缺货阴影下的半导体众生态
编辑:rootadmin
全面缺货！储存器、无源器件、晶圆……整个电子半导体产业的这种缺货、涨价行情已连续一年有余。 缺货究竟到了什么程度？为什么会这样？还要连续多长时间？我们来探究一下吧。 首先，为您梳理一下近日芯片和元器件的行情，看看哪些缺货，哪些涨价，希望对您的采购有所帮助。 1、*X的钽电容，今年会缺，*X工厂出现过*，产能受限，另一工厂产能也上不去，ROHM的产能都被汽车booking了。MnO2钽电容正在涨。手上有订单、有货的应该可以像储存器一样大赚。虽然MLCC和polymer能替代，但一些高容产品还是会考虑成本原因，继续运用Mno2钽电容。 2、MAXECM+--MAXIM公司，现货紧缺，订货交期周，参考价在USD以上。 3、ADUMARWZ-RL–ADI公司，很缺，国内现货报价5RMB，出货很快，国内现货前一天报价，客户下单第二天确认已经没货了。 4、LMZSILT–TI公司，现在很缺，订货交期周左右。 5、TBAFG(O,8,EL)–TOSHIBA公司，代理有5K现货，批号＋有点老，*US$0.左右，另外TOSHIBA的内存料，因为原厂交期很差，代理还是不能支持订货。 6、CSDQ3–TI公司，国内现货渠道大量现货，老批号＋，*2.3RMB。 7、XCAMR–TOREX公司，该产品国内3~4家代理*都差不多，基本都在US$0.-0.之间，大部分都有一些现货，订货交期4~6周。 8、IRFTRPBF–IR公司，SPQ:pcs/reel停产料，LOU*YEN有2包，*在US$0.。 9、T-B-TR–STM公司，该产品与NXP/WEEN的BT-,/是通用的，FUTURE有K现货，*0.USD没有优势；韩国现货上有K，*0.USD。 、FRL--FIRSTSILICON公司，韩国本土一个小品牌，原厂没有库存，订货交期6周，*在US$0.左右。 、MKLZVFK4–NXP，1~2个月后才能批量，现在COST0.6USD，*小幅度上浮。 、HMCL–Honeywell，已停产，*直线上升，现在COST已到3.5USD。 、FTRLCOST:.7,汽车电子及工控类都有用到这两颗料，市场报价在.~.之间，不缺，*竞争激烈。 、FTRLCOST:.5,市场报价在.~.之间，不缺，*竞争激烈。 、SSM-1RMZ-R2–ADI，现货极缺，订货：~周，cost:1.USD,相对去年采购价已翻倍。 好了，先介绍这些吧，不知道对您是否有帮助。相关产品行情我们会在今后陆续放出。 缺货之探究 下面我们从宏观层面，介绍并分析一下电子半导体市场全面缺货的现象和原因。 储存器市场僧多粥少 从年第二季度开始，以SSD固态硬盘为代表，包括固态硬盘、内存条、优盘甚至闪存卡在内的整个内存行业，开始缓慢涨价。进入年后，涨价的势头并没有停止，整个储存行业掀起了新一轮的大幅涨价潮。 年~年上半年，G/G的SSD*一度降至元/元，而G的SSD也有不少低至元。不过，好景不长，自年下半年开始，SSD的*出现全面上调，涨幅超过市场预期。 固态硬盘等储存产品大幅涨价的原因是供需失衡。但也有部分业内人士认为，此轮涨价背后并非完全由市场供需决定，也不排除部分NANDFlash供应商有意为之的可能。 1、增产？主要厂商似乎不这么想 现在全球范围内从事NAND闪存生产的厂商不少，但有市场定价能力的只有6家，分别是三星（Samsung）、Toshiba（Toshiba）、英特尔（Intel）、海力士（SKhynix）、美光（Micron）和闪迪（SanDisk），这些企业很多在中国有生产线，几乎垄断了全球大部分闪存市场。 今年，三星、Toshiba、美光、海力士等主要的内存大厂都没有增产计划，而是进行制程转换，目的是将主要产能从2DNAND制程转向生产3DNAND。年，三星新工厂Fab和Fab都将投入V-NAND生产，3D技术也将向层提升。
