哪些新技术可以让固态硬盘回归低价位呢？ (哪些新技术可以帮助学情分析)

哪些新技术有助于搞定闪存供需缺口，让固态硬盘回归低价位呢？储存极客总结了有以下几点：3D制程、QLC闪存、高度集成化的迷你NVMe固态硬盘。3D闪存：堆叠层数更高的3D闪存　　Toshiba于年发明了NAND闪存并在年将其量产，开创了闪存的世界，也为日后固态硬盘的问世创造了基础。多年来通过缩小制造工艺，闪存的容量不断增长，单位容量成本也慢慢降低。直到nm工艺之后，工程师发现继续缩小制造工艺的空间有限了，极限可能会是nm左右：再小的话就无法保持足够数量的电子来完成数据记录功能。扩展容量只能从平面扩张转为立体堆叠。

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　　年6月日三维闪存堆叠技术由Toshiba首次宣告，距今已有年之久。而3D闪存实际使用于固态硬盘则是最近几年的事。早期的3D闪存工艺不成熟，在相当长的时间里成本比原本它希望取代的2D闪存还要高。首先宣告3D闪存的Toshiba一直没有全面使用3D工艺，而是等待技术的不断成熟。

　　直到今年，Toshiba宣告层堆叠的BiCS3闪存问世并投入大规模量产。3D闪存与2D闪存的成本交叉点正式到来。各家闪存原厂提出的技术细节不一样，但总的来说都是尽可能堆叠更多层结构：层数越高，单位容量成本越低。

　　Toshiba已经将BiCS3DTLC闪存使用到了最新的XG5、BG3、TR等固态硬盘当中。

3DQLC横空出世，将与层BiCS4一同到来：　　如果说闪存原厂全数进入3D时代的消息还不够令人振奋，Toshiba几乎在同一时间宣告了将3DQLC引入固态硬盘的计划。3DQLC将最早于年出现，并在年前占据%左右市场。

　　对于QLC耐久度问题，其实主要关系到纠错难度的增长。在同样的电压范围内，过去MLC只需用4种电位表达2个比特，当前TLC运用8种电位表达3个比特，而QLC则将运用种电位表达4个比特。

　　就现在的纠错技术而言，已经能在实验室中实现PE磨损状态下数据保存6个月以上。Toshiba的目标是将3DQLC耐久度提升至PE可断电保存数据1年后再将其推向市场。

固态硬盘将变成指甲盖大小：　　未来固态硬盘将越来越小这是毋庸置疑的，在标准M.2规格之外，ToshibaBG3固态硬盘已开发出*BGA规格。

　　麻雀虽小五脏俱全，ToshibaBG3在一颗芯片当中既包含闪存又包含了主控与缓存，支持PCIE3.0接口和NVMe协议，性能比SATA固态硬盘更强。

　　借助于最新NVMe1.3协议的HostMemoryBuffer特点，BG3还能通过向*借用内存扩展缓存容量，提升读写性能。

　　当然，新工艺的转换与新技术的使用总是需要时间来过渡，正是现在这样的窗口期，2DMLC基本停产，3DTLC初期存在一些不够有待完善，让用户在选择固态硬盘时有些无所适从。储存极客推荐近日有固态硬盘购买需要的朋友可以考虑ToshibaQG这款型号，主控8通道、原厂MLC闪存，性价比表现出色。