打破垄断 国产闪存芯片之路有多远？ (打破国外垄断)

你知道每年中国进口的商品当中，哪一项是花钱最多的吗?粮食?原油?机械设备?都不是!

整理分享打破垄断 国产闪存芯片之路有多远？ (打破国外垄断)，希望有所帮助，仅作参考，欢迎阅读内容。

内容相关其他词:打破垄断的上市公司,打破垄断地位,中国打破垄断技术,中国制造打破垄断,打破垄断 国产售价,我国打破垄断,中国打破的垄断,我国打破垄断,内容如对您有帮助，希望把内容链接给更多的朋友！

　　中国在一种体积很小的产品上花掉的钱远远超过那些大宗商品，这种产品就是——芯片。仅年1月份到月份，中国在进口芯片上一共花费了1.2万亿人民币，是花费在原油进口上的两倍。年中国芯片市场规模达到千亿美元，占全球芯片市场%以上。　　其中储存芯片市场规模达到.5亿元，占国内市场比重.7%，其比重超过处理器、定位器基带芯片。而中国储存芯片产业基本空白，几乎%依赖进口。国产化闪存颗粒，已刻不容缓。在中国固态硬盘市场，因闪存颗粒不够问题所导致的问题更为严重：廉价、非原厂品牌的SSD销量开始逐步上升，而原厂颗粒受影响销量下滑。　　过去三年是固态硬盘发展的黄金时期，国产SSD品牌因为技术壁垒、品牌熟悉度等问题无法和一线品牌抗衡。但今天各大Flash原厂由于发力3DFlash技术，导致闪存颗粒严重缺货，*自然也水涨船高，所以消费者受*原因影响不得不选择此类*固态硬盘。　　现今3DFlash产能依旧严峻，良品率低因此产生的原料非常多。这些原料对于一线品牌是废品，但到了*厂商手中却成了“宝藏”。　　现在，中国这样的SSD品牌高达上百个，乱象丛生。Flash*不停上涨，消费者更容易选择廉价产品也在情理之中。但不得不指出的是，消费者在购买廉价SSD的同时，并不清楚这里面的“猫腻”——廉价SSD现在很多采用了黑片，也就是Downgrade颗粒，此外还有拆解片。　　一些自称国货精品的品牌也在大肆*劣质颗粒的SSD，且试图掩盖*，不让消费者知情。同时，再引导不明*的网站平台广泛传播渠道的销售状况，将短期的销量提升粉饰成产品与品牌的成功，借此诱导更多人上当受骗。　　没有自主产权，仅靠贴片、造假，这样的国产SSD品牌能走多远?我们不得而知。但有一点可以确定，廉价、劣质的国产SSD进一步的降低了消费者对“国产SSD”的信任，这是一种竭泽而渔的商业模式。　　闪存市场现状：没国产啥事　　上文提到，现在各大闪存芯片厂商正在加紧量产3DNAND，这也是全球闪存芯片厂商必争的制高点。美光、Toshiba/西部数据(WDSanDisk)、SK海力士，甚至英特尔也加入到3DNAND。但大部分原厂在2DNAND到3DNAND的切换阶段都经历了产能和成本的阵痛期，三星最早投入3DNAND，到年底生产比重才突破%，Toshiba、美光、SK海力士几家占比更是不到%，从而导致3DNAND上市延后。　　年是闪存芯片转型的一年，三星西安厂/Fab/Fab、ToshibaFab2、美光Fx、SK海力士M都将在年全面进入3DNAND量产阶段，原厂3DNAND产能竞赛正在有序开展。　　年Flash原厂3DNAND技术规划：　　三星：层V-NAND产品，三星已经开始了样品的测验和小规模试产，估计在年Q1开始放大试产规模，估计V-NAND产能的占比在年Q1将达到%。　　Toshiba/西部数据(WDSanDisk)：下半年宣告3D技术向层提升，年底已小量生产。年会把生产主力切换到层3DNAND量产。　　SK海力士：年计划提升至层3DNAND量产，将在Q1推出样品，Q2开始小批量生产。　　美光：层3DNAND已于年月送样，年将逐步进入量产阶段。　　闪存市场需要有多大?　　虽然PC连续萎靡多年，但SSD和智能定位器的闪存芯片需要的强势增长已经弥补了其他硬件市场需要冷淡的情况。