中国闪存市场ChinaFlashMarket估计三星V-NAND生产比重在年一季度可达到%，二季度将达到%以上，在3DNAND爆发元年将有很大的市场竞争优势。 英特尔在年第三季度开始试产层3DNAND，估计年中期转至层量产；而年美光层3DNANDMLC版本单Die容量GB，TLC版本容量GB，是现在除原厂品牌之外，市场3DSSD的主要货源之一，在3DNAND技术上，美光选择了跨过层NAND闪存，计划在年直接量产层NAND颗粒；海力士自然也不例外，年海力士计划提升至层3DNAND量产，公司将在一季度推出样品，并于二季度开始小批量生产，从堆叠层数来看，已经赶上甚至反超竞争对手。 虽然各个厂商都力图提升制程，但在切换的过程中，3DNAND量产严重不够，良率过低，而2DNAND产能也在下滑，这种局面造成全年内存都面临缺货的状况，供不应求也导致内存*一路飙升。 DRAMeXchange的数据显示，NAND闪存在年一季度供货依然紧张，NAND闪存芯片的平均*在一季度上涨了%~% 长城证券在6月初的《电子元器件》周报的标题就是，“NAND闪存颗粒依旧供求，全球范围闪存*连续上涨”。该周报认为，“要等到所有的闪存原厂在3D制程上实现了完全突破，良率获得大幅提升，几大原厂能够在同样的技术和成本体系下进行竞争，当前储存产品涨价情形可能会得到缓解。 大部分闪存原厂都是在年开始量产基于最新堆叠层数的3DNAND技术产品，量产的产品经过最终封装和分发到储存厂商手中，然后经由储存厂商进行产品方案的选择和最终推出到市场，可能还会经历一段时间。因此当前的涨价趋势可能还会连续半年以上。” 2、智能定位器和服务器需要大增 在需要端，对于储存产品的需要越来越大，包括中国企业大量切入的智能定位器市场、无人机市场，以及服务器市场。 首先是智能*等数码产品容量的提升。现在，智能定位器、笔记本、平板电脑等设备一直向大容量迈进，苹果、三星、华为、OPPO、VIVO等品牌的定位器出货量都在千万级别，也加剧了闪存颗粒的稀缺。 二是由于现在固态硬盘技术越来越成熟、稳定，固态硬盘开始大规模使用在服务器市场。事实上，在传统的储存行业，一直存在着消费级市场和服务器级市场。一般来说，新兴的储存技术在消费级储存市场得到了充分验证，保证技术上的稳定后，服务器级市场便会开始大规模使用。 在固态硬盘技术处于2DNAND时代，服务器级市场几乎很少运用固态硬盘作为储存介质，但随着3DNANDFlash从无到有、从层向层堆叠，越来越多的服务器级市场开始进行产品的更新换代。 此前，Intel官方还在公开场合宣告，随着3DXpoint的成熟，Intel将在年优先生产高速增长的数据中心使用的固态硬盘，而不是低成本的消费级固态硬盘。三是新的使用需要出现，包括物联网、云计算、智能家庭和智能建筑，以及自驾车、无人机和机器人等新使用的流行，NORFlash（非易失闪存技术）作为储存驱动程序码的储存装置被大量使用。但在扩产有限，需要不减反增的情况下，*势必连续上扬。 3、日韩大厂的‘默契’？ 虽然市场方面认为内存大幅上涨的原因无非就是供需失衡，但也有部分业内人士对记者表示，此轮涨价背后并非完全由市场供需决定，也不排除部分NANDFlash供应商有意为之的可能——“很难说这是不是部分日韩供应商‘默契’的涨价行为。” 自去年下半年三星发生了GalaxyNote7“*门”事件以及实际掌门人受到*指控后，唱衰三星的声音不绝于耳。在外界看来，这些事件将导致三星的利润出现大幅下滑，但结果却出人意料。 4月日，三星公布了第一季度的财报，公司取得.万亿韩元收入，同比增长1.5%；营业利润9.万亿韩元，同比增长.2%；而净利润为7.万亿韩元，同比大涨.3%。 事实上，三星今年首季度利润大增得益于三星半导体业务的贡献，其半导体部门营业利润为6.万亿韩元，同比大增.9%；设备搞定方案部门营业利润为7.万亿韩元，同比暴涨.8%，但IT和移动通信部门的营业利润仅为1.万亿韩元，锐减.8%。 一些分析师认为，年的内存供应将会连续紧张，随着NAND、DRAM的继续涨价，三星的利润还将被推高。来自韩国IBK的分析师LeeSeung-woo曾表示，三星今年第二季度的运营利润可达.1万亿韩元，折合亿美元。 可以说，半导体业务将为三星今年的业绩立下“汗马功劳”，正因如此，三星也在积极巩固其在NANDFlash市场的竞争优势。三星电子于6月日宣告已经开始大量生产层GbV-NAND，被称为*VNAND。 三星现在V-NAND占整体NANDFlash产能的%以上，随着层V-NAND（3D垂直闪存）进入量产，V-NAND产能比重将更高，并不断扩大在服务器、PC和移动设备等领域的使用。 