DDR扫盲——DDR与DDR2、DDR3的分别 (ddrl和ddr)

DDR2与DDR的分别　　1、速率与预取量　　DDR2的实际工作频率是DDR的两倍，DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4bit预期能力。　　2、封装与电压　　DDR封装为TSOPII，DDR2封装为FBGA；　　DDR的标准电压为2.5V，DDR2的标准电压为1.8V。　　3、bitpre-fetch　　DDR为2bitpre-fetch，DDR2为4bitpre-fetch。　　4、新技术的引进　　DDR2引入了OCD、ODT和POST　　（1）ODT：ODT是内建核心的终结电阻，它的功能是让DQS、RDQS、DQ和DM信号在终结电阻处消耗完，防止这些信号在电路上形成反射；　　（2）PostCAS：它是为了提升DDR2内存的利用效率而设定的；　　在没有前置CAS功能时，对其他L-Bank的寻址*作可能会因当前行的CAS命令占用*线而延后，并使数据I/O总线出现空闲，当运用前置CAS后，消除了命令冲突并使数据I/O总线的利率提升。　　（3）OCD（Off-ChipDriver）：离线驱动调整，DDR2通过OCD可以提升信号的完整性　　OCD的作用在于调整DQS与DQ之间的同步，以确保信号的完整与可靠性，OCD的主要用意在于调整I/O接口端的电压，来补偿上拉与下拉电阻值，目的是让DQS与DQ数据信号间的偏差降低到最小。调校期间，分别测验DQS高电平和DQ高电平，与DQS低电平和DQ高电平时的同步情况，如果不满足要求，则通过设定突发长度的*线来传送上拉/下拉电阻等级，直到测验合格才退出OCD*作。

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　　DDR3与DDR2的分别　　1、DDR2为1.8V，DDR3为1.5V；　　2、DDR3采用CSP和FBGA封装，8bit芯片采用球FBGA封装，bit芯片采用球FBGA封装，而DDR2则有//球FBGA封装三种规格；　　3、逻辑Bank数量，DDR2有4Bank和8Bank，而DDR3的起始Bank8个；　　4、突发长度，由于DDR3的预期为8bit,所以突发传输周期（BL，BurstLength）也固定位8，而对于DDR2和早期的DDR架构的*，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bitBurstChop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取*作加上一个BL=4的写入*作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A位*线来控制这一突发模式；　　5、寻址时序（Timing），DDR2的AL为0~4，DDR3为0、CL-1和CL-2，另外DDR3还增加了一个时序参数——写入延迟（CWD）；　　6、bitpre-fetch：DDR2为4bitpre-fetch,DDR3为8bitpre-fetch；　　7、新增功能，ZQ是一个新增的引脚，在这个引脚上接有欧姆的低公差参考电阻，新增*SRT（Self-ReflashTemperature）可编程化温度控制储存器时钟频率功能，新增PASR（PartialArraySelf-Refresh）局部Bank刷新的功能，可以说针对整个储存器Bank做更有效的数据读写以达到省电功效；　　8、DDR3的参考电压分成两个，即为命令与*信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效低提升*数据总线的信噪等级；　　9、点对点连接（point-to-point,p2p），这是为了提升*性能而进行的重要改动。　　总体比较

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