速度提升千倍,它们是SSD的终结者 (速度提升了)
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3DTLCNANDFLASH比TLCNAND更加优秀。相对而言它拥有更快的速度,单位体积更低的*等等。 3DTLCNANDFLASH一经上市,人们便对其寄予厚望。3DTLCNANDFLASH纸币TLCNAND好一点,我们接受。只希望它的出现会使得SSD*降下来。 但是,现在3DTLCNANDFLASH的产量已经突破NANDFLASH的产量的%了。3DTLCNANDFLASH也在SSD中广泛运用了。然而,SSD的*依然在增长中。而3DTLCNANDFLASH的SSD*居然更高! 说好的救世主呢?3DTLCNANDFLASH不过来客串了一把。但是它吃掉的不仅仅只是盒饭! 3DTLCNANDFLASH吃掉的是我们那“SSD回归性价比”的梦想。 3DTLCNANDFLASH还不算完,继3DTLCNANDFLASH过后,万恶的QLC又被重新提起。今年又传出Toshiba、WD正共同研究QLC的消息。 有点欺人太甚啊!鬼才再买!那些捧过3DTLCNANDFLASH的臭脚的玩家,早已血槽空了。SSD的终结者们人生最大的迷茫是,Ihaveadream,butIdon’tknowwherethefutureis。SSD的未来在哪里? 一、相变内存(电脑M) 电脑M结合了DRAM内存的高速存取,以及闪存在关闭电源之后保留数据的特点,被业界视为未来闪存和内存的替代品。 电脑M功耗更低,单位体积的容量更大,并且电脑M可以不擦除现有数据而写入新的数据,可以写入万次以上,比现在的闪存寿命更长,并且它的速度比闪存快倍。 年3月,Intel公司发布了旗下Optane闪腾系列的第一个产品线SSDDCPX。Intel号称运用了电脑M技术,并且称这是一款打破了内存和闪存界线的产品,它的速度比SSD快倍。GB版本的最高速度为MB/s,写入速度MB/s,4K随机读写K/KIOPS。请问倍在哪里?另外这款SSD的*却是比一般SSD的三倍。 从现在来看相变内存技术还有待发展。但是未来电脑M确实有望成为SSD、HDD、内存条的终结者,打破硬盘和内存的界限,让它们合而为一。 二、磁性内存(MRAM) 年摩托罗拉生产出一个MRAM芯片。年IBM和TDK,采用自旋扭矩转换(spin-torque-transfer,STT)的新型技术开发出新一代的MRAM。 MRAM是一种非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,也拥有动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。MRAM记录密度是DRAM的成百上千倍,速度也比所有现有的内存技术都要快得多。大密度、快访问、极省电、可复用和不易失是磁阻内存的五大优点。 MARM的优秀远超现在和正在研究当中的所有储存技术,可说是一枝独秀。 在年IBM推出了7纳米制程的MRAM芯片。现在IBM、罗方德、SAMSUNG正在研究5纳米制程的芯片。 现在MARM储存芯片已经慢慢开始被运用于军工领域。随着光刻技术的发展,MARM必将开始广泛的被运用于民用以及其他领域。 届时硬盘、内存或许不再存在,一台电脑里一个MARM的储存设备就搞定。而且MARM将让电脑不再“等待/延时”。 未来相变内存(电脑M)、磁性内存(MRAM)都有望终结SSD(或内存条),实现内存、硬盘的统一。但是现在MRAM技术已经成熟,普及只是时间上的问题了。预计在不久的将来,消费级的MRAM硬盘可能首先到来。黎明之前 黎明会到来的。在这电脑M、MRAM还未彻底到来的黎明之前,在现在沸反盈天的SSD市场情况之下,我们需要耐心等待,理智消费。现在市场上的外国品牌的SSD/内存条产品溢价非常高,完全毫无性价比可言。因此如果大家需要升级SSD。我推荐大家先买个国产的SSD先用着。标签: 速度提升了
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