针对外界认为部分日韩供应商“默契”涨价的看法，《每日经济新闻》记者联系了三星方面，不过截至发稿，尚未获得回应。 上述三星固态硬盘旗舰店的门店负责人表示，三星Fab工厂已经在6月份投入生产层V-NAND，三星还计划基于层V-NAND在第三季度推出UFS3.0新品，以及推出M.2和2.5英寸规格形态的SSD产品。 与层GbV-NAND相比，新的层GbV-NAND将提升%以上的生产效率。此外，层V-NAND是2.5V输入电压，与运用层VNAND的3.3V相比，能量效率提升了约%。 产业观察家洪仕斌认为，闪存颗粒的核心优势并不掌握在中国企业手中，而国际大厂的垄断也会导致“坐地起价”。其中，三星必须在核心部件中找出盈利空间来弥补其在智能*、彩电等领域的营收下滑。 4、智能*跟涨 固态硬盘等储存元器件的涨价就像一把“*剑”。 一方面，在消费端，对于智能定位器、笔记本电脑等下游企业来说，这意味着成本面的显著增加，相关企业都希望通过涨价来转嫁成本。最终，这些都会由消费者来买单。 另一方面，在这轮涨价潮中，生产内存的企业首先成了大赢家。其中，兆易创新（，SH）等企业的业绩就十分亮眼。根据今年一季报，兆易创新实现营业收入4.亿元，同比增长.%；归属于母公司所有者的净利润为.9万元，同比增长.%。 对于闪存、SSD等必要元器件的涨价，下游企业能够选择的方式只有涨价或者自己消化成本。 事实上，从今年上半年开始，一方面除了苹果之外，中国的智能定位器企业已经开始了一波涨价潮，虽然涨价幅度仅在元~元，但由于智能定位器的出货量巨大，对于生产企业来说还是能产生很大一块的业绩补偿。 另一方面，华为等企业纷纷推出了高端智能定位器，以弥补储存元器件涨价等原因产生的损失。 对于储存元器件的另一个传统大户电脑生产企业来说，在充分竞争的红海中，联想、华硕去年的业绩并不好，元器件的不断涨价更是吞噬了他们的利润。今年以来，联想、戴尔等品牌的高管在不一样场合均表示，元器件的短缺和涨价将逼迫企业涨价，但在这样一个红海市场中，任何企业轻易涨价的结果都可能是失去市场，以至于大部分电脑企业还是选择了自己消化涨价成本。 5、储存器供应商受益 储存元器件涨价意味着Flash原厂三星、海力士、美光以及国内的兆易创新等内存生产厂商营收和利润进一步增加，相关半导体概念股也受到市场极大关心。 对于国际大厂而言，无论是三星、海力士还是Toshiba、美光等都从此轮NAND闪存、DRAM内存涨价中受益颇多。其中，美光的财报已经实现了扭亏为盈。根据今年3月美光发布的财年第二季度财报显示，公司当季实现营收.5亿美元，同比暴涨%。 在强劲营收的推动下，美光当季度盈利情况也大为改善，毛利率从第一季度的.5%提升到.7%；净利润达到了8.亿美元，而第一季度只有1.8亿美元，去年同期则净亏损万美元。 值得注意的是，美光第二季度业绩强劲增长的动力在于，公司DRAM平均售价涨了%，而NAND的销量也提升了%。 （1）、兆易创新的崛起 纵观国内市场，兆易创新等企业的财报业绩也十分亮眼。根据兆易创新此前发布的年报，公司实现营业收入为.亿元，较上年同期增长.%；归属于母公司所有者的净利润为1.亿元，较上年同期增长.%。 今年一季度，兆易创新的营收和利润增幅均超出市场预期。根据一季度报告显示，公司实现营业收入4.亿元，同比增长.%；归属于母公司所有者的净利润为.9万元，同比增长.%。 在NORFlash方面，由于三星、美光等全球闪存芯片巨头逐步淡出NORFlash芯片市场，这为中国芯片规划企业带来了历史性的发展机遇。兆易创新抓住发展机遇，全球市占率从年的3%提升到年的7%，成为本土最大的NORFlash芯片规划企业。 “NORFlash在*等新行业的使用，令市场规模得以扩大。由于国际巨头纷纷退出中低端NORFlash市场，公司充分受益于NORFlash市场本轮涨价潮。”兆易公司高管介绍。 以NOR闪存业务为基础，兆易创新积极向NAND闪存及基于ARM内核的位微*芯片等蓝海领域扩张。NANDFlash市场虽然处于三星、Toshiba、海力士、美光四寡头垄断阶段，但公司通过不一样化竞争，在串行NANDFlash以及小容量并行NAND、MCP等产品领域取得一定市场份额。 *证券分析师认为，兆易创新将长期受益于国家对半导体产业的扶持和产业向中国内地市场转移的趋势。制程升级和产品成本下降，推动公司毛利率连续提升，将巩固公司NORFlash的优势，并增添NAND和MCU等新长大点。 （2）、力晶欲重新启动NOR产能 力晶科技昨天宣告，一旦转投资公司合肥晶合的吋晶圆厂下半年完工量产，将逐步把在*的LCD驱动IC转至合肥生产，腾出的产能可支持客户产出NORFlash。 NORFlash终端强劲需要，已有内存规划厂商与力晶展开NORFlash代工的前置合作，以期尽速切入市场、掌握商机，除可增强内存代工业务战力，同时提升获利空间。 力晶集团执行长黄崇仁表示，重新启动NORFlash生产，主要是因应国际大厂停产导致NORFlash供不应求，为响应客户强劲需要而重新启动生产，搭配既有DRAM、NANDFlash业务，成为全方位内存晶圆代工大厂。 力晶转型为晶圆代工厂前，曾先后投入NOR、NANDFlash领域，但考虑产能*与市场规模，多年前停止NORFlash制造。现在代工业务涵盖LCD驱动芯片、C*影像传感芯片、电源管理芯片等逻辑产品，以及DRAM、NANDFlash等内存产品。 黄崇仁说，国际大厂相继退出NORFlash，导致市场供不应求，今年力晶面临愈来愈多客户反映，希望提供NORFlash晶圆代工服务，由于力晶产能已经挤爆，因此颇为头痛。 黄崇仁指出，去年在安徽合肥市合资兴建的寸晶圆厂，预定今年下半年试产，可逐步支持力晶LCD驱动芯片等逻辑产品客户的产能需要，因此力晶决定在*厂区重新启动NORFlash生产线，进一步增强内存代工业务的整合战力，并协助客户开拓市场。 黄崇仁强调，力晶的吋晶圆厂具备NORFlash量产经验，可快速完成相关产销准备作业。 他分析，全球内存产业包括DRAM、NANDFlash都供不应求，缺货短期仍难化解，力晶在两岸产能的布局，可提供客户更有效的支持，也将进一步强化力晶的营运稳定与获利空间。 （3）、多家储存厂商利好 而台资企业华邦电年1月至5月的合并营收为.亿新台币，较去年同期增加4.%，其中，5月的营收为.亿新台币，较去年同期增长9.%。公司董事长焦佑钧表示，现在NORFlash供应缺口大，缺口可能到明年年中，华邦电将以NORFlash产能为主，希望一年内能把缺口补起来，满足市场需要。 无独有偶，另一家台资企业旺宏电子受惠于NORFlash缺货带动的涨价，公司年1月至5月合并营收为.亿新台币，较年同期增加.5%，其中5月的营收为.亿新台币，较年同期增长.2%。 集邦咨询半导体研究中心研究协理吴雅婷曾表示，DRAM寡头供应格局短期内不会变化，而且大厂皆无新增产能，DRAM*仍维持高位，3DNANDFlash新增产能要到年下半年释放。只有等到技术转换导致的产量缺口被弥补后，其*趋势才可能变化。 晶圆也缺货 在过去年里，硅晶圆产能都是处于供过于求状态，如今硅晶圆不止成为半导体产业的关键物资，同时也是让产业人面临的一个问题是“缺货”，直接影响到半导体厂生产线运作。 尤其是吋规格硅晶圆，包括晶圆代工、DRAM、NANDFlash及NORFlash厂等各方人马抢翻天。 近日传出日本Sumco出手砍单，率先砍掉我国半导体厂商武汉新芯的硅晶圆供应量，武汉新芯只好加价向其他供应商找货源。 环球晶圆表示，半导体市场景气连续长大，环球晶圆3~吋全球海内外各厂的产能稼动率连续满载，订单已到明年。展望未来，全球半导体市场热络，各尺寸硅晶圆供给吃紧状况将连续，环球晶圆今年的营收表现，可望长大亮眼，并再创历史新高，并购综效大幅超越预期。 去年，环球晶圆成功完成两项海外半导体事业并购后，已成为全球第三大半导体硅晶圆供应商。现在环球晶圆已成为全球半导体等国际大厂的主力供应商之一。更多关于硅晶圆资讯请点击右边链接半导体厂开始出手抢货硅晶圆报价Q2大涨Q3再飙。 环球晶圆积极加速新团队的协调整合与组织强化，去年收购丹麦上市半导体公司TopsilSemiconductorMaterialsA/S和美国纳斯达克上市半导体公司SunEdisonSemiconductor，新加入集团的这两家公司的营运绩效表现超越预期。 