三星电子在储存器发展中的启示 (三星电子在储存中的应用)
整理分享三星电子在储存器发展中的启示 (三星电子在储存中的应用),希望有所帮助,仅作参考,欢迎阅读内容。
内容相关其他词:三星存储产品,三星存储百度百科,三星 储存,三星电子储存芯片,三星存储百度百科,三星 储存,三星电子在储存卡怎么用,三星电子储存芯片,内容如对您有帮助,希望把内容链接给更多的朋友!
为了超过日本半导体,三星电子在开发MDRAM的同时就己经组建MDRAM研究团队。位研究人员在HwanChang-Kyu领导下努力奋战,经过两年的努力终于在年8月日研制成功全球第一块MDRAM芯片。 非常有兴趣的是第一批样品就实现了全功能,所以检验及测量的次数反复达次之多,生怕有误差。由此奠定了在储存器方面韩国超过日本的基础。 三星电子成功的原因初探 年代后韩国政府改变半导体产业政策,转向扶持DRAM,此时三星半导体开始获得政府支持。当时韩国政府组织”官民一体”的DRAM共同开发项目,也是通过政府的投资来发展DRAM产业。 进入DRAM市场初期,三星电子首先向当时遇到资金问题的美光(Micron)公司购买KDRAM技术,之后自已开始开发KDRAM。为了提升技术,这时三星半导体用高薪聘请在美国半导体公司工作过的韩国人,工资比总裁高4-5倍。 另外,三星在美国建立研究中心,并配置相同的生产设备,让这些高薪人员来培训本土的工程师。然后经过培训后的工程师再回到本部,日以继夜地工作,很快三星在DRAM方面超过日本。 再有一点非常关键,在年全球半导体市场转弱,但是三星采用反周期的投资策略,加大投资DRAM建8英寸生产线。 年9月三星推出KDRAM,但是由于DRAM*快速下滑,从年初的4美元/片,下降到年的美分/片。而此时三星的生产成本是1.3美元/片。到年底,三星半导体累积亏损3亿美元,股权资本完全亏空。 由于DRAM市场不景气,Intel等美国公司退出储存器市场,日本公司也缩减投资规模和生产能力。由于三星的反周期投资,继续扩大产能,并开发更大容量的DRAM。当年产业出现转机时,加上美国政府发起对于日本半导体业的反倾销诉讼案,美国政府和日本企业达成自动出口*协议。由于日本企业减少向美国出口,导致DRAM*回升,三星开始首次实现盈利。 三星是从年开始投资半导体,搞储存器。那时韩国的半导体远没有现在的先进,有人认为韩国有劳动力成本低的优势。实际上当时在工厂中作*作的人员,大部分是农村来的妇女,文化程度并不高,但是素质很好,她们的工作十分认真与精细。 三星经过若干年后能成为全球储存器业的领先者,主要是在韩国政府倾国力的支持下加上强有力的领导集体,包括三星的前董事长李健熙等,能献身于事业。除此之外,企业上下有股气势,一定要赶超日本的决心和信念,再加上有一批由美国培训回来的第一流工程师,由于它们奋发图强的加速发展半导体工艺,才取得如此辉煌的成绩。 还有一个原因,如Toshiba与其它的日本公司,它们的研究中心与制造基地分别位于不一样的地方,相距甚远。而三星电子的研究中心与制造部分在同一地方,既节省时间与成本,又便于研究与制造之间相互的沟通。 三星电子还具有另外一个优势是有自己的终端电子产品。不仅有半导体,还有面板,电视等。这样垂直式的产业链有利于整合。既有利于以最快速度反映市场的需要,也有利于终端产品与芯片各环节之间的协调。 后语 三星电子在储存器方面的成功,有外在原因,如韩国政府的大力支持,以及美国对于日本半导体的反倾销策略等,显然三星电子内在原因起着决定性的作用。尤其是三星电子有一股气势,一定要成功超过日本,上下齐心合力,人的原因起了关键作用。众所周知,DRAM的制造决定于成品率与产品成本,所以工艺生产线上每一步*作的成品率起着十分重要作用。再加上它的正确策略,在美国搞研究中心,采用与韩国制造同样的设备,以及用高薪聘请在美作储存器的韩国工程师,并在美国培训人材后,再回到韩国工作。另外在全球储存器周期性下降时,它采用反周期的加大投资,积极扩充产能等。 内在与外在的原因综合在一起,推动了三星电子的储存器业成功。同样分析天时,地利与人和在中国似乎都具备了条件,好象仅是某些地方差了一点点。因此未来中国在突破艰难的储存器业制造中必须十分清醒,仅拥有大市场与足够的投资还不一定能获得成功,需要人材的配合,并要有一股气势与勇气,以及技术上的真正过硬。全球储存器业总是周期性的起伏,只有坚持到底,不惧怕暂时的亏损,才有可能成功。现在的盲点是不知道我们的连续亏损要多久?能否有决心坚持下去,因为通常只有国家意志才有坚持下去的可能性。标签: 三星电子在储存中的应用
本文链接地址:https://www.iopcc.com/jiadian/46941.html转载请保留说明!