DDR扫盲——single rank与dual-rank (ddr iv)

一般来讲，一条内存总线的data宽度是bits，也就是说总线上有条道，每条道上一次传送1位数据。　　DIMM上的每个内存颗粒，提供4位、8位或者位数据，来组成这位数据(dataword)。提供4位数据的芯片记作x4，提供8位数据的记作x8（即x4、x8andxConfiguration）据此，要组成一个位的word就需要片x4的芯片或者8片x8的芯片（没有x4和x8的芯片混搭的情况）。所以，一条DIMM上一般至少有8颗内存颗粒（x的用的比较少），排列在DIMM的一面或两面上。标准的DIMM的每一面有足够的空间容纳第9颗芯片，这第9颗芯片用来储存4bits或8bits的ECC.　　如果1根ECCDIMM的9颗芯片都位于DIMM的同一面，就叫做single-sided（单面）。如果9颗芯片分布在DIMM的两面，就叫做double-sided（双面）。　　1根single-sidedx8ECCDIMM，和1根double-sidedx4ECCDIMM，产生bits数据(bitsdata+8bitsECC)。前者单面8颗芯片，后者双面，每面8颗共颗芯片。两者都只用1个片选信号用来激活DIMM上的所有芯片。相反，1根double-sidedx8DIMM要求有2个片选信号来激活DIMM上的芯片来访问-bit的block.（总结得出，1个片选信号对应bitsdata，这样才能控制bit的数据齐进齐出，对吧）。

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　　作为对single-sided和double-sided的补充，DIMM还被分为single-rank和double-rank（也就是我们在内存的lable上经常能看到的1R，2R）。内存的rank的定义，是指在DIMM上通过一部分或者所有的内存颗粒产生的一个-bit的area或者说block。对ECCDIMM来说，一个内存rank有个数据位（bitsdata+8bitsECC).　　1根single-rankECCDIMM(x4orx8)为了产生bits的block要动用到它身上所有的内存芯片，这些芯片被同一个片选信号控制。而1根double-rankECCDIMM可以产生2个block的bits数据，但需要2个片选信号。这两个片选信号是交错的，因此两组芯片（被同一片选信号控制的芯片为1组）不用争抢内存总线。　　另外还有quad-rank的DIMM，由4个片选信号控制4组芯片。这4个片选信号也是交错的。（4R的DIMM一般用在server上面）。（singlerank的DIMM与double-rank的DIMM在实际运用中相比较，1R的有优点。有些平台对内存的支持，不仅仅在内存容量上有*，还在rank上也有*。像Intel的E和E就*在8rank.平台虽然一共有8个内存插槽，但是如果用了两对2GBdouble-rank的内存，就已经达到了8rank的上限（2对，共4根内存，每根有两个rank)。这时，纵使还有4个内存插槽空着，也不能在往上升级，这才只有8GB的内存在运用。如果，换成4对2GBsingle-rank的内存，同样是达到8rank的上限，可是内存容量却达到了GB。差距还是很大的哦！）　　芯片组把每个rank当作一个在内存总线上的electricalload。对于较慢速度的总线，load的数量并不对总线纤毫的完整性产生负面影响。但是对于速度较快的总线来说，比如DDR2-，芯片组可以驱动的load是有限的。为了补偿，现在的芯片组提供多个内存总线。