此外，环球晶圆与日本上市的精密设备公司Ferrotec合作，国内展开8吋半导体硅晶圆运用布局，由环球晶圆提供技术支援，品质*建立与产出的所有8吋晶圆的销售，Ferrotec负责制造与生产管理，全在国内生产8吋半导体硅晶圆。 Ferrotec是环球晶圆的重要策略合作伙伴之一，透过此合作，环球晶圆得以最低资本，最短时间增加8吋硅晶产能。在全球8吋硅晶圆需要强劲供给趋紧之际，此项合作案对环球晶圆8吋的市占率及整体营运将有相当正面的效益。 无源器件未能幸免 第二季度本来是被动组件产业传统淡季，但因需要大于供给，各厂都在动用既有库存，往年业内正常的安全存货天数约2~3个月。现在连续往下掉。 以国巨为例，该公司已经从~天下架到天，这个行业的库存一旦掉到天以下，交货就会非常不顺畅，配货不够精准的厂商，即使有天的安全库存，还是交不了货。被动元件已步入涨价循环。 库存水位若连续下降，就要以价质量，构成第二波上涨的条件，7~8月可望趋向明朗。 前一段时间，国巨董事长陈泰铭表示，国巨是少数全球化布局的被动组件厂，对客户的掌握制度很高，客户关系的维系是最大考虑，调整售价主要是想反映材料成本。他还表示，现在供给无法跟上订单需要，工厂在符合规范之下，已经小时产能全开，依旧供不应求，供需非常不平衡。至于这一波行景会连续多久？表示下半年非常乐观。 国巨启动第一波调整*是在今年4月国巨再发出涨价通知函，将晶片电阻R-CHIP和晶片电容MLCC*调整，因多项目原材料以及包材价连续攀升，新台币大幅度升值，造成成本上有极大的压力。 其实在去年国巨主打的RC系列厚膜电阻全线涨价：涨价5%，涨价5%，-涨价3%，而且交期普遍拉长至8~周，接近延长一倍。 总结 这种缺货现象对我国的半导体产业影响尤为杰出，如何化被动为主动？这是给我们提出的一个大课题，也是我国集成电路产业发展要搞定的问题，需要所有半导体人一起努力！
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中国闪存市场ChinaFlashMarket估计三星V-NAND生产比重在年一季度可达到%，二季度将达到%以上，在3DNAND爆发元年将有很大的市场竞争优势。 英特尔在年第三季度开始试产层3DNAND，估计年中期转至层量产；而年美光层3DNANDMLC版本单Die容量GB，TLC版本容量GB，是现在除原厂品牌之外，市场3DSSD的主要货源之一，在3DNAND技术上，美光选择了跨过层NAND闪存，计划在年直接量产层NAND颗粒；海力士自然也不例外，年海力士计划提升至层3DNAND量产，公司将在一季度推出样品，并于二季度开始小批量生产，从堆叠层数来看，已经赶上甚至反超竞争对手。 虽然各个厂商都力图提升制程，但在切换的过程中，3DNAND量产严重不够，良率过低，而2DNAND产能也在下滑，这种局面造成全年内存都面临缺货的状况，供不应求也导致内存*一路飙升。 DRAMeXchange的数据显示，NAND闪存在年一季度供货依然紧张，NAND闪存芯片的平均*在一季度上涨了%~% 长城证券在6月初的《电子元器件》周报的标题就是，“NAND闪存颗粒依旧供求，全球范围闪存*连续上涨”。该周报认为，“要等到所有的闪存原厂在3D制程上实现了完全突破，良率获得大幅提升，几大原厂能够在同样的技术和成本体系下进行竞争，当前储存产品涨价情形可能会得到缓解。 大部分闪存原厂都是在年开始量产基于最新堆叠层数的3DNAND技术产品，量产的产品经过最终封装和分发到储存厂商手中，然后经由储存厂商进行产品方案的选择和最终推出到市场，可能还会经历一段时间。因此当前的涨价趋势可能还会连续半年以上。” 2、智能定位器和服务器需要大增 在需要端，对于储存产品的需要越来越大，包括中国企业大量切入的智能定位器市场、无人机市场，以及服务器市场。 首先是智能*等数码产品容量的提升。现在，智能定位器、笔记本、平板电脑等设备一直向大容量迈进，苹果、三星、华为、OPPO、VIVO等品牌的定位器出货量都在千万级别，也加剧了闪存颗粒的稀缺。 二是由于现在固态硬盘技术越来越成熟、稳定，固态硬盘开始大规模使用在服务器市场。事实上，在传统的储存行业，一直存在着消费级市场和服务器级市场。