三星黑科技TurboWrite技术！ (三星黑科技全局透明)

现在很多固态硬盘中的NAND闪存均采用TLC(3bits/cell),TLCNAND闪存引入虽然给固态硬盘带来*的优势，更利于固态硬盘的普及。但是，TLCNAND闪存也带来了负面的影响。由于TLCNAND闪存在读写*作时比MLCNAND更复杂，带来更大的延迟，最终的结果就是，与基于MLCNAND的固态硬盘相比，基于TLCNAND的固态硬盘的读写性能要逊色很多。这如何维修？人类智慧没有顶点，看三星如何应对。

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　　三星从EVO固态硬盘之后加入了TurboWrite功能。TurboWrite的核心内容就是引入SLCNAND和TLCNAND的组合，利用SLCNAND快速读写的特点来提升基于TLCNAND的固态硬盘的性能。具体结构如下图：

　　从上图，我们来详细的解释一下TurboWrite技术的工作原理：　　TurboWrite技术是在固态硬盘中加入高性能的SLC写入缓冲区。在需要写入数据时，Host会先把数据写入到固态硬盘中的SLC缓冲区。在固态硬盘处于空闲的时候，再将数据由数据从缓冲区搬到真正储存数据的地方-TLCNAND。采用TurboWrite技术的固态硬盘，让用户在写入开始阶段会有极速的体验。　　但是，如果Host连续写入大量的数据，那么固态硬盘的高性能SLC缓冲区会被写满，在SLC缓冲区被写满之后，Host数据会被直接写入TLCNAND,这个时候，固态硬盘的性能将会极速下降。用户会看到在SLC缓冲区写满前后性能折线下滑。所以，SLC缓存区的大小，对于固态硬盘的性能的影响还是很大的。根据固态硬盘的容量，SLC缓存区的大小也会不一样，如下图：

　　上面表格中的数据已通过三星严格的评估，足以应对所有日常使用场景对性能的需要。　　介绍了TurboWrite技术的引入背景以及工作原理，那么，TurboWrite究竟能对固态硬盘性能的提升效果有多少呢？我们让实验数据说话。　　对于三星固态硬盘前一代产品，EVO固态硬盘最大的优势就是大幅度升级了固件算法，加入了TurboWrite技术。采用TurboWrite之后，EVO固态硬盘的顺序写的速度有大幅度的提升。不过，对于不一样的固态硬盘的容量，TurboWrite带来的影响也会稍有不一样。对于GB容量的固态硬盘，TurboWrite的加入，对顺序写的速度提升了3倍之多。对于GB容量的固态硬盘，TurboWrite技术的加入，对顺序写的速度提升了2倍。而对于GB容量的固态硬盘，TurboWrite技术对顺序写的提升幅度最小，但也有1.6倍。

　　总的来说，TurboWrite技术对于基于TLCNAND的固态硬盘来说绝对是个福音。另外，在储存行业内，针对基于TLCNAND固态硬盘的性能的提升不止有三星TurboWrite技术，其他的主控厂商也有相似的优化技术，在这里就不赘述了。有兴趣的朋友可以自行了解一下。