DDR扫盲——DDR中的名词解析 (ddr iv)

RAS：RowAddressStrobe，行*选通脉冲；　　CAS：ColumnAddressStrobe，列*选通脉冲；　　tRCD：RAStoCASDelay，RAS至CAS延迟；　　CL：CASLatency，CAS潜伏期（又称读取潜伏期），从CAS与读取命令发出到第一笔数据输出的时间段；　　RL：ReadLatency,读取潜伏期；　　tAC：AccessTimefromCLK,时钟触发后的访问时间，从数据I/O总线上有数据输出之前的一个时钟上升沿开始到数据传到I/O总线上止的这段时间；

整理分享DDR扫盲——DDR中的名词解析 (ddr iv)，希望有所帮助，仅作参考，欢迎阅读内容。

内容相关其他词:ddr内存中ddr是什么意思,ddr?,ddr ui,ddr的dqs,ddr ui,ddr?,ddr的zq,ddr的zq,内容如对您有帮助，希望把内容链接给更多的朋友！

　　tWR：WriteRecoveryTime,写回，保证数据的可靠写入而留出足够的写入/校正时间，被用来表明对同一个bank的最后有效*作到预充电命令之间的时间量；BL：BurstLengths,突发长度，突发是指在同一行中相邻的储存单元连续进行数据传输的方式，连续传输所涉及到储存单元（列）的数量就是突发长度(SDRAM)，在DDRSDRAM中指连续传输的周期数；　　Precharge：L-Bank关闭现有工作行，准备打开新行的*作；　　tRP：Prechargecommandperiod，预充电有效周期，在发出预充电命令之后，要经过一段时间才能允许发送RAS行有效命令打开新的工作行；

　　AL：AdditiveLatency，附加潜伏期（DDR2）；　　WL：WriteLatency，写入命令发出到第一笔数据输入的潜伏期；　　tRAS:ActivetoPrechargeCommand，行有效至预充电命令间隔周期；　　tDQSS：WRITECommandtothefirstcorrespondingrisingedgeofDQS，DQS相对于写入命令的延迟时间；

逻辑Bank　　SDRAM的内部是一个储存阵列，要想准确地找到所需的储存单元就先指定一个（row）,再指定一个列（Column）,这就是内存芯片寻址的基本原理。

　　芯片位宽　　SDRAM内存芯片一次传输率的数据量就是芯片位宽，那么这个储存单元的容量就是芯片的位宽（也是L-Bank的位宽）；　　储存单元数量=行数*列数（得到一个L-Bank的储存单元数量）*L-Bank的数量也可用M*W的方式表示芯片的容量，M是该芯片中储存单元的总数，单位是兆（英文简写M，精确值是），W代表每个储存单元的容量，也就是SDRAM芯片的位宽，单位是bit；　　DDRSDRAM内部储存单元容量是芯片位宽（芯片I/O口位宽）的一倍；　　DDR2SDRAM内部储存单元容量是芯片位宽的四倍；　　DDR3SDRAM内部储存单元容量是芯片位宽的八倍；　　DDR4SDRAM内部储存单元容量是芯片位宽的八倍。