一般来说，新兴的储存技术在消费级储存市场得到了充分验证，保证技术上的稳定后，服务器级市场便会开始大规模使用。 在固态硬盘技术处于2DNAND时代，服务器级市场几乎很少运用固态硬盘作为储存介质，但随着3DNANDFlash从无到有、从层向层堆叠，越来越多的服务器级市场开始进行产品的更新换代。 此前，Intel官方还在公开场合宣告，随着3DXpoint的成熟，Intel将在年优先生产高速增长的数据中心使用的固态硬盘，而不是低成本的消费级固态硬盘。三是新的使用需要出现，包括物联网、云计算、智能家庭和智能建筑，以及自驾车、无人机和机器人等新使用的流行，NORFlash（非易失闪存技术）作为储存驱动程序码的储存装置被大量使用。但在扩产有限，需要不减反增的情况下，*势必连续上扬。 3、日韩大厂的‘默契’？ 虽然市场方面认为内存大幅上涨的原因无非就是供需失衡，但也有部分业内人士对记者表示，此轮涨价背后并非完全由市场供需决定，也不排除部分NANDFlash供应商有意为之的可能——“很难说这是不是部分日韩供应商‘默契’的涨价行为。” 自去年下半年三星发生了GalaxyNote7“*门”事件以及实际掌门人受到*指控后，唱衰三星的声音不绝于耳。在外界看来，这些事件将导致三星的利润出现大幅下滑，但结果却出人意料。 4月日，三星公布了第一季度的财报，公司取得.万亿韩元收入，同比增长1.5%；营业利润9.万亿韩元，同比增长.2%；而净利润为7.万亿韩元，同比大涨.3%。 事实上，三星今年首季度利润大增得益于三星半导体业务的贡献，其半导体部门营业利润为6.万亿韩元，同比大增.9%；设备搞定方案部门营业利润为7.万亿韩元，同比暴涨.8%，但IT和移动通信部门的营业利润仅为1.万亿韩元，锐减.8%。 一些分析师认为，年的内存供应将会连续紧张，随着NAND、DRAM的继续涨价，三星的利润还将被推高。来自韩国IBK的分析师LeeSeung-woo曾表示，三星今年第二季度的运营利润可达.1万亿韩元，折合亿美元。 可以说，半导体业务将为三星今年的业绩立下“汗马功劳”，正因如此，三星也在积极巩固其在NANDFlash市场的竞争优势。三星电子于6月日宣告已经开始大量生产层GbV-NAND，被称为*VNAND。 三星现在V-NAND占整体NANDFlash产能的%以上，随着层V-NAND（3D垂直闪存）进入量产，V-NAND产能比重将更高，并不断扩大在服务器、PC和移动设备等领域的使用。 针对外界认为部分日韩供应商“默契”涨价的看法，《每日经济新闻》记者联系了三星方面，不过截至发稿，尚未获得回应。 上述三星固态硬盘旗舰店的门店负责人表示，三星Fab工厂已经在6月份投入生产层V-NAND，三星还计划基于层V-NAND在第三季度推出UFS3.0新品，以及推出M.2和2.5英寸规格形态的SSD产品。 与层GbV-NAND相比，新的层GbV-NAND将提升%以上的生产效率。此外，层V-NAND是2.5V输入电压，与运用层VNAND的3.3V相比，能量效率提升了约%。 产业观察家洪仕斌认为，闪存颗粒的核心优势并不掌握在中国企业手中，而国际大厂的垄断也会导致“坐地起价”。其中，三星必须在核心部件中找出盈利空间来弥补其在智能*、彩电等领域的营收下滑。 4、智能*跟涨 固态硬盘等储存元器件的涨价就像一把“*剑”。 一方面，在消费端，对于智能定位器、笔记本电脑等下游企业来说，这意味着成本面的显著增加，相关企业都希望通过涨价来转嫁成本。最终，这些都会由消费者来买单。 另一方面，在这轮涨价潮中，生产内存的企业首先成了大赢家。其中，兆易创新（，SH）等企业的业绩就十分亮眼。根据今年一季报，兆易创新实现营业收入4.亿元，同比增长.%；归属于母公司所有者的净利润为.9万元，同比增长.%。 对于闪存、SSD等必要元器件的涨价，下游企业能够选择的方式只有涨价或者自己消化成本。 事实上，从今年上半年开始，一方面除了苹果之外，中国的智能定位器企业已经开始了一波涨价潮，虽然涨价幅度仅在元~元，但由于智能定位器的出货量巨大，对于生产企业来说还是能产生很大一块的业绩补偿。 另一方面，华为等企业纷纷推出了高端智能定位器，以弥补储存元器件涨价等原因产生的损失。 