今年智能定位器的容量进一步增大，即将发布的iPhone8在GB的带动下，将消耗大量闪存芯片，估计%的闪存芯片产能将用于智能*，但我国生产的定位器闪存芯片依旧%依赖进口。　　在SSD消费类市场和企业级市场，闪存芯片需要量也在逐步扩大，预计年SSD储存密度将进一步连续增加至亿GB当量，较年增长%，有机会取代嵌入式产品成为NANDFlash最大的使用市场，也是Flash原厂和主要模组厂商、OEM厂商等必争之地，市场竞争也将再次升级。　　伴随着Flash原厂扩大3DNAND量产规模，大数据和核心使用继续快速增长，相信年是储存产业整体快速增长的一年。　　3中国闪存芯片布局　　中国闪存芯片布局　　我们先看一下中国有哪些正在崛起的储存供应商。在ICInsights副总裁BrianMatas早期的报告中我们看到，现在中国储存领域有三个主要的竞争者，分别是：年7月，紫光集团收购了武汉新芯，并建立了一个叫长江储存的合资公司。这个寸晶圆厂将聚焦在3DNANDFlash的生产，至于具体的量产时间，还没有披露。　　合肥SKT项目，预估在年底建造一个DRMAFAB。　　福建晋华项目，准备打造DRAMFab，预估在年第三季度量产。　　在以上三个项目中，合肥的SKT项目已经停止运营了。这个由尔必达前CEOYukioSakamoto建立的公司，曾经尝试从日本、*和韩国招募个储存相关的工程师，以弥补中国在有经验的储存开发工程师的不够，Sakamoto更是想从日本寻找个能够迁到中国来工作的工程师，但这个提议遭到了合肥当地政府的反对。　　尽管SKT的承诺超过了半导体行业的正常现象，但这也给了中国半导体人一些新的方向。一个能够笼络工程师去保持他们Fab继续运行的方式。　　而在设备方面，长江储存方面表示，他们现在用的半导体设备和三星在西安工厂所运用的是一样的(三星的西安工厂只制造层的NANDFlash，层的NANDFlash是在韩国本*造)。　　不过虽然长江储存能买到同样的设备，但他们缺少有经验的人去*作这些设备。笔者认为，对于长江储存来说，首先要做的事就是从三星西安这些公司挖角晶圆厂*作工人。之后可以从三星和SK海力士挖一些高级的工程师。再看能够从美光和Toshiba获得一些相关的技术信息。这是紫光搞定问题的方式之一。　　上个世纪年代，三星花费重金从日本招聘DRAM工程师。当时那些工程师可以保留白天的工作，而可以在晚上或者周末为三星服务。通过这些*工作，工程师们能获得高额的报酬。就是通过这种方式，三星慢慢发展其了其DRAM产业。　　而二十多年后的今日，韩国受到了当初日本的对待。虽然中国并没有韩国当初那么疯狂，但没有什么方式可以组织长江储存招聘来自西安三星的工程师。　　中国疯狂建厂存在的风险　　从现在的种种迹象表明，3DNAND产能不够的问题将于年缓解。而长江储存近2年疯狂的半导体建设或许会引发一个新的风险，那就是产能过剩。去年，ICInsights的Matas写到，现在在追逐3DNANDFlash的产能的公司有三星、SK海力士、美光、英特尔、Toshiba/闪迪和长江储存。还有一些可能加入战局的中国制造商。　　虽然业界认为未来五年工业界会发生很重要的转变，并会带来很强大的储存需要，但如果中国的储存布局能够顺利进行，那么最后必将会面对产能过剩的风险。有人指出，对于中国的这些投资我们应该抱有一种什么样的态度，究竟是应该感谢他们致力于打破三星的垄断，给我们带来更多的选择，还是该批判他们这种行为?　　一位专家海指出，中国想通过储存切入半导体产业链，这或许是一个错误的选择。因为储存上面投资的金额实在太大了。每一代技术的投资成本都数十亿美元。这对中国来说是一个很大的冒险。　　投资无数的钱在一个未知结果的领域，面临的压力是可想而知的。最后回到标题，国产闪存芯片之路有多远?根据紫光集团布局和建厂进度，年我国将量产3DNAND闪存，大家请耐心等待。