在ODT被采样为高电平的那个时钟上升沿之后的ODTLon个时钟周期被打开，同时，RTT会在ODT被寄存为低电平（采样并被寄存）之后的ODTLoff个时钟周期被关闭。其中，ODT的潜伏期（Latency）取决于写潜伏期（WL）：ODTLon=WL-2；ODTLoff=WL-2；　　补充说明：WL，写潜伏期，即写入命令发出到第一笔数据输入（主机到DDR的写入）的潜伏期。WL=AL+CWL。　　如下表：

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　　在同步ODT中，我们主要关心下面四个参数：　　ODTLon,ODTLoff,tAON,min,max,tAOF,min,max.　　ODTLon,ODTLoff已经介绍过了，下面讲一讲tAON,min,max,tAOF,min,max.　　MinimumRTTturn-ontime(tAONmin)isthepointintimewhenthedeviceleaveshighimpedanceandODTresistancebeginstoturnon.MaximumRTTturnontime(tAONmax)isthepointintimewhentheODTresistanceisfullyon.BotharemeasuredfromODTLon.　　MinimumRTTturn-offtime(tAOFmin)isthepointintimewhenthedevicestartstoturnofftheODT　　resistance.MaximumRTTturnofftime(tAOFmax)isthepointintimewhentheon-dieterminationhas　　reachedhighimpedance.BotharemeasuredfromODTLoff.　　WhenODTisasserted,itmustremainhighuntilODTH4issatisfied.IfaWritecommandisregisteredbytheSDRAMwithODThigh,thenODTmustremainhighuntilODTH4(BL=4)orODTH8(BL=8)aftertheWritecommand(seeFigure).ODTH4andODTH8aremeasuredfromODTregisteredhightoODTregisteredloworfromtheregistrationofaWritecommanduntilODTisregisteredlow.　　两个ODT*作的例子：

　　注意：上面给出的都是写入的例子，并不适用于读取模式。由于DDR3SDRAM并不支持同时读取和写入（AstheDDR3SDRAMcannotterminateanddriveatthesametime），RTT必须在进行数据读取之前的半个时钟周期，通过置ODT引脚为低电平将RTT禁止。　　重要说明：也就是说，DDR3SDRAM中的ODT功能只支持写入*作，并不支持读取*作。换句话说，就是需要在读数据时，打开主控端的ODT（前提是主机支持ODT），关闭DDR3端的ODT；而在写数据时，则相反；数据线空闲时，则关闭两端的ODT。