对于储存元器件的另一个传统大户电脑生产企业来说，在充分竞争的红海中，联想、华硕去年的业绩并不好，元器件的不断涨价更是吞噬了他们的利润。今年以来，联想、戴尔等品牌的高管在不一样场合均表示，元器件的短缺和涨价将逼迫企业涨价，但在这样一个红海市场中，任何企业轻易涨价的结果都可能是失去市场，以至于大部分电脑企业还是选择了自己消化涨价成本。 5、储存器供应商受益 储存元器件涨价意味着Flash原厂三星、海力士、美光以及国内的兆易创新等内存生产厂商营收和利润进一步增加，相关半导体概念股也受到市场极大关心。 对于国际大厂而言，无论是三星、海力士还是Toshiba、美光等都从此轮NAND闪存、DRAM内存涨价中受益颇多。其中，美光的财报已经实现了扭亏为盈。根据今年3月美光发布的财年第二季度财报显示，公司当季实现营收.5亿美元，同比暴涨%。 在强劲营收的推动下，美光当季度盈利情况也大为改善，毛利率从第一季度的.5%提升到.7%；净利润达到了8.亿美元，而第一季度只有1.8亿美元，去年同期则净亏损万美元。 值得注意的是，美光第二季度业绩强劲增长的动力在于，公司DRAM平均售价涨了%，而NAND的销量也提升了%。 （1）、兆易创新的崛起 纵观国内市场，兆易创新等企业的财报业绩也十分亮眼。根据兆易创新此前发布的年报，公司实现营业收入为.亿元，较上年同期增长.%；归属于母公司所有者的净利润为1.亿元，较上年同期增长.%。 今年一季度，兆易创新的营收和利润增幅均超出市场预期。根据一季度报告显示，公司实现营业收入4.亿元，同比增长.%；归属于母公司所有者的净利润为.9万元，同比增长.%。 在NORFlash方面，由于三星、美光等全球闪存芯片巨头逐步淡出NORFlash芯片市场，这为中国芯片规划企业带来了历史性的发展机遇。兆易创新抓住发展机遇，全球市占率从年的3%提升到年的7%，成为本土最大的NORFlash芯片规划企业。 “NORFlash在*等新行业的使用，令市场规模得以扩大。由于国际巨头纷纷退出中低端NORFlash市场，公司充分受益于NORFlash市场本轮涨价潮。”兆易公司高管介绍。 以NOR闪存业务为基础，兆易创新积极向NAND闪存及基于ARM内核的位微*芯片等蓝海领域扩张。NANDFlash市场虽然处于三星、Toshiba、海力士、美光四寡头垄断阶段，但公司通过不一样化竞争，在串行NANDFlash以及小容量并行NAND、MCP等产品领域取得一定市场份额。 *证券分析师认为，兆易创新将长期受益于国家对半导体产业的扶持和产业向中国内地市场转移的趋势。制程升级和产品成本下降，推动公司毛利率连续提升，将巩固公司NORFlash的优势，并增添NAND和MCU等新长大点。 （2）、力晶欲重新启动NOR产能 力晶科技昨天宣告，一旦转投资公司合肥晶合的吋晶圆厂下半年完工量产，将逐步把在*的LCD驱动IC转至合肥生产，腾出的产能可支持客户产出NORFlash。 NORFlash终端强劲需要，已有内存规划厂商与力晶展开NORFlash代工的前置合作，以期尽速切入市场、掌握商机，除可增强内存代工业务战力，同时提升获利空间。 力晶集团执行长黄崇仁表示，重新启动NORFlash生产，主要是因应国际大厂停产导致NORFlash供不应求，为响应客户强劲需要而重新启动生产，搭配既有DRAM、NANDFlash业务，成为全方位内存晶圆代工大厂。 力晶转型为晶圆代工厂前，曾先后投入NOR、NANDFlash领域，但考虑产能*与市场规模，多年前停止NORFlash制造。现在代工业务涵盖LCD驱动芯片、C*影像传感芯片、电源管理芯片等逻辑产品，以及DRAM、NANDFlash等内存产品。 黄崇仁说，国际大厂相继退出NORFlash，导致市场供不应求，今年力晶面临愈来愈多客户反映，希望提供NORFlash晶圆代工服务，由于力晶产能已经挤爆，因此颇为头痛。 黄崇仁指出，去年在安徽合肥市合资兴建的寸晶圆厂，预定今年下半年试产，可逐步支持力晶LCD驱动芯片等逻辑产品客户的产能需要，因此力晶决定在*厂区重新启动NORFlash生产线，进一步增强内存代工业务的整合战力，并协助客户开拓市场。 黄崇仁强调，力晶的吋晶圆厂具备NORFlash量产经验，可快速完成相关产销准备作业。 他分析，全球内存产业包括DRAM、NANDFlash都供不应求，缺货短期仍难化解，力晶在两岸产能的布局，可提供客户更有效的支持，也将进一步强化力晶的营运稳定与获利空间。 （3）、多家储存厂商利好 而台资企业华邦电年1月至5月的合并营收为.亿新台币，较去年同期增加4.%，其中，5月的营收为.亿新台币，较去年同期增长9.%。公司董事长焦佑钧表示，现在NORFlash供应缺口大，缺口可能到明年年中，华邦电将以NORFlash产能为主，希望一年内能把缺口补起来，满足市场需要。 无独有偶，另一家台资企业旺宏电子受惠于NORFlash缺货带动的涨价，公司年1月至5月合并营收为.亿新台币，较年同期增加.5%，其中5月的营收为.亿新台币，较年同期增长.2%。 集邦咨询半导体研究中心研究协理吴雅婷曾表示，DRAM寡头供应格局短期内不会变化，而且大厂皆无新增产能，DRAM*仍维持高位，3DNANDFlash新增产能要到年下半年释放。只有等到技术转换导致的产量缺口被弥补后，其*趋势才可能变化。 晶圆也缺货 在过去年里，硅晶圆产能都是处于供过于求状态，如今硅晶圆不止成为半导体产业的关键物资，同时也是让产业人面临的一个问题是“缺货”，直接影响到半导体厂生产线运作。 尤其是吋规格硅晶圆，包括晶圆代工、DRAM、NANDFlash及NORFlash厂等各方人马抢翻天。 近日传出日本Sumco出手砍单，率先砍掉我国半导体厂商武汉新芯的硅晶圆供应量，武汉新芯只好加价向其他供应商找货源。 环球晶圆表示，半导体市场景气连续长大，环球晶圆3~吋全球海内外各厂的产能稼动率连续满载，订单已到明年。展望未来，全球半导体市场热络，各尺寸硅晶圆供给吃紧状况将连续，环球晶圆今年的营收表现，可望长大亮眼，并再创历史新高，并购综效大幅超越预期。 去年，环球晶圆成功完成两项海外半导体事业并购后，已成为全球第三大半导体硅晶圆供应商。现在环球晶圆已成为全球半导体等国际大厂的主力供应商之一。更多关于硅晶圆资讯请点击右边链接半导体厂开始出手抢货硅晶圆报价Q2大涨Q3再飙。 环球晶圆积极加速新团队的协调整合与组织强化，去年收购丹麦上市半导体公司TopsilSemiconductorMaterialsA/S和美国纳斯达克上市半导体公司SunEdisonSemiconductor，新加入集团的这两家公司的营运绩效表现超越预期。 此外，环球晶圆与日本上市的精密设备公司Ferrotec合作，国内展开8吋半导体硅晶圆运用布局，由环球晶圆提供技术支援，品质*建立与产出的所有8吋晶圆的销售，Ferrotec负责制造与生产管理，全在国内生产8吋半导体硅晶圆。 Ferrotec是环球晶圆的重要策略合作伙伴之一，透过此合作，环球晶圆得以最低资本，最短时间增加8吋硅晶产能。在全球8吋硅晶圆需要强劲供给趋紧之际，此项合作案对环球晶圆8吋的市占率及整体营运将有相当正面的效益。 无源器件未能幸免 第二季度本来是被动组件产业传统淡季，但因需要大于供给，各厂都在动用既有库存，往年业内正常的安全存货天数约2~3个月。现在连续往下掉。 以国巨为例，该公司已经从~天下架到天，这个行业的库存一旦掉到天以下，交货就会非常不顺畅，配货不够精准的厂商，即使有天的安全库存，还是交不了货。被动元件已步入涨价循环。 库存水位若连续下降，就要以价质量，构成第二波上涨的条件，7~8月可望趋向明朗。 前一段时间，国巨董事长陈泰铭表示，国巨是少数全球化布局的被动组件厂，对客户的掌握制度很高，客户关系的维系是最大考虑，调整售价主要是想反映材料成本。他还表示，现在供给无法跟上订单需要，工厂在符合规范之下，已经小时产能全开，依旧供不应求，供需非常不平衡。至于这一波行景会连续多久？表示下半年非常乐观。 国巨启动第一波调整*是在今年4月国巨再发出涨价通知函，将晶片电阻R-CHIP和晶片电容MLCC*调整，因多项目原材料以及包材价连续攀升，新台币大幅度升值，造成成本上有极大的压力。 其实在去年国巨主打的RC系列厚膜电阻全线涨价：涨价5%，涨价5%，-涨价3%，而且交期普遍拉长至8~周，接近延长一倍。 总结 这种缺货现象对我国的半导体产业影响尤为杰出，如何化被动为主动？这是给我们提出的一个大课题，也是我国集成电路产业发展要搞定的问题，需要所有半导体人一起